光刻胶剥离方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

aurita	（12）发明专利申请
aurita		（10）申请公布号 CN110854016A（43）申请公布日 2020.02.28

（21）申请号 CN201911162955.6

（22）申请日 2019.11.25

（71）申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

（72）发明人孟祥国;陆连

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人郭四华

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

光刻胶剥离方法

（57）摘要

本发明公开了一种光刻胶剥离方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成消耗层，消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于消耗层中；步骤二、在消耗层表面涂布光刻胶；步骤三、对光刻胶进行曝光显影；步骤四、以光刻胶的图形结构为掩膜完全器件工艺；步骤五、进行去胶工艺，去胶工艺包括去胶过处理，去胶过处理对光刻胶底部的影响完全位于消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；步骤六、去除所述消耗层。本发明能消除去胶过处理对半导体衬底产生不利影响，提高器件工艺的均一性，在离子注入工艺中，能提高晶圆面内有源区膜质的均一性。

俄罗斯国家形象片法律状态

林州地震

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态热解气化
2020-02-28	公开	公开
2020-02-28	公开中国博士后	公开
2020-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效