一种晶振装配体的制作方法

1.本实用新型涉及石英晶体谐振器领域，具体的，涉及一种晶振装配体。

背景技术：

2.石英晶体振荡器，简称晶振，其通过电信号的频率等于石英晶体片的固有频率时，石英晶体片产生谐振现象的原理制成，根据这一特性，常被使用在lc振荡电路或滤波器中。同时，其具有体积小，稳定性高的特点，而正是因为这一特点，对于晶振的制造工艺的要求很高。
3.公开号为cn107769750a的专利申请文件公开了一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器及其制备方法，其公开了其设置有石英晶片中央区域，石英晶片中央区域的表面覆盖有中心双面镀覆电极，中心双面镀覆电极包括上表面镀覆电极和下表面镀覆电极，使其形成导电回路。而一般的晶振都是采用类似的方式在内部采用某种方式形成导电回路，由于晶振芯片体积较小，在设置导电回路时需要很高的工艺要求，确保线路不会出现短路或断路的情况，并且，当出现短路或断路时，对电路的检测也很困难。

技术实现要素：

4.本实用新型旨在克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种晶振装配体，解决晶振生产工艺要求高，检验困难的问题。
5.本实用新型采用的方案为：
6.提供一种晶体谐振器，包括装配基座，封装盖，所述装配基座上表面设置有正金属导片和负金属导片，所述正金属导片和负金属导片分别与晶片的导电极接触连接；
7.所述装配基座下表面设置有至少两个金属引脚；
8.所述装配基座上正金属导片和负金属导片的所在位置分别设置有贯通的导电通孔，所述导电通孔一端与正金属导片或负金属导片接触，另一端与一个金属引脚接触。
9.在装配基座上设置有正金属导片和负金属导片，用于与晶片上的导电极接触连接，可以根据晶片型号进行设置，在装配基座上设置有贯通装配基座的导电通孔，导电通孔的位置分别与正金属导片和负金属导片的位置对应，并且数量与正金属导片和负金属导片的数量对应，即为正金属导片和负金属导片分别设置一个导电通孔，导电通孔的一端连接正金属导片或负金属导片，另一端与一个金属引脚连接，形成正金属导片/负金属导片、导电通孔和金属引脚的导电通路，只需要将晶片上的导电极分别与正金属导片和负金属导片接触，并使用封装盖将晶片封装固定在装配基座上，即可完成晶片的装配和导通，不需要在装配基座或相应结构上开设导电沟道或导电材料覆盖通路，使制造工艺的难度下降，同时使通路结构简单，便于晶片的安装和调试，当出现问题可以简单的定位到出问题的位置及问题类型。
10.进一步的，所述正金属导片和负金属导片为条形结构。
11.进一步的，所述正金属导片和负金属导片平行设置在装配基座上。
12.进一步的，所述正金属导片和负金属导片之间的距离与装配的晶片的长或宽相匹配；
13.所述正金属导片和负金属导片的长度相同并与晶片的长边或宽边对应；
14.当正金属导片和负金属导片之间的距离与晶片的长边对应时，正金属导片和负金属导片的长度与晶片的宽度对应；
15.当正金属导片和负金属导片之间的距离与晶片的宽边对应时，正金属导片和负金属导片的长度与晶片的长度对应。
16.晶片的形状一般为矩形，并且晶片的导电极一般设置在晶片的四个角的任意两个角上或附近，具体根据晶片的型号进行设置，而正金属导片和负金属导片为条形结构，并且互相平行设置在装配基座上，并且正金属导片和负金属导片之间的距离与装配的晶片的长或宽相匹配，是为了能够和各种型号，各种导电极位置晶片所对应，条形结构能够使正金属导片和负金属导片贴在矩形晶片的长边或宽边上，并且正金属导片和负金属导片的长度与所贴的晶片的长边或宽边的长度对应，使正金属导片/负金属导片能够接触到晶片两个导电极中的一个，正金属导片和负金属导片设置在晶片的长边或宽边的位置具体根据晶片的导电极的位置决定：当晶片的导电极设置在对角位置时，正金属导片和负金属导片可以设置在长边或宽边的任意位置；当晶片的导电极设置在同一长边的两个角上时，正金属导片和负金属导片分别设置在两个宽边上；当晶片的导电极设置在同一宽边的两个角上是，正金属导片和负金属导片分别设置在两个长边上。在实际生产中，将对应型号的晶片匹配相应设置的晶振装配体，相较于为每个导电极情况设置一个金属导片，这样设置能够用最少的设置情况去匹配各种型号的晶片，减少了生产的工序，提高了生产效率。
17.进一步的，所述导电通孔设置有两个，分别设置在所述条形正金属导片的任一端和所述条形负金属导片的一端。
18.进一步的，所述导电通孔内壁均镀覆有导电金属材料。优选的，为银或铬导电材料。
19.进一步的，所述导电通孔中填充满密封介质。
20.进一步的，所述密封介质为不导电的绝缘材料。优选的，绝缘材料选用低温玻璃。
21.导电通孔的数量与正金属导片和负金属导片的数量对应，即为正金属导片和负金属导片各设置一个导电通孔，导电通孔的一端的导电金属材料与正金属导片/负金属导片接触，另一端的导电金属材料与一个金属引脚接触，正金属导片和负金属导片分别与晶片的两个导电极接触连接，形成金属引脚-导电通孔-晶片-导电通孔-金属引脚的导电回路，导电回路简单明确，当出现问题能够比较好的定位到问题点。
22.进一步的，所述封装盖为内凹的盖板结构，凹陷部分形状大小与装载配晶片相匹配。
23.进一步的，所述金属引脚形状为矩形或正方形。金属引脚的设置位置与导电通孔的位置对应，并且将其中一个金属引脚的矩形或正方形的一角去除，形成五边形，用于区分该晶片装载体连接的正负极。
24.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：通过在装配基座上设置条形的正金属导片/负金属导片，并使其与晶片的长边或短边对应，能够很好的匹配各种型号的晶片，并且金属导片的设置相较于开设导电沟道或镀覆金属覆膜形成导电线路，制造工艺更简
单，并且导电线路更简单，当线路出现问题时，更容易定位到问题点进行修复。
附图说明
25.图1为本实用新型的一种包含封装盖的结构图；
26.图2为本实用新型的一种不包含封装盖的结构图；
27.图3为本实用新型的装配基座的结构透视俯视图；
28.图4为本实用新型的装配基座的结构透视侧视图；
29.附图标注：装配基座1，晶片2，封装盖3，正金属导片11，负金属导片12，导电通孔13，金属引脚14。
具体实施方式
30.本实用新型附图仅用于示例性说明，不能理解为对本实用新型的限制。为了更好说明以下实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
31.实施例1
32.本实施例提供一种晶振装配体，如图1所示包括装配基座1，封装盖3，装配基座1上表面设置有正金属导片11和负金属导片12，所述正金属导片11和负金属导片12分别与晶片2的导电极接触连接；如图2和图3所示，正金属导片11和负金属导片12为条形结构，正金属导片11和负金属导片12互相平行设置，在本实施例中，正金属导片11和负金属导片12设置在晶片2的两条宽边所对应的位置，如图2所示，此时正金属导片11和负金属导片12之间的距离与晶片2的长边的长度对应，使晶片2的两个导电极能够分别与正金属导片11和负金属导片12接触；在另一实施例中，正金属导片11和负金属导片12还可以设置在晶片2的两条宽边所对应的位置，此时正金属导片11和负金属导片12之间的距离与晶片2的宽边的长度对应，此时对应的晶片2的型号类型不同，具体为：
33.当晶片2的两个导电极位置如图2所示均设置在晶片2的长边的两端的角时，正金属导片11和负金属导片12只能分别设置在晶片2的两个宽边所对应的位置；当晶片2的两个导电极位置均设置在晶片2的宽边的两端的角时，正金属导片11和负金属导片12只能分别设置在晶片2的两个长边所对应的位置；当晶片2的两个导电极位置设置在晶片2的对角位置时，正金属导片11和负金属导片12可以分别设置在两个长边或宽边对应的位置。这样设置只需要两种金属导片的设置情况就可以对应所有型号的晶片2，减少了装配器生产的种类数量，提高了生产的效率。
34.装配基座1下表面设置有金属引脚14，如图3所示，在本实施例中，设置有四个金属引脚14，分别设置在装配基座1的四个角的位置。
35.如图3和图4所示，装配基座1上正金属导片11和负金属导片12的所在位置分别设置有贯通的导电通孔13，导电通孔13一端与正金属导片11或负金属导片12接触，另一端与一个金属引脚14接触。导电通孔13的数量与正金属导片11和负金属导片12的数量对应，在本实施例中，设置有一个正金属导片11和一个负金属导片12，所以设置两个导电通孔13，并一个设置在正金属导片11对应的位置，另一个设置在负金属导片12的位置，导电通孔13内壁镀覆有导电金属材料，优选的有银或铬等导电金属材料，导电通孔13中填充有绝缘介质，
优选的有低温玻璃等绝缘介质，内壁的绝缘金属材料在导电通孔13的一端与正金属导片11/负金属导片12接触，在另一端与金属引线接触，一个导电通孔13与一个金属引脚14接触，导电通孔13可以与任意一个金属引线接触，只需要保证其对应的位置只与正金属导片11或负金属导片12中的一个接触连接即可。进一步提高了设置装配的灵活性。形成金属引脚14-金属导片-晶片2-金属导片-金属引脚14的导电通路，结构简单清楚，不需要开设导电沟道，减少了工艺制造难度，同时简单的结构能够在发送问题时，更简单的定位到问题发生点，方便检修。
36.如图3所示，与导电通孔13接触的其中一个金属引脚14被设置为五边形，其他的金属引脚14均为矩形或正方形，设置为正五边形主要是为了方便区分正负极，而这一正负极并无硬性规定，因为晶片2本身性质的影响，正负极并不影响其性能，所以设置使为了方便区分。
37.显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型技术方案所作的举例，而并非是对本实用新型的具体实施方式的限定。凡在本实用新型权利要求书的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

技术特征：

1.一种晶振装配体，包括装配基座，封装盖，其特征在于，所述装配基座上表面设置有正金属导片和负金属导片，所述正金属导片和负金属导片分别与装载在所述装配体上的晶片的导电极接触连接；所述装配基座下表面设置有至少两个金属引脚；所述装配基座上正金属导片和负金属导片的所在位置分别设置有贯通的导电通孔，所述导电通孔一端与正金属导片或负金属导片接触，另一端与一个金属引脚接触。2.根据权利要求1所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述正金属导片和负金属导片为条形结构。3.根据权利要求2所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述正金属导片和负金属导片平行设置在装配基座上。4.根据权利要求3所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述正金属导片和负金属导片之间的距离与装配的晶片的长或宽相匹配；所述正金属导片和负金属导片的长度相同并与晶片的长边或宽边对应；当正金属导片和负金属导片之间的距离与晶片的长边对应时，正金属导片和负金属导片的长度与晶片的宽度对应；当正金属导片和负金属导片之间的距离与晶片的宽边对应时，正金属导片和负金属导片的长度与晶片的长度对应。5.根据权利要求4所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述导电通孔设置有两个，分别设置在所述正金属导片的任一端和所述负金属导片的一端。6.根据权利要求5所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述导电通孔内壁均镀覆有导电金属材料。7.根据权利要求6所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述导电通孔中填充满密封介质。8.根据权利要求7所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述密封介质为不导电的绝缘材料。9.根据权利要求1至8任一项所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述封装盖为内凹的盖板结构，凹陷部分形状大小与所述晶片相匹配。10.根据权利要求1至8任一项所述的一种晶振装配体，其特征在于，所述金属引脚形状为矩形或正方形。

技术总结

一种晶振装配体，包括装配基座，封装盖，装配基座上表面设置有正金属导片和负金属导片，正金属导片和负金属导片分别与晶片的导电极接触连接；装配基座下表面设置有至少两个金属引脚；装配基座上正金属导片和负金属导片的所在位置分别设置有贯通的导电通孔，导电通孔一端与正金属导片或负金属导片接触，另一端与一个金属引脚接触。与现有技术相比，通过设置正金属导片和负金属导片来直接与晶片的导电极接触，并通过导电通孔接通金属引脚，不需要开设额外的导电通路，制造工艺更简单，同时线路简单，方便对于问题点的检修。方便对于问题点的检修。方便对于问题点的检修。