日扬科技股份有限公司
设备规格说明
1.1 概述
1.1.1此磁控溅射设备的性能：
本设备为卧式连续式磁控溅射设备，用以在平面玻璃上镀膜。设备功能为在玻璃上沉积AZO导电膜(~1000nm)以及金属导电膜作为太阳能板应用。AZO膜由DC磁控溅射附高质量氧化锌铝靶制程达成。设计最大玻璃基板加热至300℃。 HTC设备特征：
(1) 模块化真空腔，可配孪生阴极靶、单阴极靶及涡轮分子泵
(3) 平稳的玻璃传输系统
(4) AZO溅射用之均匀气场导流设计
(5) 高利用率之平面磁控阴极
(6) 腔体内玻璃传送系统配备伺服马达及光学感知器
(7) 采用PLC控制系统，工业等级PC用于人机界面(HMI)及资料取放
(8) 人机界面采用19”TFT触控屏幕
(9) 易操作人机界面
(10) 电源供应、阴极和真空控制安全互锁机制
1.1.1.1 溅射硅基薄膜太阳能电池的a前电极---透明导电膜(TCO)，b背电极---透明导电膜+金属膜(TCO+metal)。
1.1.1.2 薄膜指标：以规格尺寸为长(1400mm)×宽(1100mm)×厚(3.2mm)的浮法玻璃基底为标准，a前电极---氧化锌铝(AZO)膜，b背电极---氧化锌铝+铝(AZO+Al)膜，符合标准分别如表1、2所示。 表1 a前电极---AZO膜指标
项次指标
luceneAZO
400-800 nm波段内光平均透过率T T > 84% 400-800 nm波段内光平均透过率不均匀性<5% 400-1100 nm波段内光平均透过率T T > 81% 400-1100 nm波段内光平均透过率不均匀性<5%
方块电阻Rsqr <10 Ohm
方块电阻Rsqr不均匀性<5% 物理厚度H 1000 nm 物理厚度不均匀性<5%
表2 b背电极---AZO+Al膜指标
项次指标
AZO
400-800 nm波段内光平均透过率T T > 84% 400-800 nm波段内光平均透过率不均匀性<5% 400-1100 nm波段内光平均透过率T T > 81% 400-1100 nm波段内光平均透过率不均匀性<5%
方块电阻Rsqr <100 Ohm 方块电阻Rsqr不均匀性<5%
物理厚度H 100 nm 物理厚度不均匀性<5%
Al
物理厚度H 100 nm 物理厚度不均匀性<5%
注：
1、光平均透过率采用分光亮度计测量，薄膜的光平均透过率T定义：记玻璃基底镀膜前的光平均透过
率为T1，镀膜后的光平均透过率为T2，则T=T2/T1；
2、方块电阻采用四点探针测试仪测量(室温下)；
3、厚度测量采用膜厚台阶仪测量。
1.1.1.3 玻璃基底尺寸规格如表3所示。
表3 玻璃基底尺寸规格
项次规格Ⅰ规格Ⅱ切削机
长(mm) 1400±0.5 100±0.5
宽(mm) 1100±0.5 100±0.5
厚(mm) 3.0～6.0 0.7～3.0
c805导弹边缘无效宽度(mm) <5 <2
1.2 整机模式
1.2.1 HTC规画整机主体示意图见图1所示，设备系统示意图见图2所示。
图1 整机主体示意图
图2 设备系统示意图
说明：
载入架：用来承接产品(小规格使用承载盘)，并将产品载入低真空模块；
低真空模块(L/L)：用来承接载入架的产品，为大气和真空的过渡模块；
高真空模块(HV-1)：用来进行快速抽气至高真空，为低真空和高真空的过渡模块；AZO制程模块：用来单面溅射AZO，基底在此模块镀膜；
缓冲模块：用来镀膜缓冲、溅射气氛的隔离；
Al制程模块：用来单面溅射Al低真空模块基底在此模块镀膜；
高真空模块(HV-2)：为高真空和低真空的过渡模块；
低真空模块(UL/L)：为真空和大气的过渡模块；
载出架：用来承接载出真空模块的产品。
1.2.2 整机运作方式
a 投料：玻璃基底由人工水平放置于载入架上；
b 传输：玻璃基底以卧式方式自动被传输到制程腔；
寇铁c 制程：玻璃基底在卧式真空腔体模块内线式(in line)自动传输、加热、溅射、冷却；
d 传输：玻璃基底完成制程腔的步驟後，自动被传输到载出架；
吸式挖泥船e 出料：玻璃基底再由人工出料。
1.2.3 整机构架
a 整机模块固定在底部带有脚轮和调整水平地脚的平台架上，达到防震、防静电；
b 大气环境与腔体间及腔体间的连接采用扇板阀；
c 真空泵、真空腔体模块的布局及部件接口(包括预留接口)位置考虑到方便整机维护、安全可靠之原则。
1.2.4 材质
a HTC设计平台架采用高强度碳钢，表面烤漆处理，比采用SS304不锈钢有更高强度；
b 真空腔体模块采用SS 304材质，内表面采用抛光处理；
c 真空管道采用SS 304不锈钢材质；
d 气路管道采用SS 316L不锈钢材质；
e 载入架、载出架采用铝合金材质；
f 小规格使用的承载盘采用SS 304不锈钢材质，表面采用电解抛光处理。
1.2.5 整机布局(含维护空间)尺寸，见表4：
表4规划空间尺寸
项次需求
*长(m) ≦18溢出攻击
宽(m) ≦6
高(m) ≦3
1.3 系统
1.3.1 控制系统
1.3.1.1 控制模式：PC(基于微软Windows XP 系统)+PLC。
1.3.1.2 控制软件具有兼容性，可编辑(如增加某项功能部件或系统，可方便的嵌入控制系统)、可升级。
1.3.1.3 人性化操作接口：主接口为整机系统模拟显示接口(由主要元部件及管道示意图标构成)，且有主要元部件的状态、参数显示；次接口含各分系统(真空、溅射、加热、传输等)、监控系统(状态参数监控)。
1.3.1.4 工作模式：操作模式(含自动，手动)、维护模式。
1.3.1.5 用户识别登录窗口。
1.3.1.6 警报信息提示窗口(含Normal、Warning、Alarm)。
1.3.1.7 提示功能：非法操作、靶材更换等信息提示。
1.3.1.8 紧急停止功能。
1.3.1.9 记录、编辑、存储功能：制程处方(recipe)记录与编辑、recipe运行过程参数监控与记录，设备过程事件记录。
*1.3.1.10 信息存储：硬盘容量允许存储不低于3个月的采集数据量，以参数采集周期为1秒计。
1.3.1.11 recipe的运行过程参数采集周期以1秒为下限，且可调。
1.3.2 真空系统
*1.3.2.1 系统真空：在真空腔体处于干燥和干净、未装入承载盘的情况下，经抽真空后的最终压力，即本底真空≦2.0×10-4 Pa。
*1.3.2.2 系统保压：在真空腔体处于干燥和干净、未装入承载盘的情况下，系统压力回升≦6.0×10-4 Pa·m3 /s。
*1.3.2.3 系统漏率：在真空腔体处于干燥和干净、未装入承载盘的情况下，系统漏率≦5.0×10-9 Pa·m3 /s (氦气测漏仪量测)。
1.3.
2.4 系统经由粗真空泵获得低真空，系统经由粗真空泵与高真空泵在一定低真空的基础上获得高真空。
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