在不同温度条件下采用磁控溅射法制备ITO薄膜，研究镀膜温度对ITO薄膜光电性能以及薄膜相关稳定性的影响。结果表明：随着镀膜温度的升高，薄膜的生长速率降低，在可见光区内，会使截止吸收边及峰值透过率蓝移。薄膜的方阻及电阻率，随着镀膜温度的升高而降低，在295℃薄膜方阻最小为10.82Ω/□，电阻率最低为1.210E-4Ω·cm。常温放置1年后，200过日子要有技术含量
℃以下（包含200℃）制备的ITO薄膜，其方阻变化率均在10%以上，阻值变化较大，稳定性差。大于200℃制备的ITO薄膜，其方阻变化率小于10%，其中295℃最小，变化率为1.66%。 标签：温度ITO薄膜磁控溅射平湖18楼
一、引言
嘉善团赫塔 米勒透明导电薄膜是指对波长380～780nm的可见光的光透过率高（平均光透过率TAVG>80%），导电性能好（电阻率<10-3Ω·cm）的薄膜。其种类较多，包括金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等[1]。其中ITO，AZO，FTO，IGZO等
氧化物膜占主导地位，近年来石墨烯薄膜的制备研究速度加快，但制备过程中问题不少，石墨烯薄膜關键性能指标，导电性和透明性均未达到ITO的水平。贯通伤
非接触测量
ITO铟锡氧化物薄膜是一种重掺杂、高简并n型半导体材料，因具有可见光透过率高、电阻率低、附着性好、稳定性高等优点，被广泛应用于太阳能电池、显示器、薄膜晶体管（TFT）、红外辐射反射涂层、触摸屏等[2、3]。
ITO薄膜的制备方法很多，包括溶胶-凝胶法，电子束蒸发法，直流、射频磁控溅射法，脉冲激光沉积法等[3-6]，磁控溅射法具有膜层附着性好、生长速率快、膜层均匀性好、成膜面积大、工艺可控性好、适用于大规模生产等优点，因此被广泛使用。磁控溅射法制备ITO膜的工艺研究文献较多，涉及影响ITO薄膜性能关键工艺参数：氧气含量、镀膜温度、镀膜功率、溅射压强等。
目前各行业对产品的可靠性要求越来越高，ITO薄膜在性能要求方面更为严格，不仅要求光电性能良好，均匀性及附着性好，而且要求在高温、耐酸耐碱性等特殊环境条件下电学性能的稳定性好。在ITO薄膜电学性能的稳定性研究方面，许积文博士等人研究了氧气含量对ITO薄膜电学性能及其稳定性的影响[6]。也有部分学者研究了温度对ITO膜层性能的影
响，如裴瑜等研究了基片温度和氧气流量对磁控溅射制备ITO薄膜光电学性质的影响[7]，曾维强等研究了基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响[8]，张波等研究了衬底温度对ITO
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