IBIS 理解說明
--謹以此文獻給初學SI 的艱苦歲月l-苯丙氨酸 IBIS 模型在做類似板級SI 仿真得到廣泛應用。在做仿真的初級階段，經常對於ibis 模型的描述有些疑問，只知道把模型拿來轉換為軟體所支援的格式或者直接使用，而對於IBIS 模型裏面的資料描述什麼都不算很明白，因此下面的一些描述是整理出來的一點對於ibis 的基本理解。在此引用很多presention來描述ibis 內容（有的照抄過來，阿彌陀佛，不要說抄襲，只不過習慣信手拈來說明一些問題），僅此向如muranyi 等ibis 先驅者致敬。本文難免有些錯誤或者考慮不周，隨時歡迎進行討論並對其進行修改！ IBIS 模型的一些基本概念
IBIS 這個詞是Input/Output buffer information specification 的縮寫。本文是基於IBIS ver3.2 所撰寫出來（/IBIS/可下載到各種版本spec）,ver4.2增加很多新特性，由於在目前設計中沒用到不予以討論。。。
在業界經常會把spice 模型描述為transistor model 是因為它描述很多電路細節問題。而把ibis 模型描述為behavioral model 是因為它並不象spice 模型那樣描述電路的構成，IBIS 模型
描述的只不過是電路的一種外在表現，象個黑匣子一樣，輸入什麼然後就得到輸出結果，而不需要瞭解裏面驅動或者接收的電路構成。因此有所謂的 garbage in, garbage out，ibis 模型的仿真精度依賴於模型的準確度以及考慮的worse case，因此無論你的模型如何精確而考慮的worse case 不周全或者你考慮的worse case 如何周全而模型不精確，都是得不到較好的仿真精度。 IBIS 模型的構成 經典示意圖如下： 從上圖可以看出，基本的IBIS模型包括如下的一些資訊（對於不同類型的model有一些資訊會省略掉）VI 曲線: Pullup & Pulldown &POWER clamp& GND clampVT曲線: Rise waveform, Fall waveform 還有一些其他比較重要的資訊比如Die capacitance: C_comp（最近好像那個muranyi對這個很感興趣，一直發佈presentation討論怎麼把這個做的更精確）以及RLC package parameter。至於一些基本的輸入以及使能資訊會在軟體設置自動生成，不需要我們多關注。對於於ibis模型長什麼樣子，大家去micron主頁 ddr2 sdram模組下載幾個io buffer看看是什麼樣。希望你先看看長啥樣再看下面的一些說明。 IBIS 的應用場合
任何電路都可以用下面的模型（好像是Shannon 模型我不知道。。。）來描述
Driver -------------interconnect------------------Receiver
注意IBIS 模型描述的是Driver/Receiver 的行為特性而並不是它們的電路特性，因而內部的一些邏輯延時是沒有考慮的（在此你就該好好明白為啥要區分Tco的概念），通過使用IBIS 模型，從而得出interconnect 對於電路的影響。在目前一些使用ibis model 仿真的軟體中，在Cadence 裏面，ibis 模型是轉換為dml 格式，在Hyperlynx 裏面直接調用ibis 模型。由於ibis 支援的buffer type 很多，每個類型都會有對應的格式以及需要包含的資訊，常用有output, input 以及IO 模型，至於其他的模型，大家可以參照ibis 說明，有些些微的差異。
IBIS 模型中vi/vt 曲線的由來
广丰县教育局有大牛的示意圖形，不多說
Pull down 曲線由來（此曲線需要考慮與clamp 曲線重複的部分）
Ground clamp 曲線由來
Pull up 曲線由來（此曲線需要考慮與clamp 曲線重複的部分）
Power clamp 曲線由來
邯郸市第二十六中学
注意：ibis 裏面定義電流流入方向為正；在此圖中pull up 以及power clamp 曲線都沒經過轉化（傳說的vcc relative 沒出現，^_^，使用Vcc relative 從目前得到的解釋是模型可以應用在相容電壓模式，舉個例子2.5v 相容3.3V 的器件，2.5v 和3.3v 工作狀態下可以使用相同的模型而不用建立兩模型描述單個器件）
IBIS 模型在軟體中的應用
目前高速信號軟體大部分都是spice-compatible 軟體，而且很多都內嵌field solver分析傳輸線，因而在仿真中勢必會把ibis 模型的資訊轉換成spice 資訊來使用，來看看ibis 模型是如何轉換成spice 資訊使用的。看下如下的示意圖，
當外接fixture，此部分電路可以直接在spice 中求解
但是VI 曲線僅僅描述的是DC 狀態，那麼在ibis 模型中描述瞬態的vt 曲線如何
轉換值得商討，看以下的等效圖
激光戒烟
可以得出等式：－Iout=Ku*Ipu+Kd*Ipd+Ipc+Igc
如果rising/falling waveform 只有一曲線，比如VCC+Rfixture，可假設
得方程
除铁
如果有兩曲線，比如VCC/GND+Rfixture，Ku 與Kd 獨立解出，從而可以得出仿真的瞬態曲線
比較有趣的問題
美乐托宁 Vi/Vt 曲線的匹配（參考hyperlynx 的幫助）
對 於falling waveform R_fixture=50 Ohms and V_fixture=3.3V負載線與pull up 曲線交界為falling waveform 起始點，與pull down 曲線交界為falling waveform 終點（始終記住pull up 是Vcc relative 需要轉換）
對於Rising waveform R_fixture=50 Ohms and V_fixture=3.3V
負載線與pull down 曲線交界為rising waveform 起始點，與pull up 曲線交界為rising waveform 終點
Package model 的應用
在ibis 裏面有三個地方可以使用package model
A， [Pin] 語句裏面，描述的是local package 參數，只有typ 值
B， [Package]語句裏面，描述的是global package 參數，有slow/typ/fast 取值
C， [Define Package Model]裏面，描述的是local package 參數，能帶傳輸線，只有typ 值
Ramp 數值由來
測量vt 曲線
dv=（80％－20％）*（Vmaximum－Vminimum）
dt= t [80％*（Vmaximum－Vminimum）]- t [20％*（Vmaximum－Vminimum）]
總結
1，很多人告訴我說想驗證ibis 模型，比較好玩，實際上你用軟體檢查後你會發現很少有其他事情我們可以做的。。。畢竟，你不是做晶片的，不要扁我！對於有問題的ibis 模型，我們有辦法做什麼事情麼？沒有，但你一定要知道問題在那兒，滅那些晶片的而不用被他
們嘲笑，哈哈。
2，關於ibis 的發展前途，從目前發展趨勢，它的歸宿只有兩個:
a 由於自動化的需要，遲早要成為一個編程語言，哈哈，又多一個求生的飯碗，大家快去學。。。
b 不要高興太早，它有可能語法太龐大複雜最終被其他取代。。。
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