一种基于缓冲吸收电路的稳压开关电源

本发明涉及电子领域，具体的说，是一种基于缓冲吸收电路的稳压开关电 源。

随着科技的发展，电子产品的功能也越来越强大，因此对电子产品的供电 电源也提出了更高的要求。然而，现有电子产品的供电电源存在输出电压和电 流不稳定的问题，导致电子产品工作不稳定，无法满足人们要求。

因此，提供一种能输出稳定的电压和电流的电子产品供电电源便是当务之 急。

本发明的目的在于克服现有技术中的电子产品的供电电源存在输出电压和 电流不稳定的缺陷，提供的一种基于缓冲吸收电路的稳压开关电源。

本发明通过以下技术方案来实现：一种基于缓冲吸收电路的稳压开关电 源，主要由稳压芯片U2，二极管整流器U1，三极管VT1，正极与二极管整流 器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接 地的极性电容C1，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与稳压芯片U2 的IN管脚相连接的电阻R1，正极与稳压芯片U2的IN管脚相连接、负极与三 极管VT1的发射极相连接的极性电容C2，一端与稳压芯片U2的GND管脚相 连接、另一端与二极管整流器U1的负极输出端相连接的电阻R2，分别与二极 管整流器U1的负极输出端和稳压芯片U2相连接的电压控制输出电路，与电压 控制输出电路相连接的缓冲吸收电路，以及串接在三极管VT1的基极与电压控 制输出电路之间的过压过流保护电路组成。

所述缓冲吸收电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，正极经电阻 R16后与三极管VT5的基极相连接、负极与电压控制输出电路相连接的极性电 容C10，正极经电阻R20后与三极管VT5的发射极相连接、负极经可调电阻R21 后与三极管VT7的发射极相连接的极性电容C12，N极与极性电容C12的负极 相连接、P极经电阻R19后与三极管VT5的集电极相连接的二极管D7，负极与 三极管VT7的基极相连接、正极顺次经电感L3和电阻R22后与二极管D7的N 极相连接的极性电容C14，负极与三极管VT6的基极相连接、正极经电阻R18 后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C13，P极与三极管VT7的集电极 相连接、N极顺次经电阻R24和电阻R23后与三极管VT6的发射极相连接的稳 压二极管D8，N极经电阻R17后与三极管VT5的集电极相连接、P极与电压控 制输出电路相连接的二极管D6，以及正极与二极管D6的N极相连接、负极经 电感L2后与极性电容C13的正极相连接的极性电容C11组成；所述三极管VT6 的集电极与极性电容C14的正极相连接；所述极性电容C11的负极与电阻R24 与电阻R23的连接点相连接；所述稳压二极管D8的N极与三极管VT7的发射 极共同形成缓冲吸收电路的输出端。

所述电压控制输出电路由过压过流保护电路由保护芯片U3，三极管VT3， 三极管VT4，正极与三极管VT1的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相 连接的极性电容C7，负极经电阻R11后与保护芯片U3的VDD管脚相连接、 正极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C8，P极电阻R12后与三极管VT3 的发射极相连接、N极经电阻R13后与保护芯片U3的GND管脚相连接的二极 管D5，一端与极性电容C8的负极相连接、另一端与保护芯片U3的IN管脚相 连接的可调电阻R10，P极经电感L1后与三极管VT4的发射极相连接、N极 经电阻R15后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D4，P极经电阻R8后与 极性电容C7的正极相连接、N极,经电阻R9后与二极管D4的P极相连接的二 极管D3，正极经电阻R6后与保护芯片U3的IN管脚相连接、负极与电压控制 输出电路相连接的极性电容C6，以及负极与保护芯片U3的GND管脚相连接、 正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C9组成；所述保 护芯片U3的OUT管脚与三极管VT4的基极相连接、其ST管脚与极性电容C9 的负极相连接后接地。

所述电压控制输出电路由场效应管MOS，三极管VT2，N极与稳压芯片 U2的OUT管脚相连接、P极经可调电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接 的二极管D1，正极与稳压芯片U2的EN管脚相连接、负极与可调电阻R4的可 调端相连接的极性电容C3，正极经电阻R3后与二极管D1的P极相连接、负极 经电阻R5后与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C4，N极与极性电容 C4的正极相连接、P极与三极管VT2的发射极相连接的稳压二极管D2，以及 正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R7后与场效应管MOS的漏极 相连接的极性电容C5组成；所述场效应管MOS的漏极与二极管整流器U1的 负极输出端相连接；所述三极管VT2的基极与极性电容C6的负极相连接；所 述稳压二极管D2N的极与二极管D6的P极相连接；所述极性电容C5的负极与 极性电容C10的负极相连接。

为了本发明的实际使用效果，所述稳压芯片U2则优先采用TH78H5集成芯 片来实现；同时，所述保护芯片U3则优先采用TWH7851集成芯片来实现。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明的稳压芯片U2优先采用了TH78H5集成芯片来实现，该芯片与 外围电路能解决输入电压降压和整流不稳定的问题，并且本发明还能消除输入 电流中的电磁干扰，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流，有效的确保 了电子产品工作的稳定性。

(2)本发明能对输出电压产生的瞬间高电压进行抑制，从而提高了本发明 输出电压的稳定性，有效的防止了用电负载不会损坏。

(3)本发明能对输出电压进行过压保护，并能对输出电流进行过流保护， 从而确保了本发明输出的电压和电流的稳定性。

图1为本发明的整体结构示意图。

图2本发明的缓冲吸收电路的电路结构示意图。

下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施 方式不限于此。

实施例

如图1所示，本发明主要由稳压芯片U2，二极管整流器U1，三极管VT1， 正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极 输出端相连接后接地的极性电容C1，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一 端与稳压芯片U2的IN管脚相连接的电阻R1，正极与稳压芯片U2的IN管脚 相连接、负极与三极管VT1的发射极相连接的极性电容C2，一端与稳压芯片 U2的GND管脚相连接、另一端与二极管整流器U1的负极输出端相连接的电阻 R2，分别与二极管整流器U1的负极输出端和稳压芯片U2相连接的电压控制输 出电路，与电压控制输出电路相连接的缓冲吸收电路，以及串接在三极管VT1 的基极与电压控制输出电路之间的过压过流保护电路组成。所述二极管整流器 U1的输入端与外部电源相连接。

其中，所述电压控制输出电路由过压过流保护电路由保护芯片U3，三极管 VT3，三极管VT4，电阻R6，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻 R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，极性电容C6，极性电容C7，极性电容 C8，极性电容C9，二极管D3，二极管D4，二极管D5，以及电感L1组成。

连接时，极性电容C7的正极与三极管VT1的基极相连接、其负极与三极 管VT3的集电极相连接。极性电容C8的负极经电阻R11后与保护芯片U3的 VDD管脚相连接、其正极与三极管VT3的基极相连接。

其中，二极管D5的P极电阻R12后与三极管VT3的发射极相连接、其N 极经电阻R13后与保护芯片U3的GND管脚相连接。可调电阻R10的一端与极 性电容C8的负极相连接、其另一端与保护芯片U3的IN管脚相连接。二极管 D4的P极经电感L1后与三极管VT4的发射极相连接、其N极经电阻R15后与 三极管VT4的集电极相连接。二极管D3的P极经电阻R8后与极性电容C7的 正极相连接、其N极,经电阻R9后与二极管D4的P极相连接。

同时，极性电容C6的正极经电阻R6后与保护芯片U3的IN管脚相连接、 其负极与电压控制输出电路相连接。极性电容C9的负极与保护芯片U3的GND 管脚相连接、其正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接。所述保护芯 片U3的OUT管脚与三极管VT4的基极相连接、其ST管脚与极性电容C9的 负极相连接后接地。

进一步地，所述电压控制输出电路由场效应管MOS，三极管VT2，电阻R2， 电阻R3，可调电阻R4，电阻R5，电阻R7，极性电容C3，极性电容C4，极性 电容C5，二极管D1，以及二极管D2组成。

连接时，二极管D1的N极与稳压芯片U2的OUT管脚相连接、其P极经 可调电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接。极性电容C3的正极与稳压芯 片U2的EN管脚相连接、其负极与可调电阻R4的可调端相连接。极性电容C4 的正极经电阻R3后与二极管D1的P极相连接、其负极经电阻R5后与场效应 管MOS的栅极相连接。稳压二极管D2的N极与极性电容C4的正极相连接、 其P极与三极管VT2的发射极相连接。极性电容C5的正极与三极管VT2的集 电极相连接、其负极经电阻R7后与场效应管MOS的漏极相连接。

所述场效应管MOS的漏极与二极管整流器U1的负极输出端相连接；所述 三极管VT2的基极与极性电容C6的负极相连接；所述稳压二极管D2N的极与 二极管D6的P极相连接；所述极性电容C5的负极与极性电容C10的负极相连 接。

如图2所示，所述缓冲吸收电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7， 电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，可调电阻R21，电阻 R22，电阻R23，电阻R24，极性电容C10，极性电容C11，极性电容C12，极 性电容C13，极性电容C14，电感L2，电感L3，二极管D6，二极管D7，以及 稳压二极管D8组成。

连接时，极性电容C10的正极经电阻R16后与三极管VT5的基极相连接、 其负极与电压控制输出电路相连接。极性电容C12的正极经电阻R20后与三极 管VT5的发射极相连接、其负极经可调电阻R21后与三极管VT7的发射极相连 接。二极管D7的N极与极性电容C12的负极相连接、其P极经电阻R19后与 三极管VT5的集电极相连接。极性电容C14的负极与三极管VT7的基极相连接、 其正极顺次经电感L3和电阻R22后与二极管D7的N极相连接。

同时，极性电容C13的负极与三极管VT6的基极相连接、其正极经电阻R18 后与三极管VT5的集电极相连接。稳压二极管D8的P极与三极管VT7的集电 极相连接、其N极顺次经电阻R24和电阻R23后与三极管VT6的发射极相连接。 二极管D6的N极经电阻R17后与三极管VT5的集电极相连接、其P极与电压 控制输出电路相连接。极性电容C11的正极与二极管D6的N极相连接、其负 极经电感L2后与极性电容C13的正极相连接。

所述三极管VT6的集电极与极性电容C14的正极相连接；所述极性电容C11 的负极与电阻R24与电阻R23的连接点相连接；所述稳压二极管D8的N极与 三极管VT7的发射极共同形成缓冲吸收电路的输出端。

实施时，本发明的稳压芯片U2优先采用了TH78H5集成芯片来实现，该芯 片与外围电路能解决输入电压降压和整流不稳定的问题，并且本发明还能消除 输入电流中的电磁干扰，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流，有效的 确保了电子产品工作的稳定性。本发明能对输出电压产生的瞬间高电压进行抑 制，从而提高了本发明输出电压的稳定性，有效的防止了用电负载不会损坏。

同时，本发明能对输出电压进行过压保护，并能对输出电流进行过流保护， 从而确保了本发明输出的电压和电流的稳定性。为了本发明的实际使用效果， 所述稳压芯片U2则优先采用TH78H5集成芯片来实现；所述保护芯片U3则优 先采用TWH7851集成芯片来实现。

按照上述实施例，即可很好的实现本发明。