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退火温度对SiO2薄膜微结构和光学特性的影响

李光斗品牌营销机构Effect of Annealing Temperature on Microstructure and Optical Properties of SiO2 Films 作者：江锡顺

快递业黑名单制度作者机构：滁州学院机械与电子工程学院，安徽滁州239000

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出版物刊名：滁州学院学报王常姑

页码： 55-58页

衡阳人大代表贿选案年卷期： 2013年第2期

主题词：退火温度;SiO2薄膜；微结构；光学特性

摘要：采用射频磁控溅射技术用单晶SK（111）和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了

强壮功

不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪，紫外一可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明：退火后SiO2薄膜仍为四方结构，薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大，晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显；薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。

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标签：薄膜退火温度

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