CSN 35 8971-1984是一个半导体器件相关的标准，该标准描述了掩膜基件和掩膜中特征参数的测量方法。根据标准，以下是一些可能的特征参数和对应的测量方法： 荒芜的花园掩膜尺寸测量：测量掩膜的尺寸，包括长度、宽度和厚度等。可以使用显微镜或影像测量系统来进行测量。市舶司
833uu掩膜线宽测量：测量掩膜中线的宽度，该参数对于半导体器件的制造非常重要。可以使用光刻测量设备或扫描电子显微镜（SEM）等方法来进行测量。 掩膜间距测量：测量掩膜中不同线之间的间距。可以使用光刻测量设备或SEM等方法进行测量。
任秀娟>人口模型掩膜边缘平直度测量：测量掩膜边缘的平直度，以确保良好的图形定义。可以使用光刻测量设备或形貌测量仪等设备进行测量。
掩膜材料成分分析：分析掩膜材料的成分，以确定其质量和纯度。可以使用化学分析方法，如能谱分析（EDX）或质谱分析等。
掩膜光学特性测量：测量掩膜的光学特性，例如透射率、反射率和折射率等。可以使用光学测量设备，如分光光度计或椭偏仪等。
以上仅列举了一些可能的特征参数和测量方法，实际的测量方法可能因具体的半导体器件和掩膜类型而有所不同。
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