【实验数据记录与分析】
可调光源电流I/mA | 20 | 40 | rtiyishu60 | 80 | 100 | 120 | 140 | 160 | 180 | 200 |
| 0.04 | 0.10 | 0.20 | 1.95 | 7.03 | 13.3 | 20.1 | 27.5 | 35.4 | 43.1 |
可调光源电流I/mA | 220 | 240 | 260 | 280 | 300 | 320 | 340 | 360 | 380 | 400 |
808nmLD激光光功率P/mW | 49.0 | 53.7 | 59.0 | 63.9 | 69.5 | 75.4 | 82.1 | 91.2 | 苏州史记> 101.3 | 110.5 |
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将数据导入Origin8.5,并拟合为平滑曲线如下:
图4 实验测得LD的PI特性曲线
由激光原理可知:工作物质一定时,LD输出激光频率与谐振腔长度和激励源强度有关,即输出频率取决于PN结温度和注入电流大小。
一般半导体激光器的发光特性如图5所示。可以看出在温度一定时,驱动电流低于阈值电流(门限电流)时,激光器输出功率趋近于零,此即为LD荧光区;只有当驱动电流高于阈值电流时才能产生激光,即为激光区,在这个区域内,输出功率随电流I的增大而迅速呈似线性式增大。
图5 半导体LD一般PI特性曲线
对比图5,从图4可看出实验测得PI曲线大致符合理论,一定程度说明数据正确性。可容易看出实验所用808nmLD的门限电流大致在70mA左右。
在激光区的线性拟合度不是很高,尤其在220mA附近。这是由于光功率计示数不稳定且波动较大,而且外光源(如台灯,走廊灯等)的影响也较大,但是不改变曲线的整体趋势。
表2激励源电流与532nm绿激光光功率关系及转换效率
激励电流I/mA | 300 | 320 | 340 | 360 | 380 | 400 |
降序绿激光功率/mW | 0.236 | 0.245 | 0.307 | 0.380 | 0.450 | 0.530 |
中国林业局升序绿激光功率/mW | 0.236 | 0.289 | 0.307 | 0.430 | 0.480 | 0.571 |
绿激光功率平均值P/mW | 0.236 | 0.267 | 0.307 | 0.405 | 0.453 | 0.551 |
808nmLD激光功率/mW | 69.5 | 75.4 | 82.1 | 91.2 | 101.3 | 110.5 |
转换效率 | 0.34% | 0.35% | 0.37% | 0.44% | 0.45% | 0.50% |
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注:
由上表数据可看出:随激励电流的增大(或者说LD光功率增大),532nm绿激光的转换效率整体上呈增加趋势。
经查阅资料,实验所得转换效率远小于一般LD泵浦激光器的转换效率。造成偏低的原因可能有:
(1)透镜或出射窗有污渍影响光强输出。
(2)KTP晶体损坏(实验过程确有遇到晶体损坏,更换KTP晶体才明显看到绿激光光功率增强)。
(3)光路调节不够准直,主要器件的光轴不在同一条水平线上。 (4)激光未能在增益介质膜中多次振荡便出射,光强增益放大不足。
(5)光功率计数值显示不稳定,LD激光输出本身也不十分稳定,测量读数会有一定误差。
再将升序、降序(对电流而言)测得的功率值以激励电流为横坐标,导入Origin8.5,并拟合为平滑曲线如下图:
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图6 绿激光(波长为532nm)的PI特性曲线
由上图可以看出,当激励电流一定时,不管是升序还是降序,测得的绿激光光功率最大值相差甚小,但整体来说,升序测得的数据略大于降序测得的数据。
因为实际实验中升序降序所取电流值一一对应,而降序过程中由于起始激励电源高,散热慢而导致光路系统(器件)温度会略高于升序时的温度。因为温度的升高会引起某些方向振动模式增益得到加强,某些方向振动模增益得到减弱。
推测:1、降序系统温度偏高,绿光532nm激光振动模式增益得到削弱所致;
2、电流一定的情况下,随着温度升高,半导体激光器LD的阈值电流增大,导致发光功率降低。
【实验总结】
本实验大致主要过程步骤为:用波长为808nm的半导体激光光源作为固体增益介质晶体的泵浦光源,从而得到波长为1064nm的红外激光,利用He-Ne激光器进行光路准直校准,使激光通过KTP倍频晶体,利用其非线性作用可得波长为532nm的绿激光,再稍微调整晶体和透镜调节架,使得绿激光光功率为最大值,并测量记录。
最为关键和主要的步骤是光路的准直校准,具体步骤如下:
1、 将小孔光屏置于轨道上,打开准直He-Ne激光光源。将光屏从靠近He-Ne光源一端向远端移动,直至准直光能全部透过小孔。(物镜、输出镜、KTP晶体等独立非固定器件先不放在光轨上)
四川师范大学学报2、 将物镜放置在离泵浦光源距离为50mm左右的位置(物镜靠LD侧贴膜实为增益介质)。打开泵浦光源(实验设置为300mA输出电流),观察光斑是否在物镜正中心,注意中心光斑应为白或亮黄,区别于其他的红反射光点。可调节物镜四维调节架旋钮使最亮光点严格在透镜中心。固定物镜关闭LD光源并再打开准直光源,细调物镜使激光反射点与光阑中心重合。实际实验中反射光点并未能完全与小孔重合。
3、 将输出镜放上轨道,打开准直光源进行校准。根据光点随输出镜旋钮扭动方向的移动,判断物镜与输出镜是否严格平行。关闭He-Ne准直光源。
4、 将倍频晶体KTP放上轨道,尽量靠近物镜(增益介质),也用He-Ne光源进行准直调节。
5、 关闭准直光源,打开LD泵浦光源,在输出镜与小孔间放上滤光片(滤红外);旋动KTP晶体直至出现绿激光。细调KTP、输出镜等的调节架可使绿激光功率尽可能达到最大值。
实际实验中调节良久,测量并读取得到了如表2中的数据。为了方便可以全程打开着准直He-Ne激光器,在不需要它的时候只需要在其出射端轨道上加遮挡屏即可。