1、目的 为了规范硅片的检验工作,明确硅片检验的项目和检验标准,特制定本文件。 2、范围 濮阳教育科研网适用于本公司多晶硅片的分选包装工序。 3、职责 品质管理中心:负责对硅片进行检验,确保分选后的硅片等级达到客户的要求。 4、作业内容 多晶硅片检验项目和标准 类别(Sort) | 项目(Item) | 单位(Unit) | 指标/参数/要求(Index/Parameter/Request) | 规格尺寸 (Dimension) | rtu宽度(Width) | mm | 156±0.5mm | 硅片对角 (Wafer Diagonal) | mm | 219.2±0.5mm | 微冻技术 倒角(Bevel angle) | mm | 1.5±0.5mm in 450 | 厚度(Thickness) | 三平精神μm | 185±15μm(五点厚度平均值) | 电学性能参数(performance parameter) | 生长方法 (Growth method) | | 定向生长 | 导电类型 (Conductivity type) | | P | 掺杂剂(Dopant) | | B | 电阻率范围(Resistivity) | Ω.cm | 1-3Ω.cm | 少子寿命(Lifetime) | us | ≥4us(硅块均值) | 晶粒大小(Grain Size) | Pcs/cm2` | ≤10 Pcs/cm2 | 碳含量 (Carbon concentration) | atoms/cm3 | ≤5× 1017atoms/cm3 | 氧含量 (Oxygen concentration) | atoms/cm3 | ≤8× 1017atoms/cm3 | 外观质量指标 (Surface quality) | TTV | μm | ≤30μm | 晶介(Micrograin) | mm2 | ≥3 mm2 | 线痕(Saw marks) | μm | ≤15μm | 边缘角度 (Rectangular angle) | 00 | 900±0.30 | 翘曲度(Warpage) | μm | ≤50μm | 裂痕、缺口、穿孔 (Crack、Gap、Hole) | | 不允许 | 小亮边 (Tiny Luminance Edge) | | 长度≤硅片边长的1/3,宽度≤片厚的 1/3 | 崩边、缺角 (Edge chips) | mm | 单面崩边宽度≤0.5 mm;延伸≤0.2mm; 每片总数量≤2个,间隔≥30mm (不允许穿透) | 应力(Stress) | | 摇动无“吧啦”声响 | 表面质量 (Surface quality) | | 硅片表面不允许有明显线痕,手感不明 显,凹坑,无硅胶残留,表面无沾污和 异常斑点。 axara | 深圳万科温馨家园包装和标识 Package & Labels | 包装 Package | 标准包装:150片/包,450片/盒,6盒/箱,16箱/托 Standard packing method:150pcs/unit,450pcs/box,6bxs/CTN,16CTNs/pallet | 标识 Labels | 批号、厚度、硅片数量、电阻率、规格尺寸等 Lot No.,Thickness,Wafer Quantity,Resistivity,Size etc. | 开箱异常率OBFOut-of-Box Failure rate | OBF≤0.3%含碎片、崩边、缺角、、边缘缺陷、短装、隐裂 Out-of-Box Failure rate (included broken,chip,edge,defect,short,shipment and microcrack) ≤0.3% | | | | | |
5、抽样方案与接收标准 采用GB/T2828.1-2003正常检验水准Ⅱ级, 外观、尺寸、性能全检(Ac=0,Re=1)。 注:当检验出现异常时,由质量、生产、技术等部门现场确认,最终由技术对异常情况做出判决。 |