一种基于基极驱动电路的恒温自动控制系统

本发明涉及一种自动控制系统，具体是指一种基于基极驱动电路的恒温自动控制 系统。

在工业生产过程和科研工作中，很多时候都需要对生产环境的温度进行控制，使 温度保持在恒定的范围，从而提高生产效率和产品的质量。随着工业自动化的提高，目前通 常采用恒温自动控制系统来对温度进行控制。然而，现有的恒温自动控制系统对生产环境 的温度检测不够准确，导致其对温度控制的误差较大，达不到恒温控制的标准，无法满足生 产需求。

本发明的目的在于解决目前的恒温自动控制系统对温度控制误差大的缺陷，提供 一种基于基极驱动电路的恒温自动控制系统。

本发明的目的通过下述技术方案现实：一种基于基极驱动电路的恒温自动控制系 统，主要由控制芯片U，温度传感器Q，P极与控制芯片U的IS管脚相连接、N极经电阻R5后分别 与控制芯片U的DC管脚和SC管脚相连接的二极管D3，正极与控制芯片U的TC管脚相连接、负 极接地的电容C2，与温度传感器Q相连接的信号放大电路，串接在信号放大电路和电容C2的 负极之间的基极驱动电路，以及与控制芯片U的SE管脚相连接的温度控制电路组成；所述控 制芯片U的IN管脚与信号放大电路相连接。

进一步的，所述基极驱动电路由三极管VT1，场效应管MOS，三极管VT2，负极与场效 应管MOS的栅极相连接、正极与信号放大电路相连接的电容C5，N极经电阻R11后与三极管 VT2的集电极相连接、P极经电阻R7后与场效应管MOS的栅极相连接的二极管D5，串接在二极 管D5的P极和三极管VT1的集电极之间的电阻R9，正极与三极管VT1的集电极相连接、负极与 二极管D5的N极相连接的电容C6，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端经电阻R10后与 场效应管MOS的源极相连接的电阻R8，以及P极与场效应管MOS的源极相连接、N极与三极管 VT2的基极相连接的二极管D6组成；所述电容C6的负极与电容C2的负极相连接；所述二极管 D5的P极接15V电压；所述三极管VT1的基极与二极管D5的P极相连接、其发射极与场效应管 MOS的漏极相连接；电阻R8和电阻R10的连接点接地；所述三极管VT2的发射极接地。

所述信号放大电路由三极管VT，放大器P1，放大器P2，N极与放大器P1的正极相连 接、P极经电阻R1后与三极管VT的基极相连接的二极管D1，一端与放大器P1的正极相连接、 另一端接12V电压的电阻R2，串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R4，N极与放大器 P1的正极相连接、P极与三极管VT的基极相连接的二极管D2，负极与三极管VT的基极相连 接、正极与放大器P2的负极相连接的电容C1，以及串接在三极管VT的发射极和放大器P2的 负极之间的电阻R3组成；所述三极管VT的基极与温度传感器Q相连接、其集电极与放大器P1 的负极相连接、其发射极则与放大器P2的正极相连接；所述放大器P2的负极接地、其输出端 与电容C5的正极相连接；所述放大器P1的输出端与控制芯片U的IN管脚相连接。

所述温度控制电路由P极与控制芯片U的SE管脚相连接、N极经电阻R6后接地的二 极管D4，负极与控制芯片U的SE管脚相连接、正极与二极管D4的N极相连接的电容C3，以及负 极经电阻R6后与二极管D4的N极相连接、正极经加热丝EH后与二极管D4的N极相连接的电容 C4组成。

所述控制芯片U为MC34063集成芯片。

本发明与现有技术相比具有以下优点及有益效果：

(1)本发明可以对温度传感器输出的温度信号进行处理，使控制芯片U能够更好的 将温度信号与其内部的基准信号进行比较，并准确的判定出被测对像当前的温度情况，从 而更准确的控制加热丝工作，提高本发明的温度控制精度。

(2)本发明启动速度快，且对信号处理和识别的速度也很快，可以第一时间对温度 进行控制。

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的基极驱动电路的结构图。

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于 此。

实施例

如图1所示，本发明主要由控制芯片U，温度传感器Q，P极与控制芯片U的IS管脚相 连接、N极经电阻R5后分别与控制芯片U的DC管脚和SC管脚相连接的二极管D3，正极与控制 芯片U的TC管脚相连接、负极接地的电容C2，与温度传感器Q相连接的信号放大电路，串接在 信号放大电路和电容C2的负极之间的基极驱动电路，以及与控制芯片U的SE管脚相连接的 温度控制电路组成；所述控制芯片U的IN管脚与信号放大电路相连接。为了更好的实施本发 明，所述控制芯片U优选MC34063集成芯片来实现。

其中，所述信号放大电路由三极管VT，放大器P1，放大器P2，电阻R1，电阻R2，电阻 R3，电阻R4，电容C1，二极管D1以及二极管D2组成。

连接时，二极管D1的N极与放大器P1的正极相连接、其P极经电阻R1后与三极管VT 的基极相连接。电阻R2的一端与放大器P1的正极相连接、其另一端接12V电压。电阻R4串接 在放大器P1的正极和输出端之间。二极管D2的N极与放大器P1的正极相连接、其P极与三极 管VT的基极相连接。电容C1的负极与三极管VT的基极相连接、其正极与放大器P2的负极相 连接。电阻R3串接在三极管VT的发射极和放大器P2的负极之间。

同时，所述三极管VT的基极与温度传感器Q相连接、其集电极与放大器P1的负极相 连接、其发射极则与放大器P2的正极相连接。所述放大器P2的负极接地、其输出端与基极驱 动电路相连接。所述放大器P1的输出端与控制芯片U的IN管脚相连接。

另外，所述温度控制电路由二极管D4，电容C3，电容C4，电阻R6以及加热丝EH组成。 连接时，二极管D4的P极与控制芯片U的SE管脚相连接、其N极经电阻R6后接地。电容C3的负 极与控制芯片U的SE管脚相连接、其正极与二极管D4的N极相连接。电容C4的负极经电阻R6 后与二极管D4的N极相连接、其正极经加热丝EH后与二极管D4的N极相连接。

如图2所示，所述基极驱动电路由三极管VT1，场效应管MOS，三极管VT2，电阻R7，电 阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电容C5，电容C6，二极管D5以及二极管D6组成。

其中，电容C5的负极与场效应管MOS的栅极相连接、其正极与放大器P2的输出端相 连接。二极管D5的N极经电阻R11后与三极管VT2的集电极相连接、其P极经电阻R7后与场效 应管MOS的栅极相连接。电阻R9串接在二极管D5的P极和三极管VT1的集电极之间。电容C6的 正极与三极管VT1的集电极相连接、其负极与二极管D5的N极相连接。电阻R8的一端与场效 应管MOS的栅极相连接、其另一端经电阻R10后与场效应管MOS的源极相连接。二极管D6的P 极与场效应管MOS的源极相连接、其N极与三极管VT2的基极相连接。

同时，所述电容C6的负极与电容C2的负极相连接；所述二极管D5的P极接15V电压。 所述三极管VT1的基极与二极管D5的P极相连接、其发射极与场效应管MOS的漏极相连接。电 阻R8和电阻R10的连接点接地；所述三极管VT2的发射极接地。

工作时，温度传感器Q采用被测对像的温度信号并输出给后续电路，该温度信号经 过处理后输入控制芯片U内，控制芯片U将温度信号与其内部的基准信号进行比较并判定出 当前温度是否在设定温度的范围内，当温度低于设定温度时，控制芯片调整其SE管脚输出 的脉冲宽度，从而调整加在加热丝EH上的电压，调节加热丝的加热功率，使生产环境的温度 达到设定的范围，从而实现恒温控制的目的。同时，本发明启动速度快，且对信号处理和识 别的速度也很快，可以第一时间对温度进行控制。

如上所述，便可很好的实现本发明。