电子科技大学
微电子与固体电子学院
杨邦朝
2009.03 成都
4.1 前言：
镀膜技术的历史
保护膜
化学镀膜
1817年减反射膜
年单层减反射膜
年双层减反射膜
蒸镀1965年三层减反射膜
1937年通用公司第一盏镀铝灯
1939年介质薄膜型干涉滤管片
1970年出现磁控溅射技术
磁控溅射1975年磁控溅射设备商品化
80年代后磁控溅射技术工业化
电阻式加热
真空蒸法电子束蒸发
（0.1eV~0.6eV ）电弧蒸发
物理气相沉积发高频感应
（PVD ）激光蒸发
气相生长分子束外延
热带雨林事件几十ev ）磁控溅射
DC 二极型
真空离子镀多阴极型
原理：ARE 型
(蒸发＋溅射) LPDD 型
医学保健
高频型……
化学气相沉积法化学反应
斯波帝卡怎么样
（CVD ）热分解
（低气压、低温、等离子体、高频、微波、激光……）
促进反应活性，提高反应效率，降低反应温度薄膜
氧化法低温氧化
（表面厚度增加）阳极氧化－电解反应－钝化层的形成
离子注入法：表面以下形成变质层（薄膜）离子能量数kev~1000kev (表面厚度不变表面改性)
气相扩散
扩散法液相扩散浓度（温度促进）
固相扩散
4.2 真空蒸发的原理
为什么需要真空：
a、λ增大，λ》源基距，淀积粒子直线运动
b、防止氧化等化学反应。W、Mo在高温下有吸附现
象, 材质脆性增大（故一般蒸发器不多次使用）
c、提高膜层质量
d、降低蒸发温度羟基自由基
优点：成膜机理比较简单，原子形态淀积（极少量高能粒子）气化、升华过程同时存在，设备比较简单，成膜速率较高。
缺点：
死人手指a、胶层附着性较差（入射粒子的动能较小）
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