拉曼光谱在SiC单晶中的应用作者：姜志艳来源：《数字技术与应用》麻醉剂2017年第05期 摘要：本文主要讲述拉曼光谱仪在碳化硅单晶的应用。拉曼光谱谱峰尖锐清晰，适合定性研究碳化硅单晶衬底的分子结构及组成，晶体的立体规整性，结晶与去向，晶体的表面及界面的结构。通过分析晶体的拉曼光谱，可以完善3C-SiC单晶薄膜结晶质量，进一步修正碳化硅单晶生长工艺。 关键词：Si单晶衬底；3C-SiC单晶薄膜；碳化工艺
中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1007-9416（2017）05-0107-03
碳化硅（SiC）晶体是重要的间接宽带隙半导体材料之一，具有优良的物理和化学特性，很早被证明是一种耐高温、高强度、耐磨损的应用材料，在许多领域具有重要的应用价值，已成为发展微电子和光电子技术的有重要价值的材料。SiC晶体具有多种晶型，比较常见的晶型有：立方结构（3C）、六角结构（2H，4H，三江源证券6H等）、菱形结构（15R，21R等）。
寻一种简单有效的方法对SiC晶体的晶型、生长质量进行分析，对SiC晶体的生长和应用具有十分重要的意义。显微拉曼技术可以有效选定SiC晶片的测试区域，范围误差达到微米量级，是分析晶体结构和生长质量的有力的工具。
晶体中的拉曼散射过程可以利用声子散射束表述，声子散射满足能量和动量守恒。声子就是指格波的能量量子。它的能量等于hwq。一个格波，也就是一种振动模，称为一种声子，当这种振动模处于 （施慧达
nq+1/2） hwq本征态时，称为有tftlcd接口
nq个声子，nq为声子数。当光子与晶格振动相互作用时，交换能量以hwq为单元，若光子从晶格获得hwq能量，称为吸收一个声子，若光子给晶格hwq能量，称为发射一个声子。散射过程中声子的动量是很小的，即发生散射的声子所对应的波矢k接近于零（靠近布里渊区的Γ点）。如果散射过程有多个声子参加，就要考虑所有参加声子的总能量和动量，这时可能观测到的散射声子不在阳性克隆
Γ点（如二级拉曼散射）。
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