第5章 常用半导体元件 习题
一、填空题：
1．半导体材料的导电能力介于 和 之间，二极管是将 封装起来，并分别引出 和 两个极。
2．二极管按半导体材料可分为 和 ，按内部结构可分为＿ 和 ，按用途分类有 、 、 四种。
3．二极管有 、 、 、 四种状态，PN结具有 性，即 。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度 ，测量反向电阻时，指针偏转角度 保险电子商务。 5．使用二极管时，主要考虑的参数为 和 二极管的反向击穿是指 。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是 型和 型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。 8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 现象。 泌尿外科学
9．利用万用表测量二极管PN结的 电阻值，可以大致判别二极管的 、 和PN结的材料。
二、选择题：
1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7V B. 0.2-0.7V 0.3-0.6V
C.0.6-0.7V 0.2-0.3V D. 0.1-0.2V 0.6-0.7V
2. 判断右面两图中，UAB的大小为( )。
A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V
C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V
3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（ ）Ω档。
A.1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D. 1×105
4. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定
5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻 B. 很大电阻 C.短路 D. 开路
6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（ ）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路
7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）
A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定
8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（ ）偏置接法。
A．正向 B．反向 C．零
9．二极管正向导通的条件是其正向电压值（ ）。
A．大于0 B．大于0.3V
C．大于0.7V D．大于死区电压
10．点接触型二极管比较适用于（ ）。
A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关
11．面接触型二极管比较适用于（ ）。
A．大功率整流 B．高频检波 C．小电流开关
刘维尔12．当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（ ）。
A. 很小电阻 B. 很大电阻 C.短路 D. 开路
三、判断题：
1．由P型半导体引出的电极是二极管的正极。（ ）
2．硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（ ）
3．二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。（ ）
4．用万用表不同的电阻档测量正反向电阻，读数是不同的。（ ）
5.一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（ ）
6．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过。（ ）
7．当二极管的电流—电压关系特性可大概理解为正向导通、反向截止的特性。（ ）
8．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。（ ）
9．当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。
10．利用二极管的正向特性较陡的特点也能起到稳压作用。（ ）
11．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。（ ）
12．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的电流还会随环境温度的改变而改变。（ ）
四、简答题
1．如何用万用表测量一个没有标明极性的二极管，并判断为何种材料制成以及质量好坏。
2. 分析与判断：如图所示，VD均为理想二极管，试判断二极管的工作状态并求U0。
3、根据下图所示的电路，输入电压为Ui，若开关S在t1时刻闭合，在t2 时刻断开，试画出负载电压UL波形。
5.2 三极管
一、填空题：
1、半导体三极管是由 极 极 极三个电极， 结 ___________结两个PN结构成。
2、要使三极管具有电流放大作用，发射结必须加 电压，集电结必须加 电压。
3、三极管按其内部结构分为 和 两种类型
4、三极管三个电极的电流存在 关系。
5、三极管有三个工作状态，即 、 和 状态， 状态具有放大作用。
6、三极管工作在截止状态时，相当于开关 ；工作在饱和状态时，相当于开关 。
7、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性较为复杂，可分为放大区外，还有 区和 区。
8．晶体管接材料分为_____________和_____________两种，按PN结的组成方式分为_____________和__________两种，晶体管有三个极，分别为___________、___________、和____________，它有___________PN结，分别为_____________和_
____________。
9.晶体管具有_________、__________、_________三种状态，它们各自的条件是_____________、_____________、_____________。
10．晶体管的电流放大作用，是通过改变_____________电流来控制_________电流的，其实质是以_____________的变化来控制___________________变化。
11．晶体管各极之间的电流分配关系式为_____________，且三者的大小取决于_____________的变化，晶体管的放大系数β=__________＿＿＿。
12．晶体管饱和时，如同一个开关处于_____________状态，相当于_________，晶体管截止状态时，相当于处于_____________2007女足世界杯状态，相当于_________。，
13．在模拟电路中，晶体管主要工作在_____________状态，在数字电路中，晶体管主要工作在_____________和_____________状态。
14．硅晶体管和饱和电压降为__________V，锗管的饱和电压降为____________；当晶体管的电流放大系数太大时，会使晶体管的性能_____________。
15．晶体管的穿透电流ICEO是在基极开路时，由_____________流向_____________＿的电流，它随温度的增高而_____________。
二、选择题：
1、三极管作放大管时一般工作在（ ）。
A.放大区 B. 截止区 C. 饱和区
2、一三极管三个极的对地电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ）。
A. 放大区 B. 饱和区 C.截止区
3、一三极管三个极的对地电位分别是6V，5.4V，9V，则该管是（ ）。
A. NPN硅管 B. NPN锗管 C.PNP硅管
4、下列是三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管为 。
A.VB=0.7V VE=0V VC=0.3V
B.V紧箍咒口诀B=-6.7V VE=-7.4V VC=-4V
C.VB=-3V VE=0V VC=6V
5. NPN的管型的IE方向是( )。
A. IE 向管内 B. IE 管内可向管外
C. IE 向管外 D.均不对
6. NPN型晶体管处于放大状态，三个管脚的电压为V1=3V，V2=8V，V3=2. 7V，则三个管脚分别是( )。
A. C B E B. B C E C. B E C D. E B C
7. PNP型晶体管，VB=-4.7V VE=-4V VClg mp3=-4.3V 管子处于 ( )状态。
A.饱和 B. 放大 C.截止 D. 不定
8. 晶体管工作在( )状态时，IC=βIB 才成立。
A.饱和 B. 放大 C.截止 D. 所有
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