一、硅片生产主要制造流程如下：
切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入
二、硅片生产制造流程作业实习
1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的
固定在切割机上和方位角的确定。
2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以
获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。 3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前
要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、
Y方位角符合产品加工要求。
4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进
行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要
求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产
生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面
层的厚度不均匀分布。
6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片
分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。
7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤
层，同时获得厚度均匀一致的硅片。
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8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。
9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模
式，如裂纹、划伤、倒角不良等。
10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。
11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。
12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。
13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。
14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。
15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去
除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。
16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。
17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以
及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。
18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳
定电阻率。
19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次
缺陷以吸附表面金属杂质。
20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。
21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。
22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分
解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。
23.AP-CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition):
在硅片背部外延SiO2来背封并抑制自掺杂。
24.端面处理：去除硅片背面边缘的SiO2。
25.CVD后洗：去除表面颗粒。
26.ML(Mirror Lapping)倒角:防止后续工艺中的崩边发生以及
外延时的厚度不均匀等。
广州天河部落27.ML前洗：去除有机物、颗粒、金属杂质等。
28.ML贴付：硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上，固定硅片以利于ML
611aa
加工。
29.ML:也称之为CMP(Chemical Mechanism Polishing)，经过粗
盾构机过站
抛和精抛去除14um厚度，此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。
30.去腊洗净：去除ML后背面的腊层。
中国工程物理研究院31.ADE测量：测定硅片表面形貌参数如：平整度，翘曲度等。
32.ρ-t测量：对电阻率和厚度进行测定和分类。
33.扩大镜检查：检查ML倒角不良。
34.最终洗净：去除颗粒，有机物和金属杂质。杂交鹅
35.WIS测定：测量最终洗净后硅片表面颗粒。
36.最终检查：在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。
37.仓入：对硅片进行包装，防止再次污染，以待出货。
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