H01L21/02
1、一种用于制造半导体器件的硅抛光片与外延片,其长期保存 和运输是用软塑或纸袋分片包装,或外部用硬塑盒、内底聚丙烯刻槽、 间隙立插式,高纯密封包装;本实用新型的特征是:在合格的硅抛光 片与外延片的表面有一层用热氧化方法或气相淀积法等器件制备中的 钝化方法生长的保护膜,目的是取代硅抛光片与外延片长期保存和运 输用袋装或盒装的方法。
2、一种按照权利要求1所说的硅抛光片或外延片,其特征在于: 保护膜的厚度为500以上。
3、一种按照权利要求1和2所说的硅抛光片与外延片,其特征 在于:保护膜可以是有机物,也可以是无机物,如SiO 2、Al 2O 3、 Si 3N 4和光刻胶、硅油等等。
该实用新型属于半导材料。
目前半导体器件厂所用的半导体材料是材料厂生产的硅抛光片与 外延片。而硅抛光片与外延片的存放和运输大多是用盒装或袋装,这 样硅抛光片与外延片表面容易划伤,又因长期在空气中暴露而容易使 镜面污染。这就影响了硅材料的质量,从而影响半导体器件的质量。 虽然象美国Mon Sante公司等采用外金属壳、内硬塑盒、间隙立 插式、高纯密封包装,可使硅抛光片与外延片少沾污、少划伤,但是 工艺复杂、占空间大、成本高。
该实用新型的目的是使硅抛光片与外延片在使用之前便于保存和 运输,并且不划伤、不沾污,以保持硅抛光片与外延片镜面的高完美 度和高洁净度,从而提高半导体器件的性能。
该实用新型是在原来合格的硅抛光片或外延片上用热氧化方法或 气相淀积法等器件制备中的钝化方法生长一层保护膜。此膜的厚度为 500以上。此保护膜可是有机物,也可是无机物,如SiO2、 Al2O3、Si3N4、和光刻胶、硅油等。带有保护膜的硅抛光片和 外延片可根据保护膜的不同及不同的厚度而呈现不同的颜。其结构 示意图如附图所示。
图1 为带保护膜的硅抛光片(外延片)的俯视图,内部为硅抛 光片或外延片,阴影部分为保护膜,厚度500以上。
图2 为全保护硅抛光片(外延片)的侧视图,内部为硅抛光片 或外延片,阴影部分为保护膜,厚度500以上。
图3 为镜面保护硅抛光片(外延片)的侧视图,内部为硅抛光 片(外延片),阴影部分为保护膜,其厚度为500以上。
硅抛光片与外延片因外加一层致密而坚硬的保护膜,所以用袋装 或盒接触存放及运输方便,而且不沾污、不划伤。使用之前用漂洗 液进行漂洗即可去除保护膜。这样就有效地保持了硅抛光片与外延片 的高完美度和高洁净度,从而提高了硅材料的质量,相应也可以提高 半导体器件的质量。同时此保护膜生长工艺简单、成本低。
本文发布于:2024-09-25 08:21:05,感谢您对本站的认可!
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