晶圆减薄装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种晶圆减薄装置。

背景技术：

2.在发光二极管(light emitting diode，led)芯片生产过程中，led芯片的研磨工艺主要是借助晶圆研磨装置对已完成功能的晶圆的背面基体材料进行磨削，以减掉一定厚度。这样有利于对研磨后的晶圆进行封装，同时达到对led芯片的物理强度、散热性、尺寸等要求。
3.然而，现有的晶圆研磨装置通常存在机械结构稳定性较差、磨料力度和转速难以控制、易掺杂异物等问题，容易引起晶圆的晶格损伤，导致出现较深划痕或边缘崩边甚至破片的现象。

技术实现要素：

4.鉴于现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种晶圆减薄装置，通过控制第一溶液刻蚀晶圆表面涂覆的材料，以减薄所述晶圆的整体厚度，有效地解决了传统晶圆研磨装置存在机械结构稳定性较差、磨料力度和转速难以控制、易掺杂异物等问题，避免了出现晶格损伤、较深划痕、崩边甚至破片的缺陷，有效提升了晶圆减薄的良率。
5.本技术提供了一种晶圆减薄装置，用于对晶圆进行减薄。所述晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，所述晶圆放置于所述承载上料机构上，所述承载上料机构与所述减薄机构相对设置，所述减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与所述刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，所述喷射组件与所述承载上料机构上放置的晶圆对准，所述刻蚀液容器与所述喷射组件相连通，使得所述第一溶液通过所述喷射组件喷射至所述晶圆表面。
6.综上所述，晶圆减薄装置设置刻蚀液容器以及喷射组件，通过第一溶液刻蚀晶圆表面涂覆的材料，以减薄所述晶圆的整体厚度，机械结构稳定，避免了出现晶格损伤、较深划痕、崩边甚至破片的缺陷，有效提升了晶圆减薄的良率。
7.可选地，所述承载上料机构包括承载组件、基座以及与所述基座转动连接的运料传输组件，其中，所述承载组件与所述运料传输组件连接，且放置有所述晶圆，所述运料传输组件相对于所述基座移动，使得放置于所述承载组件内的晶圆转移至所述喷射组件处且与所述喷射组件相对准，或者将所述晶圆从与所述喷射组件相对准的位置移开。
8.综上所述，晶圆减薄装置设置运料传输组件和承载组件，使得晶圆可以与所述喷射组件相对准，或者从与所述喷射组件相对准的位置移开，方便对晶圆减薄前后的上料和下料，使得减薄操作更加方便。
9.可选地，所述承载组件包括底座、承载盘以及至少一个胶盘，所述底座与所述运料传输组件连接，并在所述运料传输组件的带动下被转移至与所述喷射组件相对准的位置，或者从与所述喷射组件相对准的位置移开；所述承载盘容置于所述底座内且设置于所述底
座背对所述运料传输组件的一侧，所述胶盘容置于所述承载盘内且位于所述承载盘背向所述底座的一侧，所述晶圆容置于所述胶盘内。
10.可选地，所述胶盘的高度大于或等于500微米，且小于或等于1000微米。
11.综上所述，将胶盘设置较厚，处于500～1000微米之间，使得第一溶液与晶圆的表面反应时不会与晶圆减薄装置的其他结构发生反应，可以有效提高所述晶圆减薄装置各结构的稳定性以及晶圆减薄的良率。
12.可选地，所述运料传输组件包括第一转轴、第二转轴和第三转轴，所述第一转轴与所述基座转动连接，所述第二转轴与所述第一转轴转动连接，所述第三转轴与所述第二转轴转动连接，所述第三转轴与所述承载组件的底座连接；所述运料传输组件选择性将所述承载组件转移至所述基座上并将所述晶圆与所述喷射组件相对准，或者将所述承载组件从所述基座上与所述喷射组件相对准的位置移开。
13.可选地，所述减薄机构还包括第一导管和第一开关阀，所述第一导管连通所述刻蚀液容器与所述喷射组件，所述第一开关阀设置于所述第一导管的任一位置，所述第一开关阀选择性连通或阻断所述刻蚀液容器与所述喷射组件。
14.综上所述，设置第一开关阀和第一导管，可以简便快捷的控制刻蚀液容器与喷射组件连通或阻断，进而简单的控制第一溶液喷射至晶圆表面的时刻，结构简单，控制方便，提高了晶圆减薄的良率。
15.可选地，所述喷射组件包括喷嘴盘和若干喷嘴，所述第一导管与所述喷嘴盘连通，所述喷嘴盘与所述喷嘴连通，所述刻蚀液容器通过所述第一导管与所述喷嘴盘相连通，使得所述第一溶液通过所述喷嘴喷射至所述晶圆表面。
16.可选地，所述喷射组件还包括加热组件，所述加热组件设置于所述第一导管内或围设于所述第一导管的周侧，所述加热组件将所述第一导管内流过的所述第一溶液加热至预定温度。
17.综上所述，设置加热组件，将第一导管内流过的第一溶液加热至预定温度，加热后的第一溶液喷洒在晶圆的表面，有效加快第一溶液与所述晶圆的第一表面的材料的反应速度，提升了晶圆减薄装置对晶圆减薄的效率。
18.可选地，所述晶圆减薄装置还包括冲洗机构，所述冲洗机包括第二导管、第二开关阀和盛载有第二溶液的冲洗液容器，所述冲洗液容器通过所述第二导管与所述喷射组件的喷嘴盘相连通，所述第二开关阀设置于所述第二导管的任一位置，所述第二开关阀的导通和关闭选择性控制所述冲洗液容器与所述喷射组件的连通或阻断；所述第二溶液在所述第二开关阀导通时通过所述第二导管流至所述喷嘴盘，并通过所述喷嘴喷洒至所述晶圆和所述承载组件。
19.可选地，所述晶圆减薄装置还包括废液回收机构，所述废液回收机构包括废料收集容器、第三导管和第三开关阀，所述底座设置有通孔，所述废料收集容器通过所述第三导管与所述通孔连通，以收集所述底座内经所述通孔流出的废液和废料；所述第三开关阀设置于所述第三导管的任一位置，所述第三开关阀的导通和关闭选择性控制所述废料收集容器与所述承载组件之间的连通或阻断。
20.综上所述，在本技术的晶圆减薄装置中，设置减薄机构，使用第一溶液对所述晶圆的表面进行刻蚀，以达到减薄所述晶圆厚度的效果，同时有效避免了由于砂轮磨削晶圆稳
定性较低，易掺杂异物，而且磨削力度和转速较难控制，容易引起晶圆的晶格损伤，造成较深划痕或边缘崩边甚至破片的问题，有效提升了晶圆减薄的良率。
附图说明
21.图1为本技术实施例公开的一种晶圆减薄装置的结构示意图；
22.图2为图1所示的晶圆减薄装置中承载组件的部分结构示意图；
23.图3为图1所示的晶圆减薄装置中承载组件的另一部分结构示意图。
24.附图标记说明：100-晶圆减薄装置；200-晶圆；20-承载上料机构；50-减薄机构；51-刻蚀液容器；52-喷射组件；10-承载组件；12-基座；30-运料传输组件；14-底座；16-承载盘；17-胶盘；172-容纳槽；141-通孔；32-第一转轴；34-第二转轴；36-第三转轴；531-第一开关阀；53-第一导管；534-加热组件；52a-喷嘴盘；52b-喷嘴；60-冲洗机构；70-废液回收机构；61-冲洗液容器；62-第二导管；63-第二开关阀；71-废料收集容器；73-第三导管；74-第三开关阀。
具体实施方式
25.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
26.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
27.在传统发光二极管(light emitting diode，led)芯片生产过程中，led芯片后段工艺中的研磨工艺主要是借助晶圆研磨装置对已完成功能的晶圆的背面基体材料进行磨削，以减掉一定厚度的材料。这样有利于对研磨后的晶圆进行封装，同时达到对led芯片的物理强度、散热性、尺寸等要求。然而，市面上现有的晶圆研磨装置对晶圆进行研磨时通常存在机械结构稳定性较差、磨料力度和转速难以控制、易掺杂异物等问题，这样容易引起晶圆较大的晶格损伤，导致出现较深划痕或边缘崩边，甚至破片的现象。
28.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的晶圆减薄方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
29.请参阅图1，图1为本技术实施例公开的一种晶圆减薄装置100的结构示意图。如图1所示，在本技术实施例中，所述晶圆减薄装置100用于对晶圆200进行刻蚀减薄，具体为，所述晶圆减薄装置100可以对所述晶圆200的背面基体材料进行刻蚀去除，以减薄预定厚度的材料，这有利于晶圆的后续封装工艺要求以及led芯片的物理强度、散热性以及尺寸等要求。
30.在本技术实施方式中，所述晶圆减薄装置100包括承载上料机构20和减薄机构50。所述承载上料机构20与所述减薄机构50相对设置，所述晶圆200置于所述承载上料机构20上，其中，所述减薄机构50包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器51以及与所述刻蚀液容器51选择性连通的喷射组件52，所述喷射组件52与所述承载上料机构20上的晶圆200对准，所述
刻蚀液容器51与所述喷射组件52连通时，所述第一溶液通过所述喷射组件52喷射至所述晶圆200表面，以减薄所述晶圆200的厚度。
31.在本技术实施例中，所述第一溶液可以为(hf)，本技术对此不做具体限制。所述晶圆200可以是硅晶片，本技术对此不做具体限制。
32.在本技术实施例中，所述晶圆减薄装置100设置有刻蚀液容器51和喷射组件52，所述喷射组件52将所述刻蚀液容器51内的第一溶液喷洒在所述晶圆200的表面，因此通过控制第一溶液与所述晶圆200表面涂覆的材料进行反应，以刻蚀所述晶圆200表面涂覆的材料，从而减薄所述晶圆200的整体厚度。因此，本技术的晶圆减薄装置100机械结构稳定性好，通过所述第一溶液实现了对晶圆200减薄的作用，从而有效地解决了传统晶圆200研磨装置存在机械结构稳定性较差、磨料力度和转速难以控制、易掺杂异物等问题，进而避免了晶圆200的晶格损伤以及出现较深划痕或崩边甚至破片的缺陷，有效提升了晶圆200减薄的良率。
33.请继续参阅图1，如图1所示，所述承载上料机构20包括承载组件10、基座12以及与所述基座12转动连接的运料传输组件30。其中，所述承载组件10与所述运料传输组件30的一端固定连接，用于放置所述晶圆200。所述运料传输组件30的另一端与所述基座12转动连接，也即为，所述承载组件10可通过所述运料传输组件30相对于所述基座12往复移动，从而将所述晶圆200转移至所述减薄机构50的喷射组件52处，并使所述晶圆200与所述喷射组件52相对准，或者将所述晶圆200从与所述喷射组件52相对准的位置移开。
34.换言之，所述运料传输组件30可带动所述承载组件10在初始位置与加工位置之间往复移动。如图1所示，所述承载组件10的初始位置为图1中虚线所示的位置，此时，所述承载组件10与位于所述承载组件10内的晶圆200从与所述喷射组件52相对准的位置移开。所述承载组件10的加工位置为所述晶圆200与所述喷射组件52相对准时所处的位置。
35.可以理解的是，当所述承载组件10处于初始位置时，还可以将待加工的晶圆200放置于所述承载组件10内，或者将刻蚀减薄后的晶圆200从所述承载组件10内取出。
36.在本技术实施例中，所述基座12整体可以为长方体结构，所述基座12用于支撑所述晶圆减薄装置100的其他机构，也可以用于设置控制所述晶圆减薄装置100执行动作的控制组件，本技术对此不做具体限制。在本技术示意性实施方式中，所述控制组件包括但不限于：单片机、微控制器、微处理器以及其他具有数据处理能力和逻辑控制能力的控制器件。
37.请一并参阅图2和图3，图2为图1所示的晶圆减薄装置100中承载组件10的部分结构示意图。图3为图1所示的晶圆减薄装置100中承载组件10的另一部分结构示意图。
38.在本技术实施例中，所述承载组件10包括底座14、承载盘16以及至少一个胶盘17，所述底座14与所述运料传输组件30可拆卸固定连接，并可在所述运料传输组件30的带动下相对于所述基座12往复移动，从而将所述晶圆200与所述喷射组件52相对准(即所述加工位置)，或者将所述晶圆200从与所述喷射组件52相对准的位置移开至所述初始位置。
39.所述底座14整体可为中空的圆盘状结构。所述底座14可以包括底板以及围设于所述底板周侧的侧板，所述底板与所述侧板围设形成第一容置空间，所述第一容置空间用于容置承载盘16、胶盘17以及晶圆200于其内。
40.在本技术实施例中，所述底座14可为陶瓷盘装载器，本技术对此不做具体限制。
41.如图3所示，所述承载盘16整体可为中空的圆盘状结构，可由陶瓷材料制成。所述
承载盘16设置于所述底座14背对所述运料传输组件30的一侧，并容置于所述第一容置空间，所述承载盘16用于容纳所述胶盘17和所述晶圆200。具体而言，所述承载盘16设置于所述底座14的底板上，并容置于所述第一容置空间内。所述承载盘16覆盖所述底座14的底板以及所述底座14的部分侧板，所述承载盘16的高度小于所述底座14的高度，即所述承载盘16的高度小于所述底座14的侧板的高度。
42.在本技术具体实施例中，所述承载盘16可以包括底板以及围设于所述底板周侧的侧板，所述承载盘16的底板与侧板形成第二容置空间，所述第二容置空间用于容置所述胶盘17和所述晶圆200于其内。
43.在本技术实施例中，所述承载盘16可为陶瓷盘，本技术对此不做具体限制。
44.如图3所示，在本技术实施例中，所述胶盘17整体可为圆盘状结构，其可由光刻胶制成。所述胶盘17容置于所述第二容置空间且位于所述承载盘16背向所述底座14的一侧，用于容纳所述晶圆200，即所述胶盘17容置于所述承载盘16内且位于所述承载盘16背向所述底座14的一侧，所述晶圆200容置于所述胶盘17内。具体而言，所述胶盘17设置于所述承载盘16的底板上，并容置于所述第二容置空间内，所述胶盘17至少覆盖所述承载盘16的底板以及所述承载盘16的部分侧板。
45.在本技术实施例中，所述胶盘17背对所述承载盘16的表面开设有至少一个容纳槽172，具体为，所述胶盘17自背对所述承载盘16的表面朝向所述承载盘16的方向凹设延伸形成至少一个容纳槽172。所述容纳槽172用于容置所述晶圆200。
46.可以理解的是，所述容纳槽172的数量例如可以为：1个、2个、4个、5个、7个、10个、或其他数量个，本技术对此不做具体限制。本技术实施例以所述胶盘17的容纳槽172的数量为7个为例进行说明，也即为，所述胶盘17同时可放置7个所述晶圆200。
47.所述胶盘17的高度小于或等于所述承载盘16的高度，即所述胶盘17的高度小于所述承载盘16的侧板的高度。
48.在本技术实施例中，所述晶圆200通过所述胶盘17与所述承载盘16固定连接，具体地，所述晶圆200通过所述胶盘17与所述承载盘16吸附粘接。
49.如图2所示，在本技术实施例中，所述底座14设置有通孔141，所述通孔141用于将所述第一溶液引流至废液回收机构70(见图1，将在后文详细阐述)。其中，所述通孔141的数量、大小和位置可以根据实际生产需要确定，本技术对此不做具体限制。
50.如图3所示，在本技术实施例中，所述晶圆200包括第一表面和第二表面，所述第一表面可以为所述晶圆200的背面，所述第二表面可以为所述晶圆200的正面。所述晶圆200置于所述胶盘17相应的容纳槽172内，所述晶圆200的第一表面(即晶圆200的背面)背向所述胶盘17，即所述晶圆200的背面面向所述减薄机构50的喷射组件52。所述晶圆200的第二表面(即晶圆200的正面)朝向所述胶盘17。即就是，所述晶圆200的第一表面较所述晶圆200的第二表面更靠近所述减薄机构50的喷射组件52。
51.在本技术具体实施例中，将光刻胶涂覆至所述晶圆200的第二表面(即所述晶圆200的正面)，该涂覆有光刻胶的所述晶圆200置于所述承载盘16内，且所述晶圆200的第二表面朝向所述承载盘16，光刻胶固化后形成所述胶盘17。
52.在本技术具体实施例中，所述胶盘17的高度可以大于或等于500微米(μm)，且小于或等于1000微米，即500～1000微米之间，例如，500微米、550微米、650微米、800微米、850微
米、900微米、930微米、1000微米、或其他数值。具体地，所述胶盘17的底板的高度可以大于或等于500微米，且小于或等于1000微米，即500～1000微米之间，可以理解的是，所述胶盘17的高度可以根据晶圆200的厚度，并结合实际生产需要确定，本技术对此不做具体限制。
53.在本技术具体实施例中，所述晶圆200朝向所述胶盘17一侧的厚度一般需要从650微米减少至250微米，本技术将光刻胶的厚度设置在500～1000微米之间，使得所述第一溶液与所述晶圆200的第一表面(即所述晶圆200的背面)反应时，不会与所述晶圆减薄装置100的其他结构发生反应，可以有效提高所述晶圆减薄装置100各结构的稳定性，以及对所述晶圆200减薄的良率。
54.在本技术具体实施例中，所述承载盘16的底板可以为圆形，此时，所述承载盘16面向所述晶圆200的一侧表面的直径可以为360mm。若涂覆光刻胶的晶圆200的直径为小于或等于120mm，那么所述承载盘16的第二容置空间至少可以容置7个所述晶圆200(如图3所示)。
55.请继续参阅图1，所述运料传输组件30包括第一转轴32、第二转轴34和第三转轴36。所述第一转轴32与所述基座12转动连接，所述第二转轴34与所述第一转轴32转动连接，所述第三转轴36与所述第二转轴34转动连接，所述第三转轴36与所述承载组件10的底座14可拆卸固定连接。所述运料传输组件30用于选择性将所述承载组件10转移至所述基座12上并将所述晶圆200与所述喷射组件52相对准，或者将所述承载组件10从所述基座12上与所述喷射组件52相对准的位置移开。
56.在本技术具体实施例中，所述第一转轴32、第二转轴34和第三转轴36整体均可以为轴类结构，所述第一转轴32、第二转轴34和第三转轴36均可以绕着各自的轴线方向转动。所述第一转轴32的轴线方向可以与所述基座12的中心位置重合且与所述基座12用于放置所述承载组件10的表面垂直。
57.如图1所示，在本技术实施例中，所述刻蚀液容器51整体可以为长方体空腔结构，所述刻蚀液容器51与所述喷射组件52选择性连通。
58.如图1所示，在本技术具体实施例中，所述减薄机构50还包括第一导管53和第一开关阀531，所述刻蚀液容器51的一侧表面设有开口，所述第一导管53的第一端与所述刻蚀液容器51的开口连通，所述第一导管53的第二端与所述喷射组件52连通，即所述第一导管53连通所述刻蚀液容器51与所述喷射组件52。所述第一开关阀531设置于所述第一导管53的任一位置，所述第一开关阀531选择性连通或阻断所述刻蚀液容器51与所述喷射组件52。可以理解的是，所述第一导管53的第一端可为所述第一导管53的进液口，所述第一导管53的第二端可为所述第一导管53的出液口。所述第一开关阀531设置于所述第一导管53的第一端与第二端之间的任一位置处。
59.可以理解的是，所述第一开关阀531可以设置于所述第一导管53内部，也可以设置于所述第一导管53的周侧，本技术对此不做具体限制。
60.在本技术具体实施例中，设置刻蚀液容器51与所述喷射组件52，以实现将第一溶液选择性引流至所述晶圆200的第一表面，以使所述第一溶液与所述晶圆200的第一表面的材料进行化学反应，从而达到减薄所述晶圆200厚度的效果，有效提升了晶圆200减薄的良率。
61.如图1所示，在本技术实施例中，所述喷射组件52包括喷嘴盘52a和若干喷嘴52b。
所述喷嘴52b的数量可以根据实际情况确定，例如：3个、4个、5个、或其他数量，本技术对此不做具体限制。
62.所述喷嘴盘52a整体为长方形空腔结构，所述第一导管53的第二端与所述喷嘴盘52a连通，所述喷嘴盘52a与所述喷嘴52b连通。所述喷射组件52的喷嘴52b与所述承载上料机构20上放置的晶圆200对准，所述刻蚀液容器51通过所述第一导管53与所述喷射组件52的喷嘴盘52a连通时，所述第一溶液通过所述喷射组件52的喷嘴52b喷射至所述晶圆200表面。
63.在本技术实施例中，所述喷射组件52还包括加热组件534，所述加热组件534设置于所述第一导管53内，用于对所述第一导管53流过的第一溶液进行加热。具体为，所述加热组件534将所述第一导管53内流过的第一溶液加热至预定温度，加热后的第一溶液传输至所述喷射组件52的喷嘴盘52a，并通过所述喷嘴52b喷洒在所述晶圆200的表面，以加快所述第一溶液与所述晶圆200的第一表面的材料的反应速度。
64.可以理解的是，所述加热组件534也可以包裹于所述第一导管53的周侧，用于对所述第一导管53流过的第一溶液进行加热。
65.在本技术实施例中，所述晶圆200的第一表面的材料可以为三氧化二铝(al2o3)，所述第一溶液可以为(hf)，此时，三氧化二铝(al2o3)和(hf)发生化学反应，生成六氟合铝酸(h6alf6)。在对所述晶圆200减薄完成后，由于生成的六氟合铝酸为易溶物，易于清理。所述预定温度可以为300摄氏度。
66.在本技术具体实施例中，所述喷嘴盘52a可以绕着所述第一导管53的轴线方向旋转，以将所述第一溶液引流至各喷嘴52b，进而由喷嘴52b均匀喷射至所述晶圆200的第一表面。
67.如图1所示，在本技术实施例中，所述晶圆减薄装置100还包括冲洗机构60和废液回收机构70。所述冲洗机构60与所述喷射组件52的喷嘴盘52a连通，用于在所述晶圆200减薄后对所述晶圆200以及承载组件10进行冲洗。所述废液回收机构70与所述承载组件10连通，用于收集对所述晶圆200以及承载组件10冲洗的废液以及废液中的废料。
68.在本技术实施例中，所述冲洗机构60包括冲洗液容器61、第二导管62和第二开关阀63，其中，所述冲洗液容器61与所述第二导管62的一端连通，所述第二导管62相对的另一端与所述喷射组件52的喷嘴盘52a相连通，即所述冲洗液容器61通过所述第二导管62与所述喷射组件52的喷嘴盘52a相连通。所述第二开关阀63设置于所述第二导管62的任一位置，所述第二开关阀63的导通和关闭可以选择性控制所述冲洗液容器61与所述喷射组件52之间的连通或阻断。
69.在本技术具体实施例中，所述冲洗液容器61中盛载有第二溶液。第二溶液可以为水溶液，本技术对此不做具体限制。
70.在本技术具体实施例中，所述冲洗液容器61整体可以为长方体空腔结构，所述冲洗液容器61的一侧表面设有开口，所述第二导管62的第一端与所述冲洗液容器61的开口连通，所述第二导管62的第二端与所述喷射组件52连通。因此，所述冲洗液容器61内的第二溶液在所述第二开关阀63导通时通过所述第二导管62流至所述喷嘴盘52a，并通过所述喷嘴52b喷洒至所述晶圆200和所述承载组件10，用于在对所述晶圆200减薄后对所述晶圆200以及所述承载组件10进行冲洗。
71.如图1所示，在本技术实施例中，所述废液回收机构70包括废料收集容器71、第三导管73和第三开关阀74。所述废料收集容器71通过所述第三导管73与所述承载组件10连通。具体地，所述废料收集容器71通过所述第三导管73与所述底座14的通孔141连通，以收集所述底座14内经所述通孔141流出的废液以及废液中的废料。所述第三开关阀74设置于所述第三导管73的任一位置，所述第三开关阀74控制所述废料收集容器71与所述承载组件10通过所述第三导管73选择性连通或阻断，也即，所述第三开关阀74的导通和关闭可以选择性控制所述废料收集容器71与所述承载组件10之间的连通或阻断。
72.在本技术具体实施例中，所述废料收集容器71整体可以为长方体空腔结构，所述废料收集容器71的一侧表面设有开口，所述第三导管73的第一端与所述废料收集容器71的开口连通，所述第三导管73的第二端与所述承载组件10连通。因此，所述承载组件10流出的废液以及废液中的废料在所述第三开关阀74导通时通过所述第三导管73流至所述废料收集容器71内。
73.接下来，将对本技术实施例提供的晶圆减薄装置100的工作过程进行阐述。
74.第一步，将光刻胶涂覆于所述晶圆200的第二表面(即所述晶圆200的正面)，将所述晶圆200的第二表面面朝所述承载盘16，待所述光刻胶固化后，即形成胶盘17。所述晶圆200通过所述胶盘17吸附固定于所述承载组件10上。
75.第二步，通过所述运料传输组件30将所述承载组件10置于所述基座12上，以使所述晶圆200与所述减薄机构50的喷射组件52对位。
76.第三步，调整工艺参数，如将加热组件534的加热温度在设置为300摄氏度，所述喷嘴盘52a的转速设置为1400转/分，所述第一溶液的浓度为40％等。
77.第四步，控制所述第一开关阀531处于导通状态，以连通所述刻蚀液容器51与所述喷射组件52，所述第一溶液经由所述喷嘴盘52a和若干喷嘴52b喷在所述晶圆200的第一表面，使得所述第一溶液与所述晶圆200的第一表面发生化学反应，进而刻蚀减薄所述晶圆200的厚度。
78.第五步，在对所述晶圆200进行减薄结束后，控制所述第一开关阀531处于关闭状态，所述第二开关阀63处于导通状态，此时所述刻蚀液容器51与所述喷射组件52阻断，所述冲洗液容器61与所述喷射组件52连通，所述第二溶液经由所述喷射组件52喷射至所述晶圆200和所述承载组件10上，以清洗对所述晶圆200减薄产生的废液和废料。同时，控制所述第三开关阀74处于导通状态，所述废料收集容器71与所述承载组件10连通，对所述晶圆200减薄产生的废液和废料随所述第二溶液经由所述底座14的通孔141以及所述第三导管73收集至所述废料收集容器71。
79.第六步，清洗完毕后，控制所述第三开关阀74处于关闭状态，通过所述运料传输组件30将所述承载组件10自所述基座12上的加工位置移出至初始位置。其中，可以理解的是，此时的所述晶圆200已经完成减薄，可以取出后进行下一步抛光工艺。
80.在本技术实施例中，所述第三转轴36可以沿其轴线方向移动，即沿靠近或远离所述喷射组件52的方向移动。在所述第二溶液经由所述喷射组件52清洗所述承载组件10和所述晶圆200时，所述第三转轴36向靠近所述喷射组件52的方向移动，以靠近所述喷嘴52b，使得所述第二溶液能够喷射至所述晶圆200和所述承载组件10上。
81.综上所述，在本技术的晶圆减薄装置100中，设置减薄机构50，使用第一溶液，例如
(hf)来对所述晶圆200的第二表面进行刻蚀，以达到减薄所述晶圆200厚度的效果，同时有效避免了由于砂轮磨削晶圆200稳定性较低，易掺杂异物，而且磨削力度和转速较难控制，容易引起晶圆200的晶格损伤，造成较深划痕或边缘崩边甚至破片的问题，有效提升了减薄晶圆厚度的良率。
82.对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
83.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：

1.一种晶圆减薄装置，用于对晶圆进行减薄，其特征在于，所述晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，所述晶圆放置于所述承载上料机构上，所述承载上料机构与所述减薄机构相对设置，所述减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与所述刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，所述喷射组件与所述承载上料机构上放置的晶圆对准，所述刻蚀液容器与所述喷射组件相连通，使得所述第一溶液通过所述喷射组件喷射至所述晶圆表面。2.如权利要求1所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述承载上料机构包括承载组件、基座以及与所述基座转动连接的运料传输组件，其中，所述承载组件与所述运料传输组件连接，且放置有所述晶圆，所述运料传输组件相对于所述基座移动，使得放置于所述承载组件内的晶圆转移至所述喷射组件处且与所述喷射组件相对准，或者将所述晶圆从与所述喷射组件相对准的位置移开。3.如权利要求2所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述承载组件包括底座、承载盘以及至少一个胶盘，所述底座与所述运料传输组件连接，并在所述运料传输组件的带动下被转移至与所述喷射组件相对准的位置，或者从与所述喷射组件相对准的位置移开；所述承载盘容置于所述底座内且设置于所述底座背对所述运料传输组件的一侧，所述胶盘容置于所述承载盘内且位于所述承载盘背向所述底座的一侧，所述晶圆容置于所述胶盘内。4.如权利要求3所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述胶盘的高度大于或等于500微米，且小于或等于1000微米。5.如权利要求3所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述运料传输组件包括第一转轴、第二转轴和第三转轴，所述第一转轴与所述基座转动连接，所述第二转轴与所述第一转轴转动连接，所述第三转轴与所述第二转轴转动连接，所述第三转轴与所述承载组件的底座连接；所述运料传输组件选择性将所述承载组件转移至所述基座上并将所述晶圆与所述喷射组件相对准，或者将所述承载组件从所述基座上与所述喷射组件相对准的位置移开。6.如权利要求2所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述减薄机构还包括第一导管和第一开关阀，所述第一导管连通所述刻蚀液容器与所述喷射组件，所述第一开关阀设置于所述第一导管的任一位置，所述第一开关阀选择性连通或阻断所述刻蚀液容器与所述喷射组件。7.如权利要求6所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述喷射组件包括喷嘴盘和若干喷嘴，所述第一导管与所述喷嘴盘连通，所述喷嘴盘与所述喷嘴连通，所述刻蚀液容器通过所述第一导管与所述喷嘴盘相连通，使得所述第一溶液通过所述喷嘴喷射至所述晶圆表面。8.如权利要求7所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述喷射组件还包括加热组件，所述加热组件设置于所述第一导管内或围设于所述第一导管的周侧，所述加热组件将所述第一导管内流过的所述第一溶液加热至预定温度。9.如权利要求7所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述晶圆减薄装置还包括冲洗机构，所述冲洗机包括第二导管、第二开关阀和盛载有第二溶液的冲洗液容器，所述冲洗液容器通过所述第二导管与所述喷射组件的喷嘴盘相连通，所述第二开关阀设置于所述第二导管的任一位置，所述第二开关阀的导通和关闭选择性控制所述冲洗液容器与所述喷射组件
的连通或阻断；所述第二溶液在所述第二开关阀导通时通过所述第二导管流至所述喷嘴盘，并通过所述喷嘴喷洒至所述晶圆和所述承载组件。10.如权利要求3所述的晶圆减薄装置，其特征在于，所述晶圆减薄装置还包括废液回收机构，所述废液回收机构包括废料收集容器、第三导管和第三开关阀，所述底座设置有通孔，所述废料收集容器通过所述第三导管与所述通孔连通，以收集所述底座内经所述通孔流出的废液和废料；所述第三开关阀设置于所述第三导管的任一位置，所述第三开关阀的导通和关闭选择性控制所述废料收集容器与所述承载组件之间的连通或阻断。

技术总结

本申请涉及一种晶圆减薄装置，晶圆减薄装置用于对晶圆进行减薄。晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，晶圆放置于承载上料机构上，承载上料机构与减薄机构相对设置，减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，喷射组件与承载上料机构上放置的晶圆对准，刻蚀液容器与喷射组件相连通，使得第一溶液通过喷射组件喷射至晶圆表面。在本申请的晶圆减薄装置中，第一溶液对晶圆进行刻蚀减薄，减薄晶圆的整体厚度，机械结构稳定性好，避免出现晶格损伤、划痕、崩边甚至破片，有效提升晶圆减薄的良率。率。率。