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美国药典
碳化硅行业定义
第一代半导体材料硅、锗和第二代半导体材料砷化镓、磷化液相比，第三代半导体材料碳化 硅因禁带宽度大、临界击穿电场强度高、电子饱和迁移速率大、电子密度高、热导率高、介 sdl
电常数低，具备高频高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等诸多优越性
能，因而能制备出在高温下运行稳定，在高电压、高频率等极端环境下更为稳定的半导体器件，是支撑固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”材料和电子元器件，可以起到减
小体积简化系统，提升功率密度的作用，在半导体照明、5G通信技术、太阳能、智能电网、
新能源并网、高速轨道交通、国防军工、不间断电源、新能源汽车、消费类电子、快充、无
线充等战略新兴领域有非常诱人的应用前景。碳化硅衬底主要有2大类型：半绝缘型和导电型。在半绝缘型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为4英寸，主要应用于信息通讯、无线电探测等领域。在导电型碳化硅市场，目前主流的衬底产品规格为6英寸，主要应用于新能源汽车、轨道交通以及大功率输电变电等领域。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，经过外延生长、器
件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件。高纯硅粉、高纯碳粉等原料合成
趋势分析
的碳化硅微粉经过晶体生长、晶淀加工形成碳化硅晶体，然后碳化硅晶体经过切割、研磨、
抛光、清洗等工序加工形成碳化硅晶片。
Q1
Q2Q3Q4棉纺织技术
第一代半导体材料
以硅材料为代表，自前主要应用于天规模集成电路中，但在光子器件和高频高功率器件
大地欢歌2009的应用上存在较大瓶颈，其性能难以满足高功率和高频器件的需求。第二代半导体材料以砷化银、锑
化钢为主的化合物半导体，这类材料己经具备了直接带隙的物理结构柔特性，抗高温和抗高压等方面更具优势，因此广泛应用于光电和射频领域。
第三代半导体材料包括了以碳化硅氮化为代表的宽共带儿含物平导体，第三代半导体的优异性能使其在半导体照明、新
能源汽军、智能电网、高速轨道交通、消费类电子等领f域有广阔的发展前景。
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