硅片刻蚀方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

	（12）发明专利申请
		（10）申请公布号 CN110767545A（43）申请公布日 2020.02.07

（21）申请号 CN201910986346.6

（22）申请日 2019.10.17

（71）申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区良腾路6号

（72）发明人刘厥扬

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人罗雅文

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

甲苯胺蓝

硅片刻蚀方法谱世界

（57）摘要

南中国海问题

本申请公开了一种硅片刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法应用于certas机台，certas机台包括两个反应腔，每个所述反应腔设置有两个进气管，两个进气管呈180°对称分布；该方法包括将两片硅片放置在所述certas机台的两个反应腔内，每个反应腔内有一片硅片；对所述两片硅片同时进行刻蚀。解决了现有的certas机台对两片硅片同时刻蚀时，两片硅片的刻蚀率不同、均匀性不高的问题；改善了不同负载下刻蚀率不同的现象，提高了certas机台内两片硅片刻蚀的均匀性，提高了产品良率。

法律状态

周国志

法律状态公告日	法律状态信息阔里吉思	法律状态
2020-02-07	公开	国际会计公开
2020-02-07	公开	公开
2020-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效