DC降压转换器

TPS5405 是一款具有宽运行输入电压范围 (6.5 V 至 28 V) 的单片非同步降压稳压器。此器件执行内部斜坡补偿的电流模式控制来减少组件数量。
TPS5405 还特有一个轻负载脉冲跳跃模式,此特性可在轻负载时减少为系统供电的输入电源的功率损失。
故定 5-V 输出
6.5-V 28-V 的宽输入电压范围
高达 2-A 的最大持续输出负载电流
器件用途
9-V12-V 24-V 分布式电源系统
消费类应用,诸如家用电器、机顶盒、CPE 设备、LCD 显示器、外设、和电池充电器
工业用和车载娱乐系统电源
TPS54495 是一款双路、自适应接通时间 D-CAP2™ 模式同步降压转换器。 TPS54495 可帮助系统设计人员通过成本有效性、低组件数量、和低待机电流解决方案来完成各种终端设备的电源总线调节器集。 TPS54495 的主控制环路采用 D-CAP2™ 模式控制,无需外部补偿组件即可提供极快的瞬态响应。 自适应接通时间控制支持更高负载状态下的脉宽调制 (PWM) 模式与轻负载下的 Eco-mode™ 工作模式之间的无缝转换。 Eco-mode™ 使 TPS54495 能够在较轻负载条件下保持高效率。 TPS54495 也能够去适应诸如高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 或者高分子聚合物电容器 (SP-CAP) 的低等效串联电阻 (ESR) ,和超低 ESR,陶瓷电容器。 此器件在输入电流为 4.5V 至 18V 之间时提供便捷和有效的运行。
特性
D-CAP2 控制模式
o 快速瞬态响应
o 环路补偿无需外部部件
o 与陶瓷输出电容器兼容
宽输入电压范围:4.5V 18V
输出电压范围:0.76V 7.0V
针对低占空比应用对高效集成 FET 进行了优化
o 90m(高侧)和 60m(低侧)
高初始基准精度
支持恒定 4A 通道 1 2A 通道 2 负载电流
低侧 rDS(接通)低损失电流感测
可调软启动
非吸入预偏置软启动
700kHz 开关频率
逐周期过流限制控制
过流限制 (OCL) / 欠压闭锁 (UVLO) / 热关断 (TSD) 应用
用于过载保护的断续定时器
带有集成式升压 P 通道场效应晶体管 (PMOS) 开关的自适应栅极驱动器
由于热补偿 rDS(接通)的值为 4000ppm/ ,过流保护 (OCP) 恒定
16 引脚散热薄型小外形尺寸封装 (HTSSOP)
自动跳跃 Eco-mode  为了在轻负载下实现高效率
TPS53318 和 TPS53319 是带有集成型 MOSFET 的 D-CAP™ 模式,8A 或者 14A 同步转换器。 它们被设计用于易于使用、低外部组件数量、和空间有限的电源系统。
这些器件特有精准的 1%,0.6V 基准,和集成的升压开关。 具有竞争力的特性包括:1.5V 至 22V 的宽转换输入电压范围、极低的外部组件数量、用于超快速响应的 D-CAP™ 模式控制、自动跳跃模式操作、内部软启动控制、可选频率、且无需补偿。
转换输入电压介于 1.5V 至 22V 之间,电源电压从 4.5V 至 25V,输入电压范围为 0.6V 至 5.5V。
这些器件采用 5mmx6mm,22 引脚 QFN 封装,额定工作温度范围为 -40°C 至 85°C。
特性
转换输入电压范围:1.5V 22V
漏极电源电压 (VDD) 输入电压范围:4.5V 25V
14A 时,在 12V 15V 之间效率达到 91%
输出电压范围:0.6V 5.5V
5V 低压降 (LDO) 输出
支持单电源轨出入
带有 8A (TPS53318) 或者 14A (TPS53319) 持续输出电流的集成型功率金属氧化物半导
体场效应晶体管 (MOSFET)
用于轻负载有效性的自动跳跃 Eco-mode
<100μA 的关断电流
具有快速瞬态响应的 D-CAP 模式
可借助外部电阻器在 250kHz 1MHz 之间选择开关频率
可选的自动跳跃或者只支持脉宽调制 (PWM) 运行
内置 0.6V 基准电压 (1%)
0.7ms1.4ms2.8ms 5.6ms 可选内部电压伺服系统软启动
集成升压开关
预充电启动功能
带有热补偿的可调过流限制
过压、欠压、欠压闭锁 (UVLO) 和过热保护
支持所有陶瓷输出电容器
开漏电源良好指示
组装有 NexFET 电源块技术
22 引脚,四方扁平无引线 (QFN) 封装并带有 PowerPAD
TPS54526 是一款自适应接通时间 D-CAP2™ 模式同步降压转换器。 TPS54526 可帮助系统设计人员通过低成本、低组件数量的低待机电流解决方案来完成各种终端设备的电源总线调节器集。 TPS54526 的主控制环路采用 D-CAP2™ 模式控制,无需外部补偿组件便可实现极快的瞬态响应。 自适应接通时间控制可在更高负载状态下的脉宽调制 (PWM) 模式与轻负载下的 Eco-mode™ 工作之间实现无缝转换。 Eco-mode™ 使 TPS54526 能够在较轻负载状况下保持高效率。 TPS54526 的专有电路还可使该器件能够适应 POSCAP 与 SP-CAP 等低等效串联电阻 (ESR) 输出电容器以及超低 ESR 陶瓷电容器。 该器件的工作输入电压介于 4.8V 至 18V 之间。 可在 0.76V 至 5.5V 的范围内对输出电压进行编程。 此
外,该器件还支持可调软启动时间与功率良好功能。 TPS54526 采用 14 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) 封装与 16 引脚四方扁平无引线 (QFN) 封装,设计运行温度范围从 -40°C 到 85°C。
TPS53318 和 TPS53319 是带有集成型 MOSFET 的 D-CAP™ 模式,8A 或者 14A 同步转换器。 它们被设计用于易于使用、低外部组件数量、和空间有限的电源系统。
这些器件特有精准的 1%,0.6V 基准,和集成的升压开关。 具有竞争力的特性包括:1.5V 至 22V 的宽转换输入电压范围、极低的外部组件数量、用于超快速响应的 D-CAP™ 模式控制、自动跳跃模式操作、内部软启动控制、可选频率、且无需补偿。
转换输入电压介于 1.5V 至 22V 之间,电源电压从 4.5V 至 25V,输入电压范围为 0.6V 至 5.5V。
这些器件采用 5mmx6mm,22 引脚 QFN 封装,额定工作温度范围为 -40°C 至 85°特性
转换输入电压范围:1.5V 22V
漏极电源电压 (VDD) 输入电压范围:4.5V 25V
14A 时,在 12V 15V 之间效率达到 91%
输出电压范围:0.6V 5.5V
5V 低压降 (LDO) 输出
支持单电源轨出入
带有 8A (TPS53318) 或者 14A (TPS53319) 持续输出电流的集成型功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
用于轻负载有效性的自动跳跃 Eco-mode
<100μA 的关断电流
具有快速瞬态响应的 D-CAP 模式
可借助外部电阻器在 250kHz 1MHz 之间选择开关频率
可选的自动跳跃或者只支持脉宽调制 (PWM) 运行
内置 0.6V 基准电压 (1%)
0.7ms1.4ms2.8ms 5.6ms 可选内部电压伺服系统软启动
集成升压开关
预充电启动功能
带有热补偿的可调过流限制
过压、欠压、欠压闭锁 (UVLO) 和过热保护
支持所有陶瓷输出电容器
开漏电源良好指示
组装有 NexFET 电源块技术
22 引脚,四方扁平无引线 (QFN) 封装并带有 PowerPAD
TPS54061 是一款 60V,200 mA,同步降压直流到直流转换器,此转换器具有集成的高侧和低侧 MOSFET。 电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。 非开关电源电流为 90µA。 使用使能引脚可将关断电源电流减少至 1.4µA。
为了增加轻负载时的效率,当电感器电流达到零时,低侧 MOSFET 仿真一个二极管。
欠压闭锁内部设定为 4.5V,但可采用两个使能引脚上的电阻器将其提高。 输出电压启动斜坡由内部慢启动时间控制。
可调节开关频率范围可实现高效率和外部组件尺寸优化。 频率折返和热关断功能负责在过载情况下对器件提供保护作用。
TPS54061 通过集成 MOSFET,引导再充电二极管,以及大大减小封装尺寸(使用小型 3mm x 3mm 散热增强型 VSON 封装)来实现小型设计。
TPS54061 的技术支持由 Webench 设计人员提供在上提供 。
特性
集成的高侧和低侧场效应晶体管 (MOSFET)
用于提升轻负载效率的二极管仿真
峰值电流模式控制
90µA 运行静态电流
1.4µA 关断电源电流
50kHz 1100kHz 可调开关频率
同步至外部时钟
内部慢启动
0.8V±1% 电压基准
与陶瓷输出电容器或者低成本铝制电解电容器一起工作时保持稳定
逐周期电流上限、过热、过压保护 (OVP) 和频率折返保护
带有散热垫的 3mm x 3mm 超小型小外形尺寸无引线 (VSON)-8 封装
-40°C 150°C 运行结温
TPS54160A 器件是一款带有集成型高侧 MOSFET 的 60V,1.5A,降压稳压器。 电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。 一个低纹波脉冲跳跃模式将无负载的稳定输出电源电流减小至 116μA。 采用使能引脚可将停机模式的电源电流降低至 1.3μA。
欠压闭锁在内部设定为 2.5V,但可采用使能引脚将之提高。 输出电压启动斜坡受控于缓慢起动引脚,该引脚还可以通过配置来控制排序/跟踪。 一个开漏电源良好信号表示输出处于其标称电压的 93% 至 107% 之内。
宽开关频率范围允许对效率及外部组件尺寸进行优化。 频率折返和热关断功能在过载情况下对部件实施保护。
特性
3.5V 60V 输入电压范围
200mΩ 高侧金属氧化物半导体场效应晶体 (MOSFET)
在带有脉冲跳跃的轻负载条件上实现了高效率 Eco-mode
为了实现更加精准的欠压锁定 (UVLO) 电压,此器件的使能阀值比 TPS54160 更严密

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