等离⼦体源（plasma sources）的原理及应⽤ 长江三峡水利枢纽安全保卫条例R&R公司同时提供等离⼦体源以及等离⼦体源相关的刻蚀、薄膜沉积设备。其等离⼦体源主要分成平⾏平板等离⼦体源、微波等离⼦体源以及ICP⾼频等离⼦体源。苄基三乙基溴化铵
平⾏平板等离⼦体源（电容耦合）
气液分离器电容耦合等离⼦体源采⽤直径300mm的两圆型平⾏平板作为上下电极，平板间距离从30mm到100mm可调。射频电源频率为13.56 MHz，通过配⽹耦合到上下极板上。样品采⽤电阻式加热，最⾼加热温度600℃，均匀性较好；为了获得更均匀的⽓场，上极板采⽤淋浴头型多孔结构。
微波等离⼦体
微波等离⼦体的放电原理与微波离⼦源基本相同，也同样可以利⽤微波电⼦回旋共振(ECR)技术来维持对反应⽓体的辉光放电，对控制薄膜的成分和镀 膜内应⼒的较为灵活，它具有运⾏⽓压低(10-1 Pa量级)、等离⼦体密度⾼(1011～1012 cm-3)、电离度⾼(约10%)、反应粒⼦活性⾼、离⼦能量低、⽆⾼能粒⼦损伤、且⽆内电极放电、没有污染、磁场约束、减少等离⼦体与反应室壁的相互作⽤、薄膜杂质含量少等许多其它⼯艺⽆法相⽐的优点，因⽽具有低温下制备均匀、致密、光滑、纯净的⾼品质功能性薄膜的巨⼤潜⼒。
仙企鹅>弓形虫抗体
电感耦合(ICP)⾼频等离⼦体
利⽤电感耦合⾼频等离⼦体（ICP）装置由⾼频发⽣器和感应圈、辉光放电管和供⽓系统、试样引⼊系统三部分组成。⾼频发⽣器的作⽤是产⽣⾼频磁场以供给等离⼦体能量。当有⾼频电流通过线圈时，产⽣轴向磁场，这时若⽤⾼频点⽕装置产⽣放电，形成的离⼦与电⼦在电磁场作⽤下，与原⼦碰撞并使之电离，形成更多的载流⼦，当载流⼦多到⾜以使⽓体有⾜够的导电率时，在垂直于磁场⽅向的截⾯上就会感⽣出流经闭合圆形路径的涡流，强⼤的电流产⽣⾼热⼜将⽓体加热。感应线圈将能量耦合给等离⼦体，并维持等离⼦辉光放电。
等离⼦体源的应⽤
反应离⼦刻蚀RIE阿基米德分牛
反应离⼦刻蚀：这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作⽤。辉光放电在零点⼏到⼏⼗帕的低真空下进⾏。基⽚处于阴极电位，放电时的电位⼤部分降落在阴极附近。⼤量带电粒⼦受垂直于硅⽚表⾯的电场加速，垂直⼊射到硅⽚表⾯上，以较⼤的动量进⾏物理刻蚀，同时它们还与薄膜表⾯发⽣强烈的化学反应，产⽣化学刻蚀作⽤。选择合适的⽓体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表⾯附近的扩散所能造成的侧向反应，⼤⼤提⾼了刻蚀的各向异性特性。反应离⼦刻蚀是超⼤规模集成电路⼯艺中很有发展前景的⼀种刻蚀
⽅法。
等离⼦体增强化学⽓相沉积PECVD
基于辉光放电⽅法的PECVD技术，能够使得反应⽓体在外界电磁场的激励下实现电离形成等离⼦体。在辉光放电的等离⼦体中，电⼦经外电场加速后，其动能通常可达10eV甚⾄更⾼，⾜以破坏反应⽓体分⼦的化学键，因此，通过⾼能电⼦和反应⽓体分⼦的⾮弹性碰撞，就会使⽓体分⼦电离（离化）或者使其分解，产⽣中性原⼦和分⼦⽣成物。正离⼦受到离⼦层加速电场的加速与上电极碰撞，放置衬底的下电极附近也存在有⼀较⼩的离⼦层电场，所以衬底也受到某种程度的离⼦轰击。因⽽分解产⽣的中性物依扩散到达管壁和衬底。这些粒⼦和基团（这⾥把化学上是活性的中性原⼦和分⼦物都称之为基团）在漂移和扩散的过程中，由于平均⾃由程很短，所以都会发⽣离⼦-分⼦反应和基团-分⼦反应等过程。到达衬底并被吸附的化学活性物（主要是基团）的化学性质都很活泼，由它们之间的相互反应从⽽形成薄膜。
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