东莞市华科制造工程研究院有限公司
商业计划书
项目简介
本项目来源于广东省教育部产学研结合“产业共性技术”重大科技专项项目---数字化制造装备产业共性技术(项目编号:2008A090300006)课题3“管芯、器件的检测及分选成套装备研制”(项目文件编号:粤科计字[2008]135 号),项目已结题。
成果名称:LED芯片自动检测设备,LED芯片自动分选设备。
应用领域:LED芯片的自动检测和分选。
成果现状:目前,成果已经经过试用,进入小批量生产阶段。
本项目是针对上述成果产业化的发展规划。当前,国内外LED半导体制造产业发展迅猛,相关制造装备的需求量猛增,过去10年,高亮度LED芯片产能保持平均40%的年增长率。
国内LED制造发展较晚,尤其是制造装备发展水平明显落后于国外,关键的制造装备如外延制造装备MOCVD,晶圆切割机,芯片检测分选机,高速固晶机,高速引线键合机等几乎完全依赖进口,直接导致半导体制造成本居高不下,成为半导体制造行业发展最大的障碍。芯片制造行业有两大瓶颈,外延制造和芯片检测与分选。外延制造设备工艺复杂,价格非常昂贵,更新换代很快,国内企业引入该类设备遇到很大的困难,直接导致蓝光芯片产能瓶颈。目前,虽然国内已经先后有多家单位陆续开发出了MOCVD样机,但是与国外设备相比,仍存在很大差距,这种情况在今后很长一段时间内都难以解决,直接购置设备成为当前唯一的解决手段。
芯片制造行业另一个瓶颈是芯片的测试与分选。LED芯片通常按照主波长、发光强度、光通亮、温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。当LED作为阵列显示和显示屏器件时,由于人眼对于颜波长和亮度的敏感性,用没有分选过的LED芯片
会产生波长和亮度不均匀的现象,这种现象会让人产生不舒服的感觉,影响人们的视觉效果。大型显示屏或其他高档应用客户,对LED的质量要求较高,特别是在波长与亮度一致性的要求上很严格,要求芯片在销售前必须进行严格的测试与分选。解决芯片检测与分选的根本解决办法在于提高芯片制造水平,保持芯片光电特性的一致性。但是,由于芯片制备工艺复杂,衬底材料(蓝宝石,碳化硅)非常坚硬,打磨难度很大,目前的工艺水平还不能解决这一问题,因此,芯片的检测与分选仍然是必然需求。LED芯片尺寸一般都很小,从7mil到45mil。芯片检测需要探针快速准确的接触芯片表面电极,对设备定位精度要求很高,难度较大。另外,芯片检测需要逐颗进行,因此对效率要求很高,对设备量需求量很大。这是芯片检测与分选成为芯片制造瓶颈的根本原因。
当前,国产的芯片检测与分选设备市场上还没有见到,高速的测试与分选机几乎完全依赖进口,直接导致测试与分选成本居高不下,成为芯片制造产业的另一个瓶颈。随着国内各项单元技术的应用成熟,测试与分选设备国产化成为可能。本项目成果正是在这样的形势和条件下发展成熟的,国产LED芯片测试与分选设备的成功产业化将直接降低芯片制造成本,促进芯片产业乃至LED应用产业的快速发展。
技术情况
LED芯片检测机主要用于LED芯片的光电特性采集与分类,简称prober。LED芯片分选机主要用于LED芯片的物理分片,即根据检测结果和彩图将芯片分类排列,简称sorter。
设备主要应用技术:
天然气利用政策 高精密视觉与运动联动控制
高精度视觉标定以及全景扫描
芯片测试与运动控制并行调度
芯片高效匹配
厚膜粘片高速剥离
基于高速回转机械手臂的芯片移送
双回路微动探测
芯片角度自校正算法与实现装置
基于类别优先级的分选路径规划
分选节拍多轴并行调度
芯片测试分选是将无类别的圆片转换为有类别的方片,业内也称“圆转方”。圆片如图1-1(a)所示,方片如图1-1(b)所示。
LED芯片分拣过程如下图1.2所示,将LED芯片从供给Wafer载膜片上顺利转移至布置好的对应类别的接收膜片上。而且芯片分类后不能随意放置,需按顺序整齐排列,以便后续加
工使用。
1.1.1 LED芯片分选机情况:
产品主要技术参数
序号 | 名称 | 单位 | 参数值 |
1 | 国际笔友平均分选速度 | ms/颗 | 450 |
2 | 每小时产量 | K/h | 8 |
3 | 主导轨行程精度 | μm/mm | ±5/200 |
4 | CCD | Pixel | 640*480 林木和林地权属登记管理办法 |
5 | 单颗芯片识别时间 | Ms | <=10 |
6 | 消耗功率 | KW | 3 |
7 | 晶粒放置块数量 | | 32 |
8 | 排列精度 | | ±1mil, ±30 |
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1.1.2 LED芯片检测机情况:
产品主要技术参数
序号热值 | 名称 | 单位 | 参数值 |
1 | 平均检测速度 | ms/颗 | 180 |
2 | 每小时产量 | K/h | 20 |
3 | 主导轨行程精度 | mm/mm | ±0.005/100 |
4 | 旋转轴精度 | 度 | ±0.005/150 |
5 | CCD | 磁力矩Pixel | 1280*960 |
6 | 单颗芯片识别时间 | ms | <=10 |
7 | 消耗功率 | Kw | 1.6 |
金元外交 | | | |
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