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一种三氧化钨纳米线电致变薄膜的制备方法[发明专利]

专利名称：一种三氧化钨纳米线电致变薄膜的制备方法专利类型：发明专利

碳纤维复合材料飞燕外传txt下载发明人：尹伊，朱皓宇，吴涛

申请号：CN202110616860.8

申请日：20210603

公开号：CN113549882B

公开日：

20220614

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专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开一种WO3纳米线电致变薄膜的制备方法，应用于电致变材料与器件领域，针对现有磁控溅射方法制备的薄膜结构致密平滑，与电解液有效接触面积小，使得电致变器件性能难以进一步提高的问题；本发明以氧化铟锡(ITO)覆盖的玻璃为基片，将银靶和钨靶分别放置在直流靶位和射频靶位，利用共溅射镀膜技术，通过银诱导生长出WO3纳米颗粒；利用反应溅射镀膜技术，通过钆掺杂在WO3纳米颗粒上生长出纳米线结构。WO3纳米线结构薄膜相比WO3致密薄膜明显改善了电致变性能。

申请人：电子科技大学

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

何处寻真相

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本文发布于:2024-09-24 14:26:39，感谢您对本站的认可！

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