细胞凋亡
新词儿
第一章绪论粒子
１．１选题背景
在硅微传感器与执行嚣中通常利用体硅工艺加工出薄膜、微桥、微梁等敏感或执行结构。在一些精度要求严格的场合，如微陀螺、微加速度计等惯性器件中的微梁结构，结构尺寸的精度要求非常严格。梁的平面（ｘ，ｙ）尺寸精度主要取决于光刻对准的精度（我们的工艺条件可达到ｌ微米），厚度（Ｚ）精度目前取决于加工方式。为了提高结构的厚度控制精度开发了各种腐蚀自停止方法。排队论的应用
利用ＫＯＨ腐蚀液对硅台阶、台面等三维结构进行无掩膜腐蚀的技术，可以制作一种微机械硅电容加速度传感器用的对称梁一质量块结构，它是硅电容加速度计的敏感元件，如图１１所示，也即通常意义上的三明治结构微加速度计［”。整个元件用静电键合形成玻璃一硅．玻璃三层结构，两面的玻璃上溅射形成金属电极作为电容的固定电极板。中间的硅片上制作有敏感梁和质量块，质量块的两面作为可动极板，与固定极板形成一对差动电容。硅片的部分制作工艺如下： （１）Ｎ型（１００）双面抛光硅片厚度为３５０微米。第一次氧化后进行掩膜双面对准光刻，腐蚀三微米形成电容间隙及电极引线通道。
（２）第二次氧化后从硅片两面形成质量块和“粱区掩膜”，然后进行双面腐蚀，深度各为梁厚的一半。质量块四周除“粱”区以外也同时腐蚀出沟槽。
（３）第三次氧化后分别对硅片两面光刻，保留质量块上和边框上的掩膜，而将梁上的掩膜去掉。然后利用无掩膜腐蚀工艺，在质量块四周向下腐蚀的同时，“梁体”从硅片表面下潜。当质量块四周腐蚀穿透即质量块形成时，粱就形成在硅平面的中平面附近。
幽１．１（ａ）二明治结构加速度计侧视幽幽１．１（ｂ）二明＿｝ｆ｝绡构加速度计俯视剀
知网由于这种腐蚀方法是从双抛硅Ｊ１。的两个表面往中问腐蚀，靠腐蚀速率计算腐蚀时削，粱的厚度控制采用测陪片的方法．ｄＩ于腐蚀速率受腐蚀液成分、温度波动午¨搅拌遮
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