MCNP源定义
(1)SDEF常用的选项卡
SDEF常用的选项卡有
X
Y
Z 抽样位置的X坐标
抽样位置的Y坐标
抽样位置的Z坐标无X
无Y
无Z
ERG 源粒子能量 (MeV) 14MeV TME 初始时间 (shake=1e-8s) 0
WGT 源粒子权重 1
PAR 特殊类型源 1 MODE N或N P或N P E为中子
2 MODE P或P E为光子
3 MODE E为电子
指数分布
a. 100 keV各向同性中子点源，位于(3, 5, 19)。 sdef X=3 Y=5 Z=19 ERG=0.1 PAR=1
b. 14 MeV 各向同性光子点源，位于(8, 2.112, 0)，发射时刻为 t = 1000 shakes(10ns)。
sdef X=8 Y=2.112 TME=1000 PAR=2
三聚氰胺甲醛树脂
c. 14 MeV 各向同性中子点源，位于(0, 0, 0)，发射时刻为0时。
sdef
(2)SIn、SPn、Dn卡的使用
sdef X=D1
1. 变量取值在每个计数箱内是等概率分布(柱形)。语法如下：SI1 H x0 x1 x2 x3新华月报
SP1 0 0.30 0.22 0.48
科技创新2. 变量值只能取分立的点。语法如下：
SI1 L x0 x1 x2
SP1 0.30 0.22 0.48
3. 变量值的概率在计数箱内线性分布，在计数箱内可以线性插值得到。语法如下：
SI1 A x0 x1 x2 x3
SP1 p0 p1 p2 p3
4. 预定义的概率分布（SPn源概率卡）
源变量函数号f 参数函数名函数形式
ERG -2 a Maxwell裂变谱 P(E)=CE1/2exp(-E/a)
ERG -3 a b Watt裂变谱 P(E)=C exp(-E/a)sinh(bE)1/2
ERG -4 a b Gaussian聚变谱 P(E)=C exp[-((E-b)/a)2]
ERG -5 a Evaporation谱 P(E)=CE exp(-E/a)
ERG -6 a b Muir速度Gaussian聚变谱 P(E)=Cexp-((E1/2-b1/2)/a)2 axDIR、RAD或EXT -21 a 幂指数 P(x)=C
DIR或EXT -31 a 指数 P(x)=Ceax
TME -41 a b 时间的Gaussian分布 P(t)=Cexp[-(1.665(t-b)/a)2]
语法为SPn f a b
好大一片天SIn、SPn、Dn卡的一些例子，各向同性源
d. 100 keV各向同性中子线源，y=5, z=19，x为0~7之间的均匀分布
sdef X=D1 Y=5 Z=19 ERG=0.1 PAR=1
si1 H 0 7
sp1 0 1
e. 各向同性中子裂变源，位于x=2.2，y=7，z为3~5之间的均匀分布，67%发生在1000shock时刻，33%在3000shock时刻
sdef X=2.2 Y=7 Z=D1 ERG=D2 TME=D3 PAR=1
si1 H 3 5
sp1 0 1
sp2 -2
si3 L 1000 3000
sp3 0.67 0.33
(3) 各向异性源
以上是各向同性源的例子，各向异性源需要用到SDEF的另外两个选项
卡
变量意义缺省值
在-1至1之间均匀分布表示飞行方向(UUU VVV WWW)和VEC夹角(极角)的余弦值。体源: DIR (各向同性)
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