名称：WCT光电导测量工具
仪器包含部分：个人计算机、少子寿命测试台、电池组Qpaq-X的电源 碘酒钝化
原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按RCA2（纯水H2O：H2O2：HCl=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗10分钟）-RCA1（纯水H2O：H2O2：NH4OH=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗6分钟）-RCA2（纯水H2O：H2O2：HCl=5solarbuzz
：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗6分钟）清洗； 在通风橱中用纯水H2O：HF=10：1的溶液浸泡清洗好的硅片1分钟，纯水冲洗10分钟；
用氮吹干硅片；
将吹干的硅片放入大小合适的塑料封口袋中，滴入适量的碘酒（0.08mol/l），使硅片上下表面均匀布满碘酒，封好塑料封口袋，不要使碘酒溢出；
将塑料封口袋和硅片一起置于少子寿命测试台上，进行测量； 测量结束后，在通风橱中用纯水打开塑料封口袋冲洗硅片三次，取出硅片放入承片盒中再用纯水冲洗10分钟，用氮吹干硅片。
少子寿命测量方法
对测试滤片进行选择为1号滤光片和厚的滤光片.
先进行校准，取电阻率大于100的F校准标准硅片放置于基台上，点开Lifetime的Excl文件夹.
在Cailration目录下进行校准，调整基台下面的旋钮，使蓝线与0.1标准线重合.
将碘酒钝化的硅片放置于测试台面上，点文件中的Measure wafer键，对图形中的蓝点进行中间修正后读值.
1.2非接触式少子寿命测量仪器（SEMILAB）
名称：WCT光电导测量工具
仪器包含部分：个人计算机、测试基台
将需要测试的不同硅片放置于测试台面上
使用软件为UPCD，测试多为扩散后的硅片.
点击ASET键，LT为测试显示值。
少子寿命数值规定如下：
FZ片子大于100
原始硅片 单晶 10um以上
多晶 5um以上（原则上要求要大于10um正常中需要算大于10um以上的所占比率）
扩散后硅片 单晶 10um左右（原则上要大于10um）
多晶 7um左右 （原则上要大于10um）
影响少子寿命的内容
杂质类型即深能级杂质如金属杂质等等严重影响少子寿命
硅片表面态的状况，即高温处理前硅片的表面状况直接影响少子寿命
杂质浓度对少子寿命的影响，重掺杂状况下会引起晶格的畸变，复合加剧影响少子寿命
1.3 SUN-Voc检测方法
对电池片的选择要求，
Uoc | Isc | Rs | Rsh | FF | NCell | Lreve2 |
0.604 | 7.688 | 2.22 | 98.60 | 78.23 | 0.1498 | 2.199 |
0.609 | 7.631 | 2.38 | 67.61 | 78.648 | 0.1497 | 4.667 |
| | | | | | |
串并联正常，漏电较大的电池片
J01，测试前后表面
J02，测试结区
使用厚的滤光片、1号滤光片和3号滤光片；
将机台的两根线接上机台（一根红的，一根蓝的），红线接红接口，蓝线接蓝接口.
将电池片的电流密度算出（电流除以电池片面积），输入测试软件中.
将待测电池片放在机台上，正面朝上，用测试笔点在主栅线上
点击Measure键，然后让软件自己校准
完成后，再点两次Rasmple，
然后再点击IV Curve，对曲线进行拟合，
查看Jo1、Jo2、PFF和0.1sun下的品质因子的数值.
2.1 膜厚折射率检测方法
名称：扫描椭圆偏振光测试仪
仪器包含部分：测试计算机、控制器、测试基台（三种）
对于基台1，长方形斜面台测试单晶 2，小圆盘 测试多晶 3，大圆盘 测试抛光片
首先激光对点，标记需要测试的部位，选择需要测试的膜对应的文件，
点Measure硅片，Th与n为所需要的数值（Thick膜厚与refractive index折射率）
测量方法
镀膜后电池片放置于测试台面上，单晶选择 小型圆行测试台面成斜面 多晶选择 圆形台面水平放置
数值取值 单晶72—76nm 多晶 80—85nm
对于实际操作中，单晶范围一般在70—80nm多晶范围一般在80—90nm
3.1 反射率测试方法
名称：积分式反射仪
仪器包含部分：计算机、测试腔、测试台、标准片
操作方法：打开电源将按钮“金斯伯格Power窄告网”打到I电流位置，氙灯亮后，将电流调整至5A工作电流，光谱仪正常工作时指示灯为红.
软件使用：走月亮教案SR-D8（CDI）
触发氙灯。将按钮“Power”打开到“I”位置，以接通电源，氙灯被打开；
当氙灯被触发点亮后，转动旋钮，将电流表读数调节到5A的位置，即氙灯的额定工作电流；
确认光谱仪与电脑正常连接后，接通光谱仪的电源，确认红指示灯亮起，并且风扇可以正常工作；
双击桌面上的“SR-D8（CDI）”图标，进入主操作界面；
将载物台移动到最右端，使积分球的出光口对准底板上的消光片，单击“Device”中的“background”项，即进行背景光的测量；
将基准片放在托盘上，然后将载物台移动到左端，使积分球的出光口对准基准片，单击“Device”中的“Reference”项，开始对基准片进行测量；
选择“File”中的“Open Recipe”项，按照实际测量的需要，选择对应的Recipe；
将待测片放在载物台上，使积分球的出光口对准需要测量的区域。单击“Measurement”按钮，开始测量；
注意：在测量的过程中，不要接触光纤、光谱仪、积分球等。以免数据失真；
在“Show List”的下拉菜单中，将会显示曲线名称和颜的关系，点击“Copy”可将数据复制到Excel等软件中，也可以将数据通过单击“Show List”的下拉菜单“Save”可将数据保存到指定文件夾；
注意：由于组件时没有统一的标准，所以在测量前需要对灯箱高度进行微调，测量时积分球与组件是以接触的方式，所以在移动载物台或者取片的时候，必须将灯箱升高，以免造成积分球的偏移或损伤。
校准
进行如下的动作将载物台移动到最右端，使积分球的出光口对准底板上的消光片，单击“Device”中的“background”项，即进行背景光的测量；
将基准片放在托盘上，然后将载物台移动到左端，使积分球的出光口对准基准片，单击“Device”中的“Reference”项，开始对基准片进行测量如前相同的步骤；
取下基准片，换上标准片，进行6.8步骤，得到一组反射率数据；
打开标准数据与测量值进行比较。测量数据的平均反射率与标准数据的平均反射率的偏差小于1%；
软件参数的设定
Recipe参数的设定。在主操作界面中，依次点击File”、“Edit Recipe”、“Login”、“Recipe”；
“Boundaries for Calculation”的设定不要超过光谱仪的硬件参数范围；
“Alarm Setting”是指如果测量结果超出了设定的范围，在打印出的报告中会有“NG”提示标志；
当“Save file after the measurement”被选定后，“Path”将生效，所设定的位置为测量结果的保存文件夹，“file name”为最后一次测量结果的文件名；
“R(%)”是设定offset参数生效范围的，根据不同的使用测量范围，对recipe进行设定。对结果的补偿所对应的公式为Y=AX3+BX2+CX+D。
在测试前必须与标准片进行在背光条件下的对比。
单晶反射率一般在13—15
多晶反射率一般在21---25
4.1电池扫描分析仪
名称：Corescan扫描分析仪
仪器包含部分：测试腔、测试探针、计算机
可以测试接触电阻分布；并联电阻分布；开路电压分布； 光生电流密度分布.
操作方法：
打开电源，将机身左侧后部的电源开关拨至“I”位置；
点击电脑桌面上的“Correscan”图标，输入密码，进入软件操作界面；
点Scan type ，设置Scan type，需设置X、Y、对角线，对X1、X2、Y1、Y2设置是表示需要扫描的区域.测试整个电池片X1、X2、Y1、Y2为0
对测试项进行选择，其中包含四部分（Core san、 Shunt scan、 Voc scan:、LBIC scan.）
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