multisim元器件参数详解
电阻模型参数
R?电阻倍率因子
TC2?二次温度系数
C?电容倍率因子
VC1?线性电压系数
VC2?二次电压系数
TC1?线性温度系数
TC2?二次温度系数
电感模型参数
L?电感倍率因子
IL2?二次电流系数
TC1?线性温度系数
TC2?二次温度系数
二极管模型参数
IS?饱和电流
RS?寄生串联电阻
N?发射系数
TT?渡越时间
CJO?零偏压PN结电容
VJ?PN结自建电势
M?PN结剃度因子
EG?禁带宽度
XT1?IS的温度指数
FC?正偏耗尽层电容系数
IBV?反向击穿电流（漆点电流）
KF?闪烁躁声系数
AF?闪烁躁声指数
双极晶体管（三极管）
IS传输饱和电流
EG禁带宽度
XTI（PT）IS的温度效应指数
BF正向电流放大系数
NF正向电流发射系数
VAF（VA）正向欧拉电压
IKF（IK）正向漆点电流
ISE（C2）B-E漏饱和电流
NE?B-E漏饱和电流
BR反向电流放大系数
NR反向电流发射系数
VAR（VB）正想欧拉电压
IKR?反向漆点电流
ISCC4?B-C漏饱和电流
NC?B-C漏发射系数
RB?零偏压基极电阻
IRB?基极电阻降致RBM/2时的电流
RE?发射区串联电阻关于依法保障律师执业权利的规定
RC?集电极电阻
CJE?零偏发射结PN结电容
VJEPE?发射结内建电势
MJEME?集电结剃度因子
CJC?零偏衬底结PN结电容
VJCPC?集电结内建电势
MJCMC?集电结剃度因子
XCJCCbe?接至内部Rb的内部
CJSCCS?零偏衬底结PN结电容
VJSPS?衬底结构PN结电容
MJSMS?衬底结剃度因子
FC?正偏势垒电容系数
TF?正向渡越时间
XTF?TF随偏置变化的系数
VTF?TF随VBC变化的电压参数
ITF?影响TF的大电流参数
PTF?在F=1/（2派TF）Hz时超前相移
TR?反向渡越时间
XTB?BF和BR的温度系数
KF?I/F躁声系数
AFI/F躁声指数
Is=14.34f反向饱和电流。
丫髻山碧霞元君祠遗址>泰森多边形Xti=3?饱和电流的温度指数
Eg=1.11?硅的带隙能量
Vaf=74.03?正向欧拉电压
Bf=255.9?正向电流放大系数
Ne=1.307?B--E极间的泄漏饱和发射系数
+?Ise=14.34fB--E极间的泄漏饱和电流
Ikf=.2847?正向BETA大电流时的滑动拐点
Xtb=1.5?电流放大系数的温度系数
Br=6.092?理想反向电流放大系数
Nc=2?B--C间的泄漏发射系数
Isc=0?
Ikr=0?反向BETA（R）大电流时的滑动拐点
Rc=1?集电极电阻
+Cjc=7.306pB-E结零偏压时的耗尽电容。
Mjc=.3416?B-C结指数因子
Vjc=.75?B-C结内建电势
Fc=.5?正向偏压时的耗尽电容系数
Cje=22.01p?B-E结零偏压时的耗尽电容
企业法人法定代表人登记管理规定
Mje=.377?B——E结指数因子
Vje=.75?B-E结内建电势
+Tr=46.91n反向渡越时间
Tf=411.1p?正向渡越时间
Itf=.6?正向渡越时间随VBE变化的参数
Vtf=1.7?
Xtf=3Rb=10)正向渡越时间随偏置变化的参数
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm集电极最大耗散功率
Icm集电极最大允许电流
V(br)cbo发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压
Icbo高分子通报发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流
Iceo基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流
Iebo集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流
Vce(sat)基极与发射极间的正向饱和压降
Vbe(sat)集电极与发射极间的反向饱和压降
hFE共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）
Ft特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）
Cob共基极输出电容
Nf嗓声系数
不倒翁为什么不倒
Fa共基极截止频率
Hre共发射极交流输入开路时的电压反馈系数
Gp共基极时功率增益
Kp共发射极时功率增益
Vf正向降压
Vr反向降压
Typ典型值
Max最大值
Min最小值
If正向电流
Ir反向电流
Toff关闭时间
共发极交流输入开路时的输示
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容
Cce---发射极接地输出电容
Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cn---中和电容（外电路参数）
Co---输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe---共发射极输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVebo---集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVcer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE---共发射极静态电流放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hRE---共发射极静态电压反馈系数
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
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