发展微电子封装技术，旨在使系统向小型化、高性能、高可靠性和低成本目标努力，从技术发展观点来看，作为微电子封装的关键技术主要有：TCP、BGA、FCT、CSP、MCM和三维封装。
01、带载封装雾津
带载封装(TCP)，是在形成连接布线的带状绝缘带上搭载LSI裸芯片，并与引线连接的封装。与QFP相比，TCP的引线间距可以做得更窄，而且外形可以做得更薄，因此，TCP是比QFP更薄型的高密度封装，它在PCB板上占据很小的面积，可以用于高I/O数的ASIC和微处理器。
02、栅阵列封装
栅阵列封装(BGA)，是表面安装型封装的一种，在印刷电路基板的背面，二维阵列布置球形焊盘，而不采用引线针脚。在印刷电路板的正面搭载LSE芯片，用模注和浇注树脂封接，可超过200针，属于多针的LSI用封装。封装体的大小也比QFP小。而且BGA不像QFP，不用担心引线的变形。
03、倒装芯片技术
倒装芯片技术(FCT)，是将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。这种方式能提供更高的I/O密度。它的主要优点是：外形减小尺寸。提高电性能。高的I/O密度。良好散热性。改善疲劳寿命，提高可靠性。裸芯片的可测试性。
04、芯片规模封装
芯片规模封装(CSP)，主要有适用于储存器的少引脚CSP和适用于ASCI的多引脚CSP，具体为芯片上引线(LOC)、微型球栅阵列(MBA)和面阵列(LGA)。它的主要优点是：容易测定和老化，易于一次回流焊接等安装以及操作简便。
05、多芯片模式
氢键多芯片模式(MCM)，是指多个半导体裸芯片表面安装在同一块布线基板上。按基板材料不同，分为MCM-L、MCM-C、MCM-D三大类。
MCM-L是指用通常玻璃、环氧树脂制作多层印刷电路基板的模式。布线密度高而价格较低。
MCM-C通过厚膜技术形成多层布线陶瓷，滨海高以此作为基板。布线密度比MCM-L高。
MCM-D通过薄膜技术形成多层布线陶瓷或者直接采用Si、Al作为基板，布线密度最高，价格也高。
06、三维(3D)封装
三维封装，即是向空间发展的微电子组装的高密度化。它不但使用组装密度更高，也使其功能更多、传输速度更高、功耗更低、性能及可靠性更好等。
0x0C、微电子封装的发展趋势
21世纪的微电子封装概念已从传统的面向器件转为面向系统，即在封装的信号传递、支持载体、热传导、芯片保护等传统功能的基础上进一步扩展，利用薄膜、厚膜工艺以及嵌入工艺将系统的信号传输电路及大部分有源、无源元件进行集成，并与芯片的高密度封装和元器件外贴工艺相结合，从而实现对系统的封装集成，达到最高密度的封装。
在电子封装，特别是先进IC封装如QFP、BGA、CSP、MCM等基础上，电子封装已经出现并继续发展着，表现出以下几种趋势：
01、电子封装将由有封装向少封装和无封装方向发展；
02、电子封装技术继续朝着超高密度的方向发展，出现了三维封装、多芯片封装（MCP）和系统级封装（SIP）等超高密度的封装形式
03、电子封装技术继续从单芯片向多芯片发展，除了多芯片模块（M C M）外还有多芯片封装（MCP）、系统级封装（SIP）及叠层封装等；
04、电子封装技术继续向高性能、多功能方向发展，高频、大功率和高性能仍然是发展的主题；
新课程理论05、芯片直接贴装（DAC）技术，特别是其中的倒装焊（FCB）技术将成为微电子封装的主流形式；
06、三维（3D）封装技术将成为实现电子整机系统功能的有效途径；
07、电子封装技术向高度集成化方向发展，出现了板级集成、片级集成和封装集成等多种高集成方式；
08、电子封装技术从分立向系统方向发展，系统级封装（SOP或SIP）将成为新世纪重点发展的微电子封装技术。一种典型的SOP一一单级集成模块（SLIM）正被大力研发；
09、电子封装技术继续朝着超小型的方向发展，与芯片尺寸大小相同的超小型封装形式——圆晶级封装技术（WLP）技术将高速发展。
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