唐 武1，邓龙江1，徐可为2，Jian Lu3
(1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川中国足健会
成都 610054) (2. 西安交通大学，陕西 西安 710049)
金属电阻形成的根源是自由电子发生碰撞，从而失去了从外电场获得的定向速度。这种碰撞可能发生于电子-晶格、电子-杂质、电子-晶界、电子-石门一中校长苏光表面。在块体材料中，电子-表面碰撞的次数在总的碰撞次数中所占比率极小，可以忽略，因而块体材料的电阻率与物体尺寸无关。但对薄膜而言，当其表面特征尺寸可与该温度下电子自由程相当时，电子-薄膜的表面碰撞为非镜面反射（即反射方向与入射方向无关，亦即漫反射），电阻率就会随表面状态改变。 车辆排队长度在薄膜材料中，由于厚度很小，所以在电子表面碰撞过程中的电子损失速度不可忽略。由此对薄膜材料的电阻率造成影响。
通常情况下电阻率随粗糙度的增大而增大。
法奇斯(Fuchs)．桑德海默尔(Sondheimer)理论:F-S
式（1）是在假设薄膜电子完全发生漫反射时的电阻率。实际情况下反射率与基底粗糙度有
战栗者关，粗糙度越大，发生漫反射比例越高，当表面粗糙度为0或者镜面时，将发生完全镜面反射，此时根据式（1）可得到薄膜电阻与块状电阻率相等的关系。设镜面反射所占比例为P，则此时薄膜电阻率表达式为:
研究粗糙度对薄膜电阻率的影响：
大运高速电阻率随残余应力的增大而增大。与晶体取向可能有关。残余应力增加，薄膜晶体扭曲越严重，晶体对电子造成的散射越显著。
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