实验试剂选择：（１）ＨＦ清洗液配比：ＨＦ酸：水＝１：１０。（２）清洗溶液的配比：Ｑ３２５一ＤＱ３２５一Ｂ：水＝ｌ：３：３０。所用水为高纯去离子水。 实验步骤：ａ）常温高压高纯水冲洗１分钟。ｂ）ＨＦ酸：水＝１：１０浸泡５分钟。 Ｃ）常温高压高纯水冲洗１分钟。ｄ）４５０Ｃ清洗溶液超声清洗１５分钟。
ｅ）常温高压高纯水冲洗１分钟。ｆ）常温高纯水超声清洗５分钟。
ｇ）常温高压高纯水冲洗１分钟并甩干。
采用上述工艺清洗的结果如表ｌ。
表１清洗效果统计
次数投片量合格花片划道黑点擦伤总计１００６８９２１６５ 通过上表的结果，我们可以看到，Ｑ３２５－Ｂ与Ｑ３２５－Ｄ混合配置的清洗液清洗效果非常好，产品一次合格率达到６８％，这是手工擦洗法所达不到的（一次合格率大约是２５％）。由上表可以
看出这种清洗方法的划道率是２％．可以说它有效的解决了硅片的划道问题。其清洗原理可能是配制的清洗液呈碱性对硅片有腐蚀作用，但研究结果发现硅片厚度并没有受太大影响。另外，黑点问题比较突出，占不合格产品的５０％。再者，花片中出现同心圆花纹现象。这可能是由于超声波驻波作用形成的。这种花纹用其它的清洗方法都不能够使其去除．但用Ｗｒｉｇｈｔ（配比：６０ｍｌＢＦ＋６０ｍｌＢＡＣ＋６０ｍｌｔｈＯ＋３０ｍｌＨＮ（ｈ注：ＢＮ０３是５９Ｃｒ０３＋ｌＯＯｍｌＨ２０）腐蚀液腐蚀５分钟同心圆花纹消失。 硅片表面出现微小黑点现象在Ｑ３２５一Ｂ与Ｑ３２５一Ｄ清洗中出现的比较多。为此对它们用扫描电子显微镜和能谱分析技术对黑点的形貌和成份进行了分析，结果如图１（ａ、ｂ、）所示。
（ａ）放大２５０倍ｆｂｌ放大１０００倍
图Ｉ黑点的扫描电子显微镜形貌
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