一. 同轴衰减器的技术指标 同轴衰减器的技术指标包括衰减器的工作频带、衰减量、功率容量、回波损耗等。 1.工作频带 衰减器的工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器,衰减器才能达到指标值。由于 射频/微波结构与频率有关,不同频段的元器件,结构不同,也不能通用。现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽,设计或使用中要加以注意。 2.衰减量 无论形成功率衰减的机理和具体结构如何,总是可以用下图所示的两端口网络来描述衰减器。 信号输入端的功率为P1,而输出端得功率为P2,衰减器的功率衰减量为A(Db)。若P1 、P2 以分贝毫瓦(dBm)表示,则两端功率间的关系为 P2(dBm)= P1(dBm)- A(dB) 可以看出,衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位,便于整机指标计算。 3.功率容量 衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。可以想象,材料结构确定后,衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功率超过这个极限值,衰减器就会被烧毁。设计和使用时,必须明确功率容量。 4.回拨损耗 回拨损耗就是衰减器的驻波比,要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能小。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。设计衰减器时要考虑这一因素。 二. 同轴衰减器的基本构成 构成同轴衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式,由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器,体积肯定要加大,关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展,在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式,一是半导体小功率快调衰减器,如PIN管或FET单片集成衰减器;二是开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电子开关,也可以是射频继电器。 三. 同轴衰减器的主要用途 1. 控制功率电平:在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制,获得最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳接收效果。在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围。 2. 去耦元件:作为振荡器与负载之间的去耦合元件。 3. 相对标准:作为比较功率电平的相对标准。 4. 用于雷达抗干扰中的跳变衰减器:是一种衰减量能突变的可变衰减器,平时不引入衰减,遇到外界干扰时,突然加大衰减。 从微波网络观点看,衰减器是一个二端口有耗微波网络。它属于通过型微波元件。 三. 衰减器的相关参数 衰减器是微波射频系统中非常要要的一种元器件。关于衰减器,有一些参数是关键性的,基础的。这些参数非常重要,它可能影响整个系统的效率,甚至是整体的成败。 1.衰减: 用于描述传输过程中从一端到另一端的信号减少的量值。可用倍数或同轴衰减器分贝数来表达。 2.VSWR: 等于特性阻抗与连接在传输线输出端的负载阻抗的比值。 3.最大平均功率: 在衰减器输出端接特性阻抗时,在指定的最高工作温度上可长期加到衰减器输入端的最大功率。当工作温度降至20ºC,输入功率降到10mW时,衰减器的其它指标不应该发生变化。 4.插入损耗的功率系数: 当输入功率从10mW到额定功率时,插入损耗的变化值(dB)。 5.最大峰值功率: 在衰减器输出端接特性阻抗时,在指定的最高工作温度上,在指定的时间内,加到衰减器输入端的5ms脉冲宽度最大峰值功率。当工作温度降至20ºC,输入功率降到10mW时,衰减器的其它指标不应该发生变化。 6.温度系数: 在最大工作温度范围内插入损耗的最大变化,用dB/ºC表示。 7.冲击和振动: 衰减器必须承受三个方向的冲击和振动试验。 8.插入损耗的频率响应: 在20ºC时,整个频率范围内损耗值的变化量(dB)。 9. 工作温度上限: 衰减器工作在最大输入功率时的最高温度(ºC)。 10. 标称插入损耗的偏差: 在20ºC,输入功率10mW时测得的插入损耗和标称值的偏差 11. 接头寿命: 正常连接/断开的次数;在规定的寿命内所有的电气和机械指标应该满足指标要求。 互调失真由杂散信号组成,它是由于器件中的非线性因素而产生的。尤其需要关注的是三阶互调失真,因为三阶互调产物最大而且不可被滤除。三阶互调电平的测试方法是将二个等幅的纯净信号(f1和f2)注入到被测器件中,三阶互调将出现在输出频谱的2f1-f2和2f2-f1处。三阶互调产物由相对于f1或f2的大小来定义,由-dBc来表示。 |
本文发布于:2024-09-20 22:31:58,感谢您对本站的认可!
本文链接:https://www.17tex.com/tex/4/88282.html
版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。
留言与评论(共有 0 条评论) |