田民波《电子封装》习题选解

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杨宗胜田民波《电子封装》习题选解（期末考试版）

2010年6月12日制作

杨汇泉

材料科学与工程系刘若晴2007011980

刘若晴博客blog.sina/liurq07，如需更多资料可

在博客上给我发纸条，告知你的邮箱。

说明：从清华大学材料科学与工程系田民波教授《电子封装》72道习题中选择一部分

我认为很可能考试的题目汇集成幻灯片，供应付电子封装课程期末考试所用。根据田

民波教授考前划定的范围，17、19、20、29、30、35、45、46、48、52、53、58、59、

粘着剂

61、62、63、64、69、70、71、72题不考。

•ALIVH Any Layer Inner Via Hole Structure 任意层内互联孔结构•BBit Buried Bump Interconnection Technology 埋置凸点互联技术•BGA Ball Grid Array 球栅阵列封装

•CSP Chip Scale Package 芯片级封装载荷步

•FCA Flip Chip Attach 倒装芯片封装

•FCB Flip Chip Bonding 倒装焊微互联

•HTCC High Temperature Cofired Ceramics 高温共烧陶瓷

•ILB Inner Lead Bonding 内侧引线键合

•LSI Large Scale Integration 大规模集成电路

•OLB Outer Lead Bonding 外侧引线键合

•PCB Printed circuit board 印制电路板

•PCVD Plasma Chemical Vapour Deposition 等离子体化学气相沉积•PDP Plasma Display Panel 等离子体显示板

•QFD Quad Flat Package 四侧引脚扁平风阻昂•RCC Resin Coated Copper 涂树脂铜箔

•SiP System in a Package 封装内系统（系统封装）•SoC System on a Chip 芯片上系统（系统集成）•SMD Surface Mount Devices 表面贴装元件

•SMT Surface Mount Technology 表面贴装技术•TAB Tape Automatic Bonding 带载自动键合

电子加速器•TFT Thin Film Transistor 薄膜三极管

•UBM Under Bump Metal 凸点下金属

•ULSI Ultra Large Scale Integration 超大规模集成电路•WB Wire Bonding 引线连接

7.请比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。•干法刻蚀优点：各向异性好，选择比高，

可控性、灵活性、重复性好，细线条操作

安全，易实现自动化，无化学废液，处理

过程未引入污染，洁净度高。

•干法刻蚀缺点：成本高，设备复杂。

•湿法刻蚀优点：选择性好、重复性好、生

产效率高、设备简单、成本低。

•湿法刻蚀缺点：钻刻严重、对图形的控制

性较差，不能用于小的特征尺寸，会产生

大量的化学废液。

11.比较真空蒸镀、磁控溅射、等离子化

学气相沉积（PCVD）的工艺特征•从气氛压力、材料供给（方法）、材料温度、基板温度和材料、膜面积、膜厚、膜厚控制、析出速度、附着性、外延特性、可应用的对象、激发介质等方面进行比较。•参考田民波《电子封装工程》清华大学出版社2003年9月版，145页

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标签：封装电子化学

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