C30B29/06 C30B15/02 C30B35/00
1.一种熔融硅悬浮的硅料补充方法
权利要求为利用如图所示的熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在加料坩埚中， 通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。
对本方法进行变通，增加或者减少磁悬浮线圈(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈 或者使用永磁体实现悬浮及控制，均不构成对本发明的合理回避。都属于本发明权利要求范围。
无论加料坩埚使用何种材料，(7)加料补充熔融硅是内实现完全悬浮而不接触(8)加料坩埚，均 不构成对本发明的合理回避。都属于本发明权利要求范围。
为配合说明，本发明说明书中(2)长晶炉内坩埚及(1)长晶炉内熔融硅配图为典型直拉单晶炉结 构。本发明亦可适用于铸锭，区熔等其他硅晶体连续加料。将本发明应用其他由熔融硅生长晶体的场合， 均不构成对本发明的合理回避。都属于本发明权利要求范围。
2.一种熔融半导体悬浮的原料补充方法
本发明亦可适用于锗镓等半导体材料。将本发明应用其他由熔融态半导体材料生长晶体的场合，同样属于 本发明权利要求范围。
本发明涉及晶体生长领域
近些年出现很多使用连续直拉法拉制硅单晶的尝试，而连续拉制过程中对张晶炉内的硅进行补充成为工艺 实现的最大瓶颈。本发明提供一种熔融硅悬浮的硅料补充方法。将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在加料坩埚 中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或间歇地输送至长晶炉中进行长晶。
本方法将熔融硅利用磁悬浮原理悬浮在加料坩埚中，通过调节磁场起到阀门的开闭作用，将熔融硅连续或 间歇地输送至长晶炉中进行长晶。由于熔融硅处于悬浮状态，与坩埚不发生直接接触，从而避免了坩埚材 料内的杂质进入熔融硅中影响硅晶体的质量。
1长晶炉内熔融硅
2长晶炉内坩埚
3生长制作的硅晶体
4截断线圈
5中位线圈
6阀门线圈
7加料补充熔融硅
8加料坩埚
9加料导管
如图所示设备。(2)长晶炉内坩埚内盛有(1)长晶炉内熔融硅，从而拉制(3)生长制作的硅晶体。 在(1)长晶炉内熔融硅的上方设置有(7)加料补充熔融硅及(8)加料坩埚。(8)加料坩埚外自 上而下环绕有(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈。(8)加料坩埚有(9)加料导管通 向(1)长晶炉内熔融硅。
(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈通电后，通过电磁效应将(7)加料补充熔融硅悬 浮在(8)加料坩埚中。当需要向(2)长晶炉内坩埚内(1)长晶炉内熔融硅补充熔融硅时。加大(4) 截断线圈功率，减小(6)阀门线圈功率即和使得(7)加料补充熔融硅通过(9)加料导管注入(1)长 晶炉内熔融硅。调配(4)截断线圈，(5)中位线圈和(6)阀门线圈功率和时序，即可实现对加料量 的调节。(9)加料导管外可以设置辅助线圈或者永磁体减缓熔融硅在(9)加料导管内的流动速度，使得 注入的熔融硅不对(1)长晶炉内熔融硅造成扰动。
本文发布于:2024-09-25 01:16:17，感谢您对本站的认可！
本文链接：https://www.17tex.com/tex/4/84320.html
版权声明：本站内容均来自互联网，仅供演示用，请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系，我们将在24小时内删除。
| 留言与评论（共有 0 条评论） |
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议