光伏产业链包括硅料、硅片、电池片、电池组件、应用系统5个环节.上游为硅料、硅片环节;中游为电池片、电池组件环节;下游为应用系统环节。从全球范围来看，产业链5个环节所涉及企业数量依次大幅增加,光伏市场产业链呈金字塔形结构。 在整个产业链中，硅料尤其是高纯度的硅料毛利率最高.由于近年来光伏产业的快速发展，硅料出现供不应求的状况,硅料的价格更是节节攀升。2008年初从以工业硅为原料提纯后所得的多晶硅价格已经上涨至约300美元/公斤，部分高纯度多晶硅甚至达到500美元/公斤。其次是硅片生产的利润率较高，而组件生产和工程安装利润率最低,约为10%左右。 目前，大部分光伏企业的产品集中在硅片、电池片和电池组件,以及应用系统方面。硅料的利润增长点主要是来自高纯度的多晶硅，而纯度较低的工业硅（纯度为98%～99％）则价格极为低廉。工业硅料的生产主要在发展中国家进行,是产业链中高能耗、高污染的一环.工业硅料经提纯后得到高纯度的硅料（纯度在99。9999%以上)则价格高昂。高纯度硅料的供应商主要来自美国、德国和日本的公司。随着光伏产业的发展，这些公司有扩大高纯度硅料产能的趋势，如美国HSC公司（Hemlock Semiconductor Corporation)的多晶硅产能将从目前的1万吨增加到2008年的1.45万吨，预计2010年扩产至1。9万吨；另一家公司MEMC公司(MEMC Electro nic Materials Inc.)的产能也将由4900吨提高至2009年的8000吨。
(一) 产业链构成
太阳能光伏产业链包括多晶硅原料生产、硅棒、硅锭生产、太阳能电池制造、组件封装、光伏产品 图 1 太阳能光伏产业链图 生产和光伏发电系统等环节。其他与产业链相关联的产业，如专用设备制造等,这里不再详述。赛迪顾问认为,产业链中，太阳能电池是最重要的生产环节。目前,世界上太阳能光伏电池90％以上以单晶硅或多晶硅为原材料生产的。
（二) 产业链发展现状与问题
2006—2007年，陆续共有10家中国光伏企业在海外上市。见表1。其中8家在美国上市公司的市值已达到200亿美元.2007年，我国已有500多家光伏企业和研发单位。但产业链各个生产环节差别较大,行业主要集中在产业链中下游.
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1、国内多晶硅原材料生产技术落后,且产量供应不足,多依赖国外进口
多晶硅制造业是光伏产业链的首端，是影响整个产业发展规模的重要环节，也是目前限制我国光伏产业发展的瓶颈。
我国多晶硅生产技术主要基于改良的西门子法，由于工艺落后，能耗比高于世界先进水平.国内多晶硅原材料生产产量严重不足，如2006年全国需求量5000吨，实际产量不足300吨，远不能满足国内需求。同时,多晶硅原材料生产是典型的规模化产业，产能超过1000t/a才能显示规模效益。但我国已投产的多晶硅企业产能不足，规模效益不明显。
由于供需巨大缺口的出现，近期我国部门企业开始进入多晶硅生产，预计今后几年我国多晶硅过度依赖国外的局面有所改观。
2、硅棒、硅锭制造技术成熟，但对原材料依存度高
根据爱尔兰商业通讯2007年5月份的报道，中国现有硅锭生产企业58家（含单晶体硅和多晶体硅），硅片生产企业38家，且国内主要生产企业技术比较成熟，但由于该产业对上游多晶硅的依赖，导致部分企业开工率不足。
3、太阳能电池生产增长强劲，产品主要出口
自2003年起我国太阳电池制造业以超常速度发展，年增长率达到100％－300％,2007年我国光伏电池年产量700MW，仅次于日本和欧洲，位居全球第三。但目前产品也因价格高而95％以上只能出口。虽然国内太阳能电池生产取得巨大成绩，技术水平与国际相当，但仍停留在引进、消化、吸收层面，自主研发能力较弱，不利于产业长期发展。
4、组件制造进入门槛低,产品附加值低，竞争力弱
在整个太阳能光伏电池产业链中，组件制造由于投资少、建设周期短、技术和资金门槛低、最接近市场等特点吸引了大批生产企业，是光伏产业链中发展最快的环节之一。据估计我国有180家以上的太阳电池组件生产企业.而且主要厂家的产品都通过了TǘV、UL等国际认证.
由于中国光伏产业链末端光伏发电市场尚未启动，98%的国产光伏组件出口国外。行业易进入和上游多晶硅原料不足造成国内封装产能过剩，产品质量参差不齐，且产品附加值较低，组件企业利润微薄,竞争力能力弱.
通道管理系统
5、光伏产品生产量大,但应用水平低
光伏产品生产属于劳动密集型行业，在国外市场需求拉动下，光伏产品生产集中在珠三角、福建、浙江等沿海城市，出口产品包括太阳能灯、太阳能计算器、太阳能电池和组件。中国成为世界上最大的光伏产品生产国。受产品价格和市场空间的限制，国内太阳能光伏产品应用化程度不高。
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二、产业链存在的问题对产业发展的影响
(一） 从产业链各环节看，技术发展参差不齐、产能供需存在缺口，制约产业健康发展
从国内太阳能产业链内部来看，太阳能光伏技术整体水平不高，核心技术多依赖国外。其中源头多晶硅材料生产技术工艺较低，中端太阳能电池制造技术自主创新能力不高，下游光伏发电集成技术不逊于国外。同时，各环节产品产能缺口较大，2006年，多晶硅产量300t，占世界总产量的1%左右，仅能满足30MW太阳能电池的生产，而同年国内太阳能电池产量达369。5MW，位居世界第四，而光伏年安装量仅10MW.下游光伏产品应用市场尚未打开，应用水平较低，产业链各端供需差距较大.长期来看，这种产业内部供需不平衡、产业自主研发能力低的状况不利于中国太阳能光伏产业的健康发展。
（二) 从产业链整体看，中国太阳能产业集中在中部,两端在外，整个产业规模化程度不高 从整个行业发展状况看,中国太阳能产品生产居于世界前列，但制约整个光伏成本的原材料生产却高度依赖国外，同时，具有高附加值的产品应用也大部分出口。在太阳能光伏产业中，中国成为了太阳能产品加工厂,从产品末端看,我国光伏产业发展缓慢,远不及国际发达国际水平，产业规模化尚有距离.
三、产业发展前景展望
（一) 处于起步阶段的太阳能光伏产业在国家政策支持下，整体发展空间较大
根据《可再生能源十一五规划》，到2010年，我国太阳能光伏装机总量达30万KW.将通过开展无电地区电力建设、启动光伏发电城市应用工程和开展光伏电站试点方式展开.从产业应用方式上来看,我国太阳能光伏发电尚处于起步阶段。我国太阳能产业链各产业生命周期分析
赛迪顾问认为，各产业链从产业发展阶段看，多晶硅原材料生产和光伏应用仍处于初创期,太阳能电池生产处于成长期。在国家可再生能源发展政策支持下，产业发展空间比较大。
(二) 多晶硅产业有望改善国内原料供应不足僵局
在国内外多晶硅原材料需求的强拉下,国内企业对多晶硅原材料生产关注度日益提高。目前，洛阳中硅和四川峨眉、四川新光硅、特变电工多晶硅联合新能源等项目在建并将相续投产，其产能均超过1000t/a，在未来几年，随着这些项目的投产，国内多晶硅原材料供不应求的局面可能被打破。但同时，由于下游产业年产能的提高,对原料的需求也水涨船高，今后几年,国内多晶硅产业能否改善国内原料供应不足局面，与自身产能能否实现以及下游产业产能的扩张速度相关，其前景并不能过于乐观。
(三） 太阳能电池产业将保持较大竞争优势
从近几年国内太阳能电池发展速度与规模,以及国内主要生产厂家发展战略来看，国内太阳能电池发展迅猛势头仍将保持，特别是随国内光伏产业上游多晶硅原材料生产产能提高,太阳能电池生产受原料限制的状况将会改善,国内太阳能电池生产在国际上将具较大的规模竞争优势。
资本运营（四） 国内太阳能光伏发电系统受与成本制约,近期推广难度大
太阳能发电上网成本较高,主要成本基本在多晶硅材料环节。但短期内全球多晶硅供不应求的局面难以改变。而针对太阳能光伏发电的政策支持尚未出台，近期内,国内光伏发电系统推广难度较大。
二、术语缩写
(1)BIPV,即Building Integrated PV是光伏建筑一体化。PV即Photovoltaic。
三、单晶硅（Monocrystalline silicon)
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿.其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。近年来，各种晶
体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。
【单晶硅性质】
单晶硅具有金刚石晶格.晶体硬而脆具有金属光泽。能导电。但导电率不及金属随温度升高而增加。具有半导体性质。单晶硅是重要的半导体材料，在单晶硅中掺入微量的IIIA族元素,形成P型半导体。掺入微量的第vA族元素,形成N型半导体。形成N型和P型导体结合在一起.就可以做成太阳能电池。将辐射能转变为电能。
［主要用途］宫本海峡
单晶硅主要用于制作半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅.夏普 sh8298u单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料。
单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米)及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。
单晶硅按晶体伸长方法的不同,分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ)和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜.直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。
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