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实验目的：
学习了解场效应晶体管放大电路的基本结构、原理、测试过程。通过实验、 仿
真，了解JFET 主要参数的获取、电路的静态工作点、增益等参数的计算和测 试方法。 实验设备及器件：
笔记本电脑（软件环境： Multisim13.0、WaveForms201） AD2 口袋仪器
电容：0.1卩F （独石或瓷片等无极性电容） 10卩F （电解电容） 电阻：300 Q 、1k Q 、10k Q 、100k Q FET: 2SK30A （或其他 JFET ，封装为 TO-92） 面包板、杜邦线
实验内容：
电路如图6.1所示。
1. 测量FET 的主要参数（V off 、I DSS ）
鉴于FET 参数非常分散，例如2SK30A 其后缀为GR （2SK30AG 漏极饱和电流爱真三
R 3
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+5V
邵洵美
图6.1实验电路
I DSS 的范围是2.6 — 6.5mA 截止电压 V 的范围为-0.4 ? -5V （具体手册参数见附
马提尼克岛 长高
件）。因此本实验需要先行测试元件的主要参数，所实际测得的参数用于计算电 路静态工作点及增益等，也用于修改仿真软件模型参数，以便获得相对准确的仿 真结果。
在面包板上搭建图6.2（ a ）电路（栅源为0偏压，即：V GS =0），测试此时源 极电阻的电压，进而得到源极（也是漏极）电流，该电流就是漏极饱和电流I DS ® 再通过图6.2 （b ）电路（静态自给偏压偏置电路）测源极电阻两端电压，从而 得到此时的栅源电压及漏极电流，也就是得到一个栅源的负偏压值 Ma s 及漏极电 流I D ，利用这两个值并通过漏极电流公式计算出 V off 。填入表6-1 0
图6.2 FET 参数测试电路
公式:
表6-1
实测FET 主要参数 参数 1 DSS （测试得出） V Off （计算得出）
数值
3.3mA -2.527v
2. 用得到的参数I DSS V f 修改仿真模型：在仿真软件中结型场效应晶体管的模
型是Shichman-Hodges 模型，需要根据测得的参数修改Multisim 模型中的两 个参数：截止电压 VT0及跨导系数BETA （ B ）。修改后的模型用于仿真（注 意：跨导系数不是理论教学中的跨导 g m ）o 3.
3.
搭建图6.1电路，计算、仿真及测试静态工作点，并填入表
6-2 :
（1）通过理论计算计算I DQ Va se 并填入表6-2 0
（2） 使用新建的模型仿真静态工作点并填入表
6-2 0
（3）
通过测试源极电阻直流电压，获取静态工作点并填入表
6-2
2SK30A +5V
中国包装报(b)
表6-2 FET电路的主要静态和动态参数
静态1 DQ静态V GSQ静态V DSQ交流电压增益Av
计算值 2.63mA「0.789V 1.581v 3.326
仿真值 1.95mA-0.585v 2.465v 1.094
测试值 1.98mA-0.595v 2.426v 1.590
4. 理论计算增益，并测试、仿真输入输出波形，仿真和测试时选择输入峰值50mV
1kHz正弦信号。屏幕拷贝波形于下方，并通过输入、输出信号的峰-峰值之比计算仿真及测试的增益值，将计算、仿真、测试的增益值填入表6-2 o
6.
7.
(1) 理论计算增益:
(2 )仿真输入、输出波形，并贴于下方:
图6.3仿真所得输入、输出波形（屏幕拷贝贴图）
仿真增益为:
（3 ）搭建电路并使用AD2实测输入、输出波形，并贴于下方
图6.4测试所得输入、输出波形（屏幕拷贝贴图）
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测试增益为:
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
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