首页 > 学术百科

一种光刻方法、掩膜及光刻系统[发明专利]

专利名称：一种光刻方法、掩膜及光刻系统专利类型：发明专利

发明人：马琳，陆原

申请号：CN201811379101.9

沈阳大学国际商学院申请日：20181119

dkyy

公开号：CN109240050A

高能燃料>丙酮回收

公开日：

20190118

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开一种光刻方法、掩膜及光刻系统，该方法包括：依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。本发明提供的方案改善了现有的多层掩膜套刻的套刻误差较大的技术问题，提高了多层的对准成品率。

榆林学院图书馆

申请人：赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2208号(集中办公区)国籍：CN

代理机构：北京众达德权知识产权代理有限公司

代理人：查薇

毕达哥拉斯定理

本文发布于:2024-09-21 03:24:39，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/xueshu/34327.html

上一篇：一种光刻机系统及光刻方法[发明专利]

下一篇：改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法[发明专利]