多晶硅生产流程

洗料
为得到纯净的多晶硅原料，须将多晶硅原料清洗，去除杂质和油污。将多晶硅料放入和硝酸中浸泡，然后用高纯水多次清洗，清洗干净后进入下一道工序。

b、烘料

将清洗干净的多晶硅原料放入烘箱中烘干。

c、装袋

烘干后的多晶硅原料按型号、电阻率分别包装。

d 、配料

根据生产需要将不同电阻率的多晶硅料加入母合金配制成
符合要求的原料。

（2）多晶铸锭阶段

a、准备阶段

经减压、放气后打开炉盖，清洁炉壁及石墨件，将清洗好
的石英坩埚装入炉内。

b、投料

将配制好的多晶硅料500 公斤装入石英坩埚中，合上炉盖。

检查水和泵油情况，正常后进入下一工序。

c、抽真空

密封炉盖后启动真空泵，将炉体内抽成真空，然后充入氩气。

d、化料

将坩埚加热到1420℃以上将多晶料融化。

e、定向凝固

多晶料全部融化后开始凝固多晶，开始时多晶每分钟生长0.8 mm～1.0 mm,长晶速度由工作台下移速度及冷却水流量控制，长晶速度近于常速，硅锭长度受设备及坩埚高度限制，当硅锭达到工艺要求时，凝固结束。停机使多晶炉降，约四个小时后将多晶锭取出。

f、检验

检验多晶锭的电阻率、寿命及氧炭含量，合格的进入下一道工序，不合格的作标记切断，部分可以回收重新铸锭。

（3）切片

a.多晶硅锭

将铸锭生产工序检测的硅锭清洗干净
b.切方

将硅锭固定在切方机上，要完全水平。固定好后切成方棒

（6 英寸125mm×125mm；8 英寸156mm×156mm）。

c.抛光

将切好的方棒在抛光机上抛光。

e.清洗粘胶
将切方抛光好的方棒用超声波清洗机清洗干净后，粘在工件板的玻璃板上。

f.切片

将粘好硅棒的工件板按在切片机上（4 根），将硅片切成180微米厚的硅片。

g.脱胶

将切割好的粘在玻璃板上的硅片用70 度的热水将硅片与玻璃板分离

h.清洗

将脱过胶的硅片插在硅片盒中在超声波清洗机中清洗。清洗时先在常清水中清洗，然后在放有清洗剂的70 度热水中清洗，最后在常清水中清洗。

i.甩干

将经过清洗的硅片连盒插在甩干机的甩干工位上甩干。

j.检片

将甩干好的硅片检测硅片TV 和TTV 及表面洁净度，并将硅片按等级分类。

k.包装

该工艺方案具有简单，易操作，产品成品率高等特点。

本文发布于:2024-09-20 12:18:04，感谢您对本站的认可！

标签：清洗硅片原料硅锭电阻率凝固

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