退火对双有源层TFT性能的影响

注塑工艺
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王琪,男,北京交通大学硕士研究生,研究方向光电子材料与器件
基金项目:国家自然科学基金(51772019, 51372016)资助项目
本文针对氧化物薄膜晶体管在工业应用过程中的退火温度较高、性能不足等问题,提出了双有源层氧化物薄膜晶体
管的解决方案。在液晶显示、平板显示行业起到有效的指导作用。惠普nc4400
杨白冰模式如本课题在工业中得到实现,
双有源层氧化物薄膜晶体管的结构
图2 IZO:Li薄膜的XPS图谱
续增大,源漏电流趋于稳定,器件呈现出良好的饱和特性。图3 不同退火温度下器件的输出特性曲线
网闸
能,而当温度进一步升高时,过高的温度导致薄膜的缺陷增仰光大学
图4 不同退火温度下器件的转移特性曲线黄纪宪

本文发布于:2024-09-22 01:24:05,感谢您对本站的认可!

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标签:器件   薄膜   温度   工业   氧化物
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