shaq vs
1、光刻胶广泛应用于电子行业
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。上皮细胞
在平板显示行业；主要使用的光刻胶有彩及黑光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂覆于晶体薄膜表面，经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形。在PCB行业；主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影； 湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。干膜与湿膜各有优势，总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜，价格更低廉，正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。在半导体集成电路制造行业；主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。在大规模集成电路的制造过
程中，一般要对硅片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版）上的图形转移到硅片上。光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。
凌日按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，最后生成聚合物；光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后，发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸
酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。
在半导体集成电路光刻技术开始使用深紫外（DUV）光源以后，化学放大（CAR）技术逐渐成为行业安兵基
六陈应用的主流。在化学放大光刻胶技术中，树脂是具有化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。化学放大光刻胶使用光致酸剂（PAG）作为光引发剂。当光刻胶曝光后，曝光区域的光致酸剂（PAG）将会产生一种酸。这种酸在后热烘培工序期间作为催化剂，将会移除树脂的保护基团从而使得树脂变得易于溶解。化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍，对深紫外光源具有良好的光学敏感性，同时具有高对比度，对高分辨率等优点。
按照曝光波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300-450nm）、深紫外光刻胶（160-280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越短，加工分辨率越佳。
2、光刻胶是面板制造的重要原料
目前，在显示面板行业中，光刻胶主要应用于TFT-LCD阵列制造，滤光片制造和触摸屏制造三个应用领域。其中，TFT-LCD阵列和滤光片都是LCD面板结构的组成部分，触摸屏则是以触摸控制为目的的功能单元。
TFT-LCD技术利用半导体精确控制显示效果。TFT(ThinFilmTransistor)LCD即薄膜晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。TFT-LCD的主要特点是为每个原像素点都配臵了一个
半导体开关器件。通过控制TFT单元的电极电压，就可以使对应像三原像素点上的透光率发生变化。这样，每种原像素点的灰度都可以得到精确的控制。若每个原像素点可以有255个灰度阶数，那么三原像素点就可以构成一千六百多万种颜。这是TFT-LCD也被称为“真彩”屏幕技术的原因之一。由于TFT-LCD每个像素点都相对独立，并可以进行连续控制，所以这样的设计方法还提高了显示屏的反应速度。TFT-LCD阵列制造与半导体制造存在共通之处。TFT阵列由一系列半导体三极管控制器组成。在玻璃面板上通过沉积，光刻和刻蚀流程制造TFT三极管的过程与在集成电路上制造三极管的过程（如上一节图中所示）十分相似。因此在光刻胶的使用上，TFT 阵列构造与集成电路制造有共通的地方。其主要区别在于，TFT阵列的结构比较简单且标准化，以及TFT阵列对于尺寸的要求比先进集成电路低很多。因此一般g-line光刻胶就可以满足要求。TFT阵列正胶也是在中国首先得到发展的光刻胶产品之一。
在触摸屏应用中，光刻工艺用于ITOsensor的制造。ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡；将ITO材料按照特定的图案，涂在玻璃或者Film上，然后贴在一层厚的保护玻璃上，就得到了ITOsensor。ITOsensor是触摸屏的重要组成部分。触摸屏通过ITOsensor与ITOsensor之间的电容变化（双层ITO感应电容）或者ITOsensor与触摸屏幕的人体部位之间构成的电容变化（单层ITO表面电容）来感知触摸动作，并进而做出相对应的反应。触摸屏中ITO结构的制造需要以氧化铟锡半导体材料在基底上构造出一定的图案，因此光刻和光刻胶技术在这个过程当中同样是必不可少的。
飞行交响乐
3、PCB是光刻胶应用的场景之一
PCB光刻胶材料分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶干膜与感光油墨。二者的用途都是把底板上的线路布局图形转移到铜箔基底上，完成印刷电路板的“印刷”过程。其区别主要在于涂敷的方式。湿膜光刻胶直接以液态的形式涂敷在待加工基材的表面；干膜光刻胶则是由预先配制好的液态光刻胶涂布在载体薄膜上，经处理形成固态光刻胶薄膜后在被直接贴附到待加工基材上。
PCB用干膜与湿膜光刻胶各有特点。从总体上来说，湿膜具有分辨率高，成本低廉，显影与刻蚀速度更快等优势。因此，在PCB应用中，
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议