硫代硫酸钠
⼀、硅⽚腐蚀⼯艺的化学原理
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硅表⾯的化学腐蚀⼀般采⽤湿法腐蚀，硅表⾯腐蚀形成随机分布的微⼩原电池，腐蚀电流较⼤，⼀般超过100A/cm2，但是出于对腐蚀液⾼纯度和减少可能⾦属离⼦污染的要求，⽬前主要使⽤（HF），硝酸(HNO3)混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠（NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要⽤的是HNO3-HF 腐蚀液和NaOH 腐蚀液。下⾯分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。
1.HNO3-HF 腐蚀液及腐蚀原理
通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如HNO3）和络合剂（如HF）两部分。其配置为：浓度为70%的HNO3 和浓度为50%的HF 以体积⽐10～2:1，有关的化学反应如下：
3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑
硅被氧化后形成⼀层致密的⼆氧化硅薄膜，不溶于⽔和硝酸，但能溶于，这样腐蚀过程连续不断地进⾏。有关的化学反应如下：
SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
2.NaOH 腐蚀液
在氢氧化钠化学腐蚀时，采⽤10％～30％的氢氧化钠⽔溶液，温度为 80～90℃，将硅⽚浸⼊腐蚀液中，腐蚀的化学⽅程式为
Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑
2011年江苏高考英语试卷>WINXP总管对于太阳电池所⽤的硅⽚化学腐蚀，从成本控制，环境保护和操作⽅便等因素出发，⼀般⽤氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅⽚机械损伤层的厚度，约为20～30um。
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