一种monoblock介质滤波器的制作方法

1.本实用新型涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种monoblock介质滤波器。

背景技术：

2.目前，随着无线通信技术的不断发展，无线通信的分布越来越密集，对的体积要求越来越小，其中最重要的器件之一是滤波器，采用小型的滤波器可以达到减小的体积。
3.现有技术中，由于monoblock介质滤波器具有体积小，轻量化的优点，可以有效的解决减小体积的目的。
4.但是在现有技术中，monoblock介质滤波器存在谐波近、远端抑制较差的问题。

技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种monoblock介质滤波器，旨在解决现有技术中的monoblock介质滤波器存在谐波近、远端抑制较差的问题的技术问题。
6.为实现上述目的，本实用新型采用的一种monoblock介质滤波器，包括介质基体、信号输入端口、信号输出端口、介质谐振器和金属薄膜，所述信号输入端口设置于所述介质基体的一侧，所述信号输出端口设置于所述介质基体的一侧，所述介质谐振器的数量为七个，七个所述介质谐振器分别设置于所述介质基体的内部，所述金属薄膜的数量为七片，每片所述金属薄膜分别设置于所述介质基体的一侧，且每片所述金属薄膜分别与对应的所述介质谐振器接触，七个所述介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器、第二介质谐振器、第三介质谐振器、第四介质谐振器、第五介质谐振器、第六介质谐振器和第七介质谐振器。
7.其中，所述介质基体具有干扰孔位，所述干扰孔位设置于所述介质基体的下端。
8.其中，所述干扰孔位横向贯穿所述介质基体，并位于所述介质基体远离所述金属薄膜的一端。
9.其中，所述干扰孔位位于所述介质基体远离所述金属薄膜的一端，且所述干扰孔位位于所述介质基体的底面与侧面的垂直夹角处。
10.其中，所述干扰孔位位于所述介质基体远离所述金属薄膜的一端，所述干扰孔位嵌于所述介质基体的底部，且所述干扰孔位的两端并未贯穿所述介质基体。
11.本实用新型的一种monoblock介质滤波器的有益效果为：在所述介质基体上开设不同形状与位置的所述干扰孔位，可以将所述介质基体的不同谐振模式错开，并将其谐振推远，从而达到指标要求，并且解决谐波近、远端抑制差的问题。
附图说明
12.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提
下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1是本实用新型的第一实施例的结构示意图。
14.图2是本实用新型的第二实施例的结构示意图。
15.图3是本实用新型的第三实施例的结构示意图。
16.1-介质基体、2-信号输入端口、3-信号输出端口、4-金属薄膜、5-第一介质谐振器、6-第二介质谐振器、7-第三介质谐振器、8-第四介质谐振器、9-第五介质谐振器、10-第六介质谐振器、11-第七介质谐振器、12-干扰孔位。
具体实施方式
17.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
18.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
19.实施例1，请参阅图1，本实用新型提供了一种monoblock介质滤波器，包括介质基体1、信号输入端口2、信号输出端口3、介质谐振器和金属薄膜4，所述信号输入端口2设置于所述介质基体1的一侧，所述信号输出端口3设置于所述介质基体1的一侧，所述介质谐振器的数量为七个，七个所述介质谐振器分别设置于所述介质基体1的内部，所述金属薄膜4的数量为七片，每片所述金属薄膜4分别设置于所述介质基体1的一侧，且每片所述金属薄膜4分别与对应的所述介质谐振器接触，七个所述介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器5、第二介质谐振器6、第三介质谐振器7、第四介质谐振器8、第五介质谐振器9、第六介质谐振器10和第七介质谐振器11。
20.进一步地，所述介质基体1具有干扰孔位12，所述干扰孔位12设置于所述介质基体1的下端。
21.进一步地，所述干扰孔位12横向贯穿所述介质基体1，并位于所述介质基体1远离所述金属薄膜4的一端。
22.实施例2，请参阅图2，本实用新型提供了一种monoblock介质滤波器，包括介质基体1、信号输入端口2、信号输出端口3、介质谐振器和金属薄膜4，所述信号输入端口2设置于所述介质基体1的一侧，所述信号输出端口3设置于所述介质基体1的一侧，所述介质谐振器的数量为七个，七个所述介质谐振器分别设置于所述介质基体1的内部，所述金属薄膜4的数量为七片，每片所述金属薄膜4分别设置于所述介质基体1的一侧，且每片所述金属薄膜4分别与对应的所述介质谐振器接触，七个所述介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器5、第二介质谐振器6、第三介质谐振器7、第四介质谐振器8、第五介质谐振器9、第六介质谐振器10和第七介质谐振器11。
23.进一步地，所述介质基体1具有干扰孔位12，所述干扰孔位12设置于所述介质基体1的下端。
24.进一步地，所述干扰孔位12位于所述介质基体1远离所述金属薄膜4的一端，且所述干扰孔位12位于所述介质基体1的底面与侧面的垂直夹角处。
25.实施例3，请参阅图3，本实用新型提供了一种monoblock介质滤波器，包括介质基体1、信号输入端口2、信号输出端口3、介质谐振器和金属薄膜4，所述信号输入端口2设置于所述介质基体1的一侧，所述信号输出端口3设置于所述介质基体1的一侧，所述介质谐振器的数量为七个，七个所述介质谐振器分别设置于所述介质基体1的内部，所述金属薄膜4的数量为七片，每片所述金属薄膜4分别设置于所述介质基体1的一侧，且每片所述金属薄膜4分别与对应的所述介质谐振器接触，七个所述介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器5、第二介质谐振器6、第三介质谐振器7、第四介质谐振器8、第五介质谐振器9、第六介质谐振器10和第七介质谐振器11。
26.进一步地，所述介质基体1具有干扰孔位12，所述干扰孔位12设置于所述介质基体1的下端。
27.进一步地，所述干扰孔位12位于所述介质基体1远离所述金属薄膜4的一端，所述干扰孔位12嵌于所述介质基体1的底部，且所述干扰孔位12的两端并未贯穿所述介质基体1。
28.通过将所述第一介质谐振器5、所述第二介质谐振器6、所述第三介质谐振器7、所述第四介质谐振器8、所述第五介质谐振器9、所述第六介质谐振器10和所述第七介质谐振器11优选在同一直线上，且所述第一介质谐振器5、所述第二介质谐振器6、所述第三介质谐振器7、所述第四介质谐振器8、所述第五介质谐振器9、所述第六介质谐振器10和所述第七介质谐振器11分别贯穿的所述介质基体1均为金属化通孔；
29.所述第二介质谐振器6和所述第三介质谐振器7通过表面的所述金属薄膜4实现电耦合，所述第三介质谐振器7和所述第四介质谐振器8之间通过金属化通孔相对位置实现磁耦合，所述第二介质谐振器6与所述第四介质谐振器8之间通过所述金属薄膜4的飞杆实现电耦合，所述第二介质谐振器6、所述第三介质谐振器7和所述第四介质谐振器8之间两两相互耦合形成高端的传输零点；
30.所述第四介质谐振器8和所述第五介质谐振器9通过表面的所述金属薄膜4实现电偶合，所述第五介质谐振器9和所述第六介质谐振器10通过所述金属薄膜4实现电耦合，所述第四介质谐振器8和所述第六介质谐振器10通过所述金属薄膜4的飞杆实现电耦合，所述第四介质谐振器8、所述第五介质谐振器9和所述第六介质谐振器10两两相互耦合，实现底端的传输零点；
31.所述第六介质谐振器10和所述第七介质谐振器11之间存在混合电磁耦合进行能量传递，所述第六介质谐振器10与所述第七介质谐振器11之间，一部分通过所述金属薄膜4实现电耦合，一部分通过金属化通孔的相对位置实现磁耦合，而设计成磁耦合大于电耦合时，可以实现滤波器通带的高端产生高端传输零点；
32.由于所述介质基体1本身会产生谐振，从而造成谐波近，在根据所述介质谐振器的谐振模式，在所述介质基体1上开设不同形状与位置的所述干扰孔位12，可以将所述介质基体1的不同谐振模式错开，并将其谐振推远，从而达到指标需求。
33.以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于实用新型所涵盖的范围。

技术特征：

1.一种monoblock介质滤波器，其特征在于，包括介质基体、信号输入端口、信号输出端口、介质谐振器和金属薄膜，所述信号输入端口设置于所述介质基体的一侧，所述信号输出端口设置于所述介质基体的一侧，所述介质谐振器的数量为七个，七个所述介质谐振器分别设置于所述介质基体的内部，所述金属薄膜的数量为七片，每片所述金属薄膜分别设置于所述介质基体的一侧，且每片所述金属薄膜分别与对应的所述介质谐振器接触，七个所述介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器、第二介质谐振器、第三介质谐振器、第四介质谐振器、第五介质谐振器、第六介质谐振器和第七介质谐振器。2.如权利要求1所述的一种monoblock介质滤波器，其特征在于，所述介质基体具有干扰孔位，所述干扰孔位设置于所述介质基体的下端。3.如权利要求2所述的一种monoblock介质滤波器，其特征在于，所述干扰孔位横向贯穿所述介质基体，并位于所述介质基体远离所述金属薄膜的一端。4.如权利要求2所述的一种monoblock介质滤波器，其特征在于，所述干扰孔位位于所述介质基体远离所述金属薄膜的一端，且所述干扰孔位位于所述介质基体的底面与侧面的垂直夹角处。5.如权利要求2所述的一种monoblock介质滤波器，其特征在于，所述干扰孔位位于所述介质基体远离所述金属薄膜的一端，所述干扰孔位嵌于所述介质基体的底部，且所述干扰孔位的两端并未贯穿所述介质基体。

技术总结

本实用新型涉及电子器件技术领域，具体公开了一种monoblock介质滤波器，包括介质基体、信号输入端口、信号输出端口、介质谐振器和金属薄膜，信号输入端口设置于介质基体的一侧，七个介质谐振器分别设置于介质基体的内部，每片金属薄膜分别设置于介质基体的一侧，且每片金属薄膜分别与对应的介质谐振器接触，七个介质谐振器从左至右依次为第一介质谐振器、第二介质谐振器、第三介质谐振器、第四介质谐振器、第五介质谐振器、第六介质谐振器和第七介质谐振器。以上结构的设置，在介质基体上开设不同形状与位置的干扰孔位，可以将介质基体的不同谐振模式错开，并将其谐振推远，从而达到解决谐波近、远端抑制差的问题。远端抑制差的问题。远端抑制差的问题。