SM8013B是一个高性能的电流型PWM控制芯片，通过驱动外部高压MOSFET管，组成大功率的开关电源。它有很小的启动电流和工作电流，保证较低的待机功耗和很高的工作效率。通过调整外围器件，改变PWM工作频率，使之满足各种客户的需要。空载或者轻载的情况下，芯片会降低PWM工作频率（>22KHz），从而进一步降低开关损耗。 SM8013B还拥有性能优异的过电流保护（OCP）、过载保护（OLP）、芯片VDD过压嵌位和欠压锁定功能（UVLO）。同时芯片驱动输出最大电压保持在18V，保证外部高压MOSFET管安全可靠的工作。内部抖频功能，保证电源系统有很好的EMI性能。 丝光沸石
二、特说明：
1.外围电路元件少，成本低
2.很低的待机功耗（AC240V，功耗小于0.3W）
3.过流保护、过载保护
4.优异的芯片过压嵌位和欠压锁定功能(UVLO)
5.封装格式： SOT23-6、SOP8、 DIP8
6.很小的启动电流（5μA）和很小的工作电流（2mA）
7.通过调整外围电阻，改变开关频率。
8.驱动输出电压小于18V，保护高压MOSFET管
三、应用：
数控回转工作台设计1.各种电池充电器，适配器等
2.DVD、VCD、机顶盒等各种电源
3.通用离线式开关电源系统
四、内部功能简单框图：
图一：芯片内部功能框图。
五、封装示意图
图二
六、管脚说明
名称功能说明
VDD 芯片电源
GND 芯片地
FB 反馈输入脚。PWM占空比变化取决于FB和SENSE脚的输入
电压
RI PWM振荡频率设置脚。通过调节连接在RI和GND之间的电
阻来改变PWM频率。
SENSE 电流检测输入脚。
GATE 标识电极的门驱动电源MOSFET的输出
七、元件参数
极限参数（TA= 25℃）
符号说明范围单位
腓骨小头VDD 芯片工作电压 <23
V VDD clamp芯片嵌位电压 VDD＋0.1 V
IDD clamp芯片嵌位电流 10
mA V FB FB输入电压－0.3——7 V
V RI RI电压－0.3——2 V
T j结温 -20——150 ℃
T stg存储温度 -55——160 ℃
八、电气工作参数
（除非特殊说明，下列条件均为T A=25℃）
范围
符号说明条件
最小典型最大
单位芯片工作电压部分
IDD start芯片启动电流
VDD＝12.5V，
RI＝100KΩ 5
10
μA
IDD op芯片工作电流
VDD＝16V，
RI＝100 KΩ
2.8 mA UVLO(ON)VDD低压锁定电压7.6 8 8.6
V UVLO(OFF)VDD低压锁定恢复电压13 14 15 V
VDD clamp VDD嵌位电压Idd＝5mA 22.6 V FB输入部分
A vcs PWM输入增益△V FB/△V CS 2.0 V/V V FB(open)FB开环电压 6 V I FB(short)FB短路输出电流 1.4 mA Z F
B FB输入阻抗 6 KΩ
V TH_0D0占空比阀值电压
VDD＝16V，
RI＝100 KΩ
0.75 V
V TH_PL过功率阀值电压 3.7 V
TD 过载或者短路延迟时
间
35 ms
SENSE输入部分
T d上电延迟时间RI-100 KΩ 300 ns Z sense输入阻抗 40 KΩ
T oc过流反应延迟时间
VDD=16V,
FB=3.3V
75 ns
V TH_OC 过流检测输入阀值电
压
FB＝3.3V，
RI＝100 KΩ
平凡见证伟大0.70 0.75 0.80 V
振荡部分
F osc RI-100 KΩ60 65 70
汉文化与筷子
KHz RI range50 100 150
KΩV RI（open）RI开环电压 2 V F osc（burst）Burst模式振荡频率
VDD＝16V，
一个小村庄的故事教学设计RI＝100 KΩ
22 KHz GATE驱动输出部分
VOL 输出低电平电压
VDD＝16V，
Io＝-20mA 0.8
V
VOH 输出高电平电压
VDD＝16V，
Io＝20mA
10 V V clamp输出嵌位电压 20 V Tr
VDD＝16V，
CL＝1nF
220 ns Tf
VDD＝16V， 70 ns
CL ＝1nF
频率抖动部分
△Fosc
RI=100 K Ω -3 3
%
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