塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件与流程

1.本技术涉及光栅纳米压印技术领域，更具体地，本技术涉及一种塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件。

背景技术：

2.光波导是一种利用光栅实现图像近眼显示的技术。光波导可以通过全反射压缩将图像传导至人眼成像，具有轻薄及透过率高的特点。光波导都采用光栅用于光的耦和耦出，光栅是光波导的核心部件。目前，光栅通常采用微纳加工制作。
3.在光栅的微纳加工过程中，通常需要使用压印胶例如uv胶实现晶圆及其他元器件的粘接固定，而其中的晶圆多为玻璃材质，也即采用的是玻璃晶圆。由于玻璃晶圆在微纳加工产品中占据较高的成本，且微纳加工中存在大量的压印不良的问题而导致产品的报废，因此，近年来提出了利用塑料晶圆替代玻璃晶圆的微纳加工方案。但是，在塑料晶圆的表面上附着目前的压印胶之后发现，塑料晶圆与uv胶之间的粘附力很差，这导致在后续压印的过程中会出现大面积脱胶的不良现象，而该现象目前并未得到有效和妥善的解决，这不利于光栅的制作，也会影响光波导的生产加工，进而影响到光波导的发展。

技术实现要素：

4.本技术的一个目的在于提供的一种塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件的新技术方案，能够增加塑料晶圆对压印胶的附着力，利用提升塑料晶圆的纳米压印质量。
5.第一方面，本技术的实施例提供了一种塑料晶圆的处理方法，所述处理方法包括：
6.在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面；其中，所述等离子体溅射法采用的保护气体包括氩气和氧气的混合气体；
7.对所述辅助表面进行匀胶处理，在所述辅助表面上形成压印胶层；及
8.在所述压印胶层上制作出纳米压印图案。
9.可选地，所述在所述压印胶层上制作出纳米压印图案之后，还包括：对所述塑料晶圆进行切割，以获得光栅片。
10.可选地，所述在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤包括：
11.在塑料晶圆的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面；其中，溅射强度为大于300w，溅射时间为大于100s。
12.可选地，所述在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤包括：
13.在塑料晶圆的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面；其中，溅射强度为大于300w～350w，溅射时间为100s～200s。
14.可选地，在所述在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤之
前，还包括：
15.向等离子体设备的腔室内通入氩气和氧气；
16.将所述腔室内的溅射强度设置为大于400w，并于该溅射强度下溅射100s～200s，以使所述腔室内部充满等离子体气氛。
17.可选地，在所述腔室内：氩气流量为20sccm～30sccm，氧气流量为2sccm～10sccm。
18.可选地，所述匀胶处理包括：
19.将压印胶于1000rpm～3000rpm的转速下涂覆于所述塑料晶圆的辅助表面上；
20.将涂好所述压印胶的所述塑料晶圆于设定温度下进行烘烤处理，并在完成烘烤后取出该塑料晶圆冷却至室温，在所述辅助表面上形成压印胶层。
21.可选地，在所述匀胶处理中：所述设定温度为100℃～140℃，烘烤的时间为60s。
22.可选地，所述压印胶为紫外光固化胶。
23.可选地，所述在所述压印胶层上制作出纳米压印图案的步骤包括：
24.取纳米压印模板，在所述纳米压印模板上形成有所需的纳米压印图案；
25.将所述纳米压印图案与所述压印胶层相对设置，并施加压力将所述纳米压印模板与所述压印胶层压合，将所述纳米压印模板上的所述纳米压印图案转印至所述压印胶层上；及
26.待所述压印胶层固化之后进行脱模处理，以使所述纳米压印模板与所述塑料晶圆分离，得到表面压印有所述纳米压印图案的塑料晶圆。
27.可选地，所述纳米压印模板为软膜；
28.使所述压印胶层固化的方式为紫外曝光处理。
29.第二方面，本技术实施例提供了一种塑料晶圆，采用如上所述的处理方法得到，所述塑料晶圆包括塑料衬底，在所述塑料衬底的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面，在所述辅助表面上覆盖有纳米压印图案。
30.第三方面，本技术实施例提供了一种光栅片，所述光栅片采用如上所述的塑料晶圆经切割形成。
31.第四方面，本技术实施例提供了一种光波导器件，所述光波导器件包括至少一层波导基底，以及设置于所述波导基底上的耦入光栅和耦出光栅；其中，所述耦入光栅及所述耦出光栅均采用如上所述的光栅片。
32.可选地，所述耦入光栅与所述耦出光栅设于所述波导基底同一侧的表面上；或者，
33.所述耦入光栅与所述耦出光栅设于所述波导基底相对两侧的表面上。
34.第五方面，本技术实施例提供了一种头戴显示设备，所述头戴显示设备包括如上所述的光波导器件。
35.本技术的有益效果在于：
36.本技术实施例提供了一种塑料晶圆的处理方法，通过先采用等离子体溅射法对塑料晶圆的表面进行预处理，以此可以增加塑料晶圆表面的活性，从而利于增加塑料晶圆与压印胶之间的结合力，能改善塑料晶圆的微纳加工过程中存在塑料晶圆与压印胶之间的粘附力差的问题，可以避免在压印过程中出现大面积脱胶的情况，从而能避免因压印不良而导致产品报废的情况。
37.通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其
优点将会变得清楚。
附图说明
38.被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本技术的原理。
39.图1是本技术实施例的塑料晶圆的处理方法的流程图之一；
40.图2是本技术实施例的塑料晶圆的处理方法的流程图之二。
41.附图标记说明：
42.100、塑料晶圆；110、辅助表面；200、压印胶层；300、纳米压印图案；001、纳米压印模板。
具体实施方式
43.现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
44.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。
45.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
46.在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
47.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
48.下面结合附图对本技术实施例提供的塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件进行详细地描述。
49.根据本技术的一个实施例，提供了一种塑料晶圆的处理方法，如图1所示，所述纳米压印方法至少包括如下的步骤110～步骤130：
50.步骤110、在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面；其中，所述等离子体溅射法采用的保护气体包括氩气(ar)和氧气(o2)的混合气体；
51.步骤120、经过步骤110之后，对所述塑料晶圆表面上形成的所述辅助表面进行匀胶处理，以在所述辅助表面上形成压印胶层；
52.步骤130、待经步骤120之后，在形成的所述压印胶层上制作出纳米压印图案。
53.也就是说，本技术实施例提供的处理方法为：先使用等离子体溅射技术对塑料晶圆的表面进行预处理，以此来增加塑料晶圆表面的活性，这利于增加塑料晶圆与压印胶二者之间的结合力；之后再进行压印胶的均匀涂覆，即可在塑料晶圆经预处理后的表面上形成与塑料晶圆结合牢度较高的压印胶层，即可进行后续的微纳结构压印。
54.需要说明的是，在相关的技术中，在微纳加工中目前采用先旋涂增黏剂，再旋涂uv胶的方法使uv胶能牢固地粘附在玻璃晶圆的表面上。增黏剂中的有效成分有机硅酸盐聚合物能同时与玻璃晶圆和uv胶发生反应起到良好地增黏固定作用。但该方法只针对玻璃晶圆
有明显的效果，针对塑料晶圆却没有效果，塑料晶圆在后续微纳加工过程中仍然出现了大面积脱胶的现象，这会影响压印工艺。这就在很大程度上制约了塑料晶圆在微纳加工中的应用。
55.在本技术实施例的方案中，通过先采用等离子体溅射法对塑料晶圆的表面进行预处理，以此可以增加塑料晶圆表面的活性，利于增加塑料晶圆与压印胶之间的结合力，能改善塑料晶圆的微纳加工过程中存在塑料晶圆与压印胶之间的粘附力差的问题，可以避免在压印过程中出现大面积脱胶的情况，从而能避免因压印不良而导致产品报废的情况。
56.本技术实施例的塑料晶圆的处理方法中，无需引入增黏剂，直接通过对塑料晶圆的表面进行等离子体溅射来增加塑料晶圆表面的活性，如此可以使涂覆在塑料晶圆表面的压印胶牢固地附着在塑料晶圆上，这有利于后续压印工艺实施。也就是说，本技术实施例提供了一种能够增加塑料晶圆对压印胶附着力的方法，其针对微纳加工工艺中，增加了压印胶与塑料晶圆之间的结合力。
57.此外，在相关的技术中，还有通过改变在玻璃晶圆表面旋涂增黏剂和uv胶之后的烘烤条件来改善晶圆与压印胶之间的结合力的方法。具体地，通过提高涂覆完增黏剂后的烘烤温度或者延长烘烤时间可在一定程度上提高玻璃晶圆与压印胶之间的粘附力。但这种方法也仅适用于目前的玻璃晶圆。针对塑料晶圆，该方法有明显的不足之处：塑料晶圆的耐温性较差，增加烘烤温度或者延长烘烤时间都会使塑料晶圆发生形变，从而影响塑料晶圆的整体平整性，进而会影响后续的压印质量和压印成品率。
58.本技术实施例提供的方案中并不涉及改变匀胶后(即上述步骤120)的烘烤条件，也即无需在匀胶之后增加烘烤温度或者延长烘烤时间，这样，可以避免塑料晶圆在长时间的高温下发生形变，影响表面的平整度。
59.本技术实施例提供的方案中，在上述的步骤110中，例如可以先向等离子体设备的腔室内通入氩气(ar)和氧气(o2)，将氩气和氧气的混合气体作为保护气体，然后将待加工的塑料晶圆放置于充满该保护气体的腔室中进行等离子体溅射处理。此处，保护气体例如可以通过充气装置向等离子体设备的腔室内充入。
60.在本技术的一些示例中，本技术实施例的塑料晶圆处理方法还包括后续切割步骤，也即在所述压印胶层上制作出纳米压印图案之后，对所述塑料晶圆进行切割，以获得光栅片。
61.其中，例如可以采用划片或者激光切割等方式将经步骤s110～s130处理之后的塑料晶圆进行切割处理，这样可以形成多个光栅片。
62.形成的光栅片可以应于制作例如ar设备中的光波导器件。
63.在本技术的一些示例中，如图2所示，所述在塑料晶圆100的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面110的步骤包括：在塑料晶圆100的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面110；其中，溅射强度为大于300w，溅射时间为大于100s。
64.请继续如图2所示，当经步骤200提供一塑料晶圆100之后，可以进入步骤210：
65.步骤210、在塑料晶圆100的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面110，并且，在对塑料晶圆100的等离子体溅射处理的过程中，将溅射强度控制为大于300w，将溅射时间控制为大于100s。
66.本技术实施例提供的处理方法，从塑料晶圆本身具备的高性能、低成本及更安全
等优点出发，并使得压印胶可以牢固地附着在塑料晶圆100的表面上而不易在后续压印过程中大面积脱落的现象。此种方法可替代传统工艺中使用的增黏剂，可以在一定程度上起到降低成本的作用。同时，等离子体溅射处理工艺条件相对温和一些，对塑料晶圆100表面的平整度几乎没有影响，也避免了传统工艺中涂覆增黏剂时旋涂不均匀的隐患。
67.本技术实施例提供的处理方法，在对塑料晶圆100进行等离子体溅射处理工艺中，适当提高了溅射强度，如此可以缩短工艺时长，在提高生产效率的同时还可以保证良品率。
68.需要说明的是，在玻璃晶圆的微纳加工工艺中，若遇到了脱胶的问题，同样可以通过等离子体溅射处理玻璃晶圆的表面，以改善脱胶的问题。
69.可选的是，请继续如图2所示，所述在塑料晶圆100的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤包括：在塑料晶圆100的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面110；其中，溅射强度为大于300w～350w，溅射时间为100s～200s。
70.本技术实施例提供的处理方法，在对塑料晶圆100进行等离子体溅射处理工艺中，合理提高了溅射强度，例如将溅射强度控制为300w～350w，此时可以将溅射时间控制在100s～200s这一范围，溅射时间是比较短的。在这一条件下，能够在保证塑料晶圆表面平整度、强度及整个塑料晶圆稳定性的同时，很好地增加了塑料晶圆表面的活性，使压印胶能非常牢固地附着在塑料晶圆的表面而不会发生大面积的脱胶的情况，从而能降低因压印不良而导致产品报废的情况发生几率。同时，还可以缩短工艺时长，提高生产效率的同时可以保证良品率。
71.在本技术的一些示例中，在所述在塑料晶圆100的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤之前，还可以包括如下的步骤：
72.步骤001、向等离子体设备的腔室内通入氩气和氧气；
73.步骤002、将所述腔室内的溅射强度设置为大于400w，并于该溅射强度下溅射100s～200s，以使所述腔室内部充满等离子体气氛。
74.也就是说，在本技术实施例提供的纳米压印方法中，在对塑料晶圆100的表面进行等离子体溅射处理之前，先不将塑料晶圆放置于等离子体设备的腔室内，而是先让等离子体设备本身运行一下等离子体溅射过程。这样可以使等离子体设备的腔室内部充满等离子体气氛之后再将塑料晶圆置于该腔室内进行等离子体溅射处理，如此可以提升等离子体溅射处理的效果。
75.其中，可选的是，在上述的示例中，在所述腔室内：氩气流量为20sccm～30sccm，氧气流量为2sccm～10sccm。
76.在对塑料晶圆进行等离子体溅射处理的过程中，通过合理调整保护气体流量，利于提高等离子体溅射处理的效率。
77.在本技术的实施例中，在对塑料晶圆进行等离子体溅射处理的过程中可以采用氩气和氧气的混合气体作为保护气体，并将二者的流量控制在上述范围之内，可以提高等离子体溅射处理的效率，从而提高生产效率，同时，还可以提升对塑料晶圆进行等离子体溅射处理的效果。
78.例如，氩气流量为25sccm，氧气流量为7sccm。可以在提高等离子体溅射效率的同时，还可以提升对塑料晶圆进行等离子体溅射处理的效果。
79.在本技术的一些示例中，所述匀胶处理包括如下的步骤：
80.步骤121、将压印胶于1000rpm～3000rpm的转速下涂覆于所述塑料晶圆的辅助表面上；
81.步骤122、将涂好所述压印胶的所述塑料晶圆于设定温度下进行烘烤处理，并在完成烘烤后取出该塑料晶圆冷却至室温，在所述辅助表面上形成压印胶层。
82.也就是说，在完成上述的步骤110之后，可以进入到步骤120：
83.步骤120、对所述塑料晶圆表面上的所述辅助表面进行匀胶处理，在所述辅助表面上形成压印胶层，而该步骤120具体可以包括上述的步骤121和步骤122。
84.如图2所示，将经步骤110处理之后的塑料晶圆100放置在匀胶机(图2中未示出)上，将压印胶在1000rpm～3000rpm的转速下涂覆到塑料晶圆100的辅助表面110，并在这一过程中持续旋转至涂覆均匀；之后于设定温度下对辅助表面110上的压印胶进行烘烤处理，烘烤的目的在于去除压印胶中大部分有机溶剂；待烘烤结束之后，将塑料晶圆100整体取出并冷却至室温，在塑料晶圆100的辅助表面110就形成了牢度较高、不易脱落的压印胶层200。形成的压印胶层200可用于后续进行压印微纳结构。
85.其中，在所述匀胶处理中，当对辅助表面110上的压印胶进行烘烤时，所述设定温度设置为100℃～140℃，烘烤的时间设置为60s。
86.本技术的实施例中，在匀胶的过程中，烘烤压印胶时采用的烘烤温度较低，且烘烤时间也比较短。也即，本技术中无需增加匀胶过程中的烘烤温度或者延长烘烤时间来增加晶圆与压印胶的粘附力。压印胶层200可以牢固地附着在塑料晶圆100的辅助表面110上，不会在后续的压印中出现大面积的脱落现象。
87.本技术的实施例中，由于烘烤温度低且时间较短，不会导致塑料晶圆100的表面变形，也不会影响塑料晶圆100的整体平整性，利用后续的压印步骤。
88.在本技术的一些示例中，所述压印胶可以为紫外光固化胶。
89.紫外光固化胶经紫外光曝光处理之后可以固化，利于后续的压印成型步骤，其适合应用于纳米压印工艺中。在本技术的实施例中，压印胶与塑料晶圆100的辅助表面110之间可以牢固的结合在一起。
90.在本技术的一些示例中，如图2所示，所述在所述压印胶层200上制作出纳米压印图案300的步骤包括如下的步骤131～步骤133：
91.步骤131、取纳米压印模板001，在所述纳米压印模板001上形成有所需的纳米压印图案300(图2中未示出纳米压印模板001上有纳米压印图案)；
92.步骤132、将所述纳米压印图案300与所述压印胶层200相对设置，并施加压力将所述纳米压印模板001与所述压印胶层200压合，将所述纳米压印模板001上的所述纳米压印图案300转印至所述压印胶层200上(可参见图2中在压印胶层200形成有纳米压印图案300)；及
93.步骤133、待所述压印胶层200固化之后进行脱模处理，以使所述纳米压印模板001与所述塑料晶圆100分离，得到表面压印有所述纳米压印图案300的塑料晶圆100。
94.其中，所述纳米压印模板001例如为软膜。
95.这样，当纳米压印模板001为软膜时，在进行脱模时软膜易于与塑料晶圆100分离，可以保证纳米压印图案300的外观品质良好，能提升纳米压印的良品率和效率。
96.其中，压印胶层200的材质为紫外光固化胶。当将纳米压印模板001上的纳米压印
图案300转印至压印胶层200上之后，可通过紫外光照使塑料晶圆100上的纳米压印图案300固化成型。
97.在本技术的一个具体例子中，所述塑料晶圆的处理方法包括如下具体步骤：
98.步骤300、向等离子体设备的腔室内通入氩气和氧气；以及将所述腔室内的溅射强度设置为大于400w，并于该溅射强度下溅射100s～200s，使所述腔室内部充满等离子体气氛。
99.在所述腔室内：氩气流量为20sccm～30sccm，氧气流量为2sccm～10sccm。
100.步骤310、在经步骤300之后，将塑料晶圆放置于所述等离子体设备的腔室内，在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面。
101.其中，所述等离子体溅射法采用的保护气体包括氩气(ar)和氧气(o2)的混合气体，溅射强度为大于300w～350w，溅射时间为100s～200s。采用溅射强度较大，溅射时间短的方案可以缩短工艺时长。
102.步骤320、经步骤310之后，对所述塑料晶圆表面上形成的所述辅助表面进行匀胶处理，以在所述辅助表面上形成uv胶层；
103.其中，所述匀胶处理可以包括：将uv胶于1000rpm～3000rpm的转速下涂覆于所述塑料晶圆的辅助表面上；以及将涂好所述uv胶的所述塑料晶圆于100℃～140℃条件下烘烤处理60s，在完成烘烤后取出该塑料晶圆冷却至室温，即可在所述辅助表面上形成uv胶层。
104.步骤330、经步骤320之后，在所述uv胶层上可以制作出纳米压印图案，可以包括如下步骤：
105.取软膜，在所述软膜上形成有所需的纳米压印图案；将所述纳米压印图案与所述uv胶层相对设置，并施加压力将所述软膜与所述uv胶层压合，将所述软膜上的所述纳米压印图案转印至所述压印胶层上；以及通过紫外曝光处理使uv胶层先进行固化，待所述uv胶层固化之后进行脱模处理，使所述软膜与所述塑料晶圆分离，即可得到表面压印有所述纳米压印图案的塑料晶圆。
106.步骤340、对所述塑料晶圆进行切割，以获得光栅片。
107.本技术实施例提供的塑料晶圆的纳米压印方法，通过先采用等离子体溅射法对塑料晶圆的表面进行预处理，以此可以增加塑料晶圆表面的活性，利于增加塑料晶圆与压印胶之间的结合力，能改善塑料晶圆的微纳加工过程中存在塑料晶圆与压印胶之间的粘附力差的问题，可以避免在压印过程中出现大面积脱胶的情况，从而能避免因压印不良而导致产品报废的情况。
108.另一方面，本技术实施例提供了一种塑料晶圆，采用如上述所述的处理方法得到。例如，采用上述的步骤310～步骤340。
109.所述塑料晶圆100包括塑料衬底，在所述塑料衬底的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面110，在所述辅助表面110上覆盖有纳米压印图案300。
110.本技术实施例提供的塑料晶圆，通过对其表面采用等离子体溅射法进行处理，改变了表面的状态，例如在其表面会形成一些羟基之类的官能团，以此可以增加表面的活性，这利于增加塑料晶圆与压印胶之间的结合力，能改善塑料晶圆的微纳加工过程中存在塑料晶圆与压印胶之间的粘附力差的问题，可以避免在压印过程中出现大面积脱胶的情况，从而能避免因压印不良而导致产品报废的情况。
111.本技术实施例还提供了一种光栅片，由上述的塑料晶圆经切割形成。形成的光栅片可以应于制作例如ar设备中的光波导器件。
112.本技术实施例还提供了一种光波导器件，所述光波导器件包括至少一层波导基底，以及设置于所述波导基底上的耦入光栅和耦出光栅；其中，所述耦入光栅及所述耦出光栅均采用如上述所述的光栅片。
113.其中，所述耦入光栅与所述耦出光栅设于所述波导基底同一侧的表面上。如此可以形成反射式衍射光波导器件。
114.其中，所述耦入光栅与所述耦出光栅设于所述波导基底相对两侧的表面上。如此可形成透射式衍射光波导器件。
115.本技术实施例还提供了一种头戴显示设备，包括如上所述的光波导器件。
116.可选的是，头戴显示设备可以包括增强现实眼镜和增强现实头盔中的一种，本技术实施例中对此不做限制。
117.上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
118.虽然已经通过示例对本技术的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本技术的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本技术的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本技术的范围由所附权利要求来限定。

技术特征：

1.一种塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面；其中，所述等离子体溅射法采用的保护气体包括氩气和氧气的混合气体；对所述辅助表面进行匀胶处理，在所述辅助表面上形成压印胶层；及在所述压印胶层上制作出纳米压印图案。2.根据权利要求1所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述在所述压印胶层上制作出纳米压印图案之后，还包括：对所述塑料晶圆进行切割，以获得光栅片。3.根据权利要求1所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤包括：在塑料晶圆的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面；其中，溅射强度为大于300w，溅射时间为大于100s。4.根据权利要求1所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤包括：在塑料晶圆的一表面上进行等离子体溅射处理，以使该表面形成辅助表面；其中，溅射强度为大于300w～350w，溅射时间为100s～200s。5.根据权利要求1至4中任一项所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，在所述在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面的步骤之前，还包括：向等离子体设备的腔室内通入氩气和氧气；将所述腔室内的溅射强度设置为大于400w，并于该溅射强度下溅射100s～200s，以使所述腔室内部充满等离子体气氛。6.根据权利要求5所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，在所述腔室内：氩气流量为20sccm～30sccm，氧气流量为2sccm～10sccm。7.根据权利要求1所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述匀胶处理包括：将压印胶于1000rpm～3000rpm的转速下涂覆于所述塑料晶圆的辅助表面上；将涂好所述压印胶的所述塑料晶圆于设定温度下进行烘烤处理，并在完成烘烤后取出该塑料晶圆冷却至室温，在所述辅助表面上形成压印胶层。8.根据权利要求7所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，在所述匀胶处理中：所述设定温度为100℃～140℃，烘烤的时间为60s。9.根据权利要求7所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述压印胶为紫外光固化胶。10.根据权利要求1所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述在所述压印胶层上制作出纳米压印图案的步骤包括：取纳米压印模板，在所述纳米压印模板上形成有所需的纳米压印图案；将所述纳米压印图案与所述压印胶层相对设置，并施加压力将所述纳米压印模板与所述压印胶层压合，将所述纳米压印模板上的所述纳米压印图案转印至所述压印胶层上；及待所述压印胶层固化之后进行脱模处理，以使所述纳米压印模板与所述塑料晶圆分离，得到表面压印有所述纳米压印图案的塑料晶圆。11.根据权利要求10所述的塑料晶圆的处理方法，其特征在于，所述纳米压印模板为软膜；
使所述压印胶层固化的方式为紫外曝光处理。12.一种塑料晶圆，其特征在于，采用如权利要求1-11所述的处理方法得到，所述塑料晶圆包括塑料衬底，在所述塑料衬底的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面，在所述辅助表面上覆盖有纳米压印图案。13.一种光栅片，其特征在于，采用如权利要求12所述的塑料晶圆经切割形成。14.一种光波导器件，其特征在于，包括至少一层波导基底，以及设置于所述波导基底上的耦入光栅和耦出光栅；其中，所述耦入光栅及所述耦出光栅均采用如权利要求13所述的光栅片。15.根据权利要求14所述的光波导器件，其特征在于，所述耦入光栅与所述耦出光栅设于所述波导基底同一侧的表面上；或者，所述耦入光栅与所述耦出光栅设于所述波导基底相对两侧的表面上。16.一种头戴显示设备，其特征在于，包括如权利要求14或15所述的光波导器件。

技术总结

本申请实施例公开了一种塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件；所述处理方法包括：在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面；其中，所述等离子体溅射法采用的保护气体包括氩气和氧气的混合气体；对所述辅助表面进行匀胶处理，在所述辅助表面上形成压印胶层；在所述压印胶层上制作出纳米压印图案。本申请实施例的处理方法可应用于塑料晶圆，能够增加塑料晶圆对压印胶的附着力。能够增加塑料晶圆对压印胶的附着力。能够增加塑料晶圆对压印胶的附着力。