磁盘装置以及读处理方法与流程

磁盘装置以及读处理方法1.本技术享受以日本专利申请2020-153965号(申请日：2020年9月14日)为基础申请的优先权。本技术通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

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：2.本发明的实施方式涉及磁盘装置以及读(read，读取)处理方法。

背景技术

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：：3.磁盘装置具有磁盘(以下，有时也称为盘)和头(head)，头包括写(write，写入)头和读头。写头和读头在盘的圆周方向上隔开间隔地设定。磁盘装置在将头相对于盘的圆周方向倾斜地配置的情况下，写头和读头可能会在半径方向上偏移(offset)。因此，磁盘装置将读头偏移而配置于从在通过写头在盘上对预定磁道(track)进行了写入的情况下读头所在的半径方向的位置起在半径方向上偏移了预定距离的半径方向的位置，从而将读头定位于该磁道的半径方向的宽度的中心位置来读取该磁道。技术实现要素：4.本发明的实施方式提供能够提高读性能的磁盘装置以及读处理方法。5.本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有向所述盘写入数据的写头和从所述盘读取数据的读头；以及控制器，其根据由干扰所施加的振动，变更读处理时的偏移量。附图说明6.图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。7.图2是表示第1实施方式涉及的头15相对于盘的配置的一例的示意图。8.图3是表示将读头配置在基准位置的情况下的写头和读头的几何配置的一例的示意图。9.图4是表示将读头配置在半径位置的情况下的写头和读头的几何配置的一例的图。10.图5是表示对在头以预定偏斜角(skewangle)向外方向倾斜的状态下进行了写入的多个磁道中的一个磁道进行了读取的情况下的错误率(errorrate)相对于半径位置的变化的一例的图。11.图6是表示将读头配置在目标读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化的一例的示意图。12.图7是表示本实施方式涉及的将读头配置在校正读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化的一例的示意图。13.图8是表示第1实施方式涉及的错误率相对于频率的分布的一例的示意图。14.图9是表示第1实施方式涉及的头的定位控制系统的一例的框图。15.图10是表示第1实施方式涉及的生成器的构成例的示意图。16.图11是表示第1实施方式涉及的读处理方法的一例的流程图。17.图12是表示将读头配置在目标读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化的一例的示意图。18.图13是表示第2实施方式涉及的将读头配置在校正读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化的一例的示意图。19.图14是表示第2实施方式涉及的错误率相对于频率的分布的一例的示意图。20.图15是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。21.图16是表示第2实施方式涉及的读处理方法的一例的流程图。22.图17是表示第3实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。23.图18是表示将读头配置在基准位置的情况下的写头和两个读头的几何配置的一例的示意图。24.图19是表示将读头配置在半径位置的情况下的写头和两个读头的几何配置的一例的图。25.图20是表示第3实施方式涉及的将读头配置在校正读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化的一例的示意图。26.图21是表示第3实施方式涉及的在头以预定偏斜角倾斜的状态下将读头配置在校正读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化的一例的示意图。具体实施方式27.以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图仅为一例，并非限定发明的范围。28.(第1实施方式)29.图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。30.磁盘装置1具备后述的头盘组件(hda：headdiskassembly)、驱动器ic20、头放大器集成电路(以下，有时也称为头放大器ic或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90、以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。此外，磁盘装置1也可以具有传感器、例如加速度传感器等。31.hda具有磁盘(以下，称为盘)10、主轴马达(spm)12、搭载着头15的臂(arm)13、以及音圈马达(vcm)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动进行旋转。臂13以及vcm14构成致动器。致动器通过vcm14的驱动而控制搭载于臂13的头15移动到盘10的预定位置。也可以设置两个或更多数量的盘10以及头15。32.盘10在能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和记录系统管理所需的信息的系统区(systemarea)10b。此外，盘10也可以除了用户数据区域10a和系统区10b以外还分配有将从主机等传送(转发)来的数据(或者指令(command))在向用户数据区域10a的预定区域写入前临时进行保持的介质高速缓存(mediacache)(有时也称为介质高速缓存区域)。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向(径向)。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(或者外侧)，将从外周朝向内周的方向、也即是说与外方向相反的方向称为内方向(或者内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向(周向)。即，圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向的预定位置称为半径位置、将盘10的圆周方向的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置以及圆周位置统一简称为位置。有时也将在盘10的圆周方向上延伸的轨迹称为路径。路径通过将各圆周位置上的各半径位置相连而形成。盘10按半径方向的每个预定范围划分为多个区域(以下，有时也称为分区(zone)或者分区区域)。分区包括多个磁道(柱面(cylinder))。另外，磁道包括多个扇区(sector)。“磁道”以将盘10在半径方向上按预定范围划分出的多个区域中的一个区域、盘10的预定半径位置上的头15的路径、写入到盘10的预定半径位置的盘10的一圈的量的数据、以盘10的预定半径位置沿圆周方向延伸的数据、写入到盘10的预定磁道的数据、和其他的各种含义来使用。“扇区”以将盘10的预定磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域、写入到盘10的预定半径位置上的预定圆周位置的数据、写入到盘10的预定扇区的数据、和其他的各种含义来使用。有时也将“磁道的半径方向的宽度”称为“磁道宽度”。另外，有时也将“扇区的半径方向的宽度”称为“扇区宽度”。有时也将“磁道的预定圆周位置上的磁道宽度的中心位置”称为“磁道中央(center)”，有时也将“将磁道的各圆周位置上的各磁道宽度的中心位置连接的线”称为“磁道中央”。预定磁道的“磁道中央”相当于该磁道的预定扇区的扇区宽度的中心位置。33.头15以滑块作为主体，具备安装于该滑块的写头15w和读头15r。写头15w对盘10写入数据。例如，写头15w在盘10上对预定磁道进行写入。读头15r读取记录于盘10的数据。例如，读头15r对盘10的预定磁道进行读取。34.图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一例的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10的旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向由逆时针方向表示，但也可以是相反(顺时针)的方向。35.在图2所示的例子中，盘10被划分为位于内方向的内周区域ir、位于外方向的外周区域or、以及位于内周区域ir与外周区域or之间的中周区域mr。此外，盘10也可以划分为4个以上的区域，还可以划分为2个以下的区域。外周区域or、中周区域mr以及内周区域ir从外方向到内方向而配置。在图2所示的例子中，外周区域or、中周区域mr以及内周区域ir从外方向到内方向连续地配置。中周区域mr与外周区域or的内方向相邻，内周区域ir与中周区域mr的内方向相邻。在此，所谓“相邻”，当然包括数据、物体、区域以及空间等相接地或者如相接那样地排列，也包括隔开预定间隔地连续排列。36.系统区10b以及用户数据区域10a从外方向到内方向而排列。在图2所示的例子中，系统区10b以及用户数据区域10a从外方向到内方向连续地排列。系统区10b配置在用户数据区域10a的外方向。在图2所示的例子中，系统区10b配置在盘10的最外周。系统区10b配置在外周区域or。系统区10b与用户数据区域10a的外方向相邻。用户数据区域10a配置在系统区10b的内方向。在图2所示的例子中，用户数据区域10a从外周区域or配置到内周区域ir。用户数据区域10a与系统区10b的内方向相邻。此外，用户数据区域10a以及系统区10b也可以配置有除了图2所示的区域以外的区域。37.在图2所示的例子中，用户数据区域10a具有半径位置rpi、半径位置rpb以及半径位置rpo。半径位置rpi是与半径位置rpb相比在内方向的位置，半径位置rpo是与半径位置rpb相比在外方向的位置。在图2所示的例子中，半径位置rpb位于中周区域mr，半径位置rpo位于外周区域or，半径位置rpi位于内周区域ir。此外，半径位置rpb也可以位于外周区域or或者内周区域ir。半径位置rpi也可以位于中周区域mr或者外周区域or，半径位置rpo也可以位于内周区域ir或者中周区域mr。图2中示出了通过半径位置rpi的路径trci、通过半径位置rpb的路径trcb以及通过半径位置rpo的路径trco。路径trci、trcb以及trco相对于盘10而配置为同心圆状。例如，路径trci、trcb以及trco分别为正圆。例如，路径trci、trcb以及trco分别在与这些路径trci、trcb以及trco各自对应的多个磁道上相当于磁道中央。38.头15通过vcm14的驱动而绕着旋转轴旋转从而相对于盘10从内方向朝向外方向移动到预定位置、或者从外方向朝向内方向移动。在头15位于半径位置rpb的情况下，偏斜角例如成为0°。以下，有时也将半径位置rpb称为基准位置rpb。在头15位于半径位置rpo的情况下，偏斜角例如成为正值。在头15位于半径位置rpi的情况下，偏斜角例如成为负值。此外，也可以，在头15位于半径位置rpo的情况下偏斜角为负值。另外，也可以，在头15位于半径位置rpi的情况下偏斜角为正值。39.图3是表示将读头15r配置在基准位置rpb的情况下的写头15w和读头15r的几何配置的一例的示意图。在图3中，写头15w和读头15r在圆周方向上隔开间隔而设置。图3中示出了写头15w的中心部wc和读头15r的中心部rc。以下，为便于说明，有时也将“写头的中心部”简称为“写头”、将“读头的中心部”简称为“读头”。40.在图3所示的例子中，在将读头15r配置在基准位置rpb的情况下，头15没有在圆周方向上倾斜。另外，写头15w和读头15r在圆周方向上隔开间隔而设置。在图3中，在将读头15r配置在基准位置rpb的情况下，写头15w以及读头15r沿着圆周方向排列。写头15w和读头15r没有在半径方向上偏离。41.图4是表示将读头15r配置在半径位置rpo的情况下的写头15w和读头15r的几何配置的一例的图。图4与图3相对应。42.在图4所示的例子中，在将读头15r配置在半径位置rpo的情况下，头15以预定偏斜角向半径方向的外方向倾斜。在图4中，在将读头15r配置在半径位置rpo的情况下，写头15w和读头15r以预定偏斜角向半径方向的外方向倾斜。另外，在将读头15r配置在半径位置rpo的情况下，写头15w偏离到读头15r的外方向。43.此外，在将读头15r配置在半径位置rpi的情况下，也与将读头15r配置在半径位置rpo的情况同样地，写头15w和读头15r可能会以预定偏斜角向内方向倾斜。在将读头15r配置在半径位置rpi的情况下，写头15w偏离到读头15r的内方向。44.驱动器ic20按照系统控制器130(详细而言为后述的mpu60)的控制，控制spm12以及vcm14的驱动。45.头放大器ic(前置放大器)30具备读放大器以及写驱动器。读放大器对从盘10读出的读信号进行放大，并向系统控制器130(详细而言为后述的读/写(r/w)通道(channel)40)输出。写驱动器将与从r/w通道40输出的写数据相应的写电流输出到头15。46.易失性存储器70是在电力供给断开时会丢失所保存的数据的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置1的各部中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)或者sdram(synchronousdynamicrandomaccessmemory，同步动态随机存取存储器)。47.非易失性存储器80是即使电力供给断开也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是nor型或者nand型的闪速存储器(flashreadonlymemory：from，闪速只读存储器)。48.缓冲存储器90是对在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等暂时进行记录的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如是dram、sram(staticrandomaccessmemory，静态随机存取存储器)、sdram、feram(ferroelectricrandomaccessmemory，铁电随机存取存储器)或者mram(magnetoresistiverandomaccessmemory，磁阻式随机存取存储器)等。49.系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(system-on-a-chip：soc)的大规模集成电路(lsi)来实现。系统控制器130包括读/写(r/w)通道40、硬盘控制器(hdc)50以及微处理器(mpu)60等。r/w通道40、hdc50以及mpu60分别相互电连接。系统控制器130例如与驱动器ic20、头放大器ic30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。50.r/w通道40根据来自后述的mpu60的指示，执行从盘10传送给主机100的数据、例如读数据和从主机100传送的数据、例如写数据的信号处理。r/w通道40具有测定读数据的信号品质的电路或者功能。r/w通道40例如与头放大器ic30、hdc50以及mpu60等电连接。51.hdc50控制数据的传送。hdc50例如根据来自后述的mpu60的指示，控制主机100与盘10之间的数据的传送。hdc50例如与r/w通道40、mpu60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。52.mpu60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。mpu60经由驱动器ic20控制vcm14，执行进行头15的定位的伺服控制。mpu60经由驱动器ic20控制spm12，使盘10旋转。mpu60控制向盘10写入数据的写动作(工作)，并且选择从主机100传送的数据、例如写数据的保存目的地。另外，mpu60控制从盘10读取数据的读动作，并且控制从盘10传送给主机100的数据、例如读数据的处理。mpu60例如基于固件执行处理。mpu60与磁盘装置1的各部连接。mpu60例如与驱动器ic20、r/w通道40以及hdc50等电连接。53.mpu60包括控制写处理的写控制部610以及控制读处理的读控制部620等。mpu60在固件上执行它们各部、例如写控制部610以及读控制部620等的处理。此外，mpu60也可以具备它们各部、例如写控制部610以及读控制部620作为电路。以下，有时也将“写”或者“写处理”和“读”或者“读处理”统一用“访问(access，存取)”或者“访问处理”这样的用语来表达。54.写控制部610按照来自主机100等的指令，控制数据的写处理。写控制部610经由驱动器ic20控制vcm14，将头15配置在盘10上的预定位置，写入数据。写控制部610既可以随机地写入数据，也可以顺序地写入。以下，有时也将“将头15(写头15w或者读头15r)的中心部定位在预定位置”或者“将头15(写头15w或者读头15r)的中心部配置在预定位置”简称为“将头15(写头15w或者读头15r)定位在预定位置”或者“将头15(写头15w或者读头15r)配置在预定位置”。另外，有时也将“将头15(写头15w或者读头15r)定位在预定位置”或者“将头15(写头15w或者读头15r)配置在预定位置”简称为“进行定位”或者“进行配置”。55.写控制部610将头15(读头15r)配置在成为写处理时的目标的读头15r的位置(以下，记作目标位置或者目标写位置)以使得写头15w位于成为写处理时的目标的写头15w的位置(以下，有时也称为目标写头位置)来写入数据。换言之，写控制部610在预定的圆周位置上将读头15r配置在成为目标的读头15r的半径位置(以下，有时也称为目标半径位置或者目标写半径位置)以使得将写头15w配置在成为写处理时的目标的写头15w的半径位置(以下，有时也称为目标写头半径位置)来写入数据。写控制部610将读头15r配置在目标写位置而通过配置在目标写头位置的写头15w进行写入。例如，写控制部610在预定的圆周位置上控制读头15r以将其配置在目标写半径位置而通过配置在目标写头位置的写头15w对预定扇区进行写入。另外，写控制部610控制读头15r以使其沿着成为写处理时的读头15r的目标的路径(以下，有时也称为目标路径或者目标写路径)，以使得头15(写头15w)跟随成为写处理时的写头15w的目标的路径(以下，有时也称为目标写头路径)，对预定磁道进行写入。56.在通过写头15w写入数据的情况下，写头15w可能会在周围产生漏磁场(以下，有时也称为擦除(erase)磁场)。写头15w在写入数据时可能会由于擦除磁场而在成为对象的数据的周围写入不希望的数据(以下，有时也称为擦除带(band))。例如，写头15w在以预定偏斜角向外方向倾斜地写入数据时可能会由于擦除磁场而在成为对象的数据的内方向写入擦除带。另外，写头15w在以预定偏斜角向内方向倾斜地写入数据时可能会由于擦除磁场而在成为对象的数据的外方向写入擦除带。57.读控制部620按照来自主机100等的指令，控制数据的读处理。读控制部620经由驱动器ic20控制vcm14，将头15配置在盘10上的预定位置，读取数据。读控制部620既可以随机地读取数据，也可以顺序地读取。58.读控制部620例如在读取了预定数据时的错误率小于等于预定的错误率(以下，有时也称为错误率阈值)的情况下，能够在预定的重读(readretry)次数内读取该数据。读控制部620例如在读取了预定数据时的错误率大于错误率阈值的情况下，无法读取该数据(读取错误)或者无法在预定的重读次数内读取而作为不可校正错误(uncorrectableerror)不进行读取，或者停止读处理。59.读控制部620将头15(读头15r)配置在成为读处理时的目标的位置(以下，有时也称为目标位置或者目标读位置)来读取数据。读控制部620将头15(读头15r)配置在目标读位置进行读取。换言之，读控制部620在预定的圆周位置上控制头15以使得将读头15r配置在成为读处理时的目标的半径位置(以下，有时也称为目标半径位置或者目标读半径位置)来读取数据。例如，读控制部620在预定的圆周位置上控制头15以使得将读头15r配置在目标读半径位置来读取预定扇区。另外，读控制部620控制头15以使得读头15r沿着成为读处理时的目标的路径(以下，有时也称为目标路径或者目标读路径)移动来读取数据。例如，读控制部620控制头15以使得读头15r沿着成为读处理时的目标的路径(以下，有时也称为目标路径或者目标读路径)移动来读取预定磁道。60.读控制部620根据由从外部施加的干扰(以下，有时也称为外部干扰)以及从磁盘装置1的内部产生的稳态的干扰(以下，有时也称为内部干扰)等所引起的振动状态，将头15(读头15r)配置在预定位置来读取数据。换言之，读控制部620根据由外部干扰以及内部干扰等所引起的振动状态，变更或者切换读处理时的头15的偏移量或者偏离量(以下，有时也称为读偏移量)。61.读控制部620在由于外部干扰等而被施加了预定大小(以下，有时也称为振动阈值)以上的振动时、或者在被施加了由外部干扰等引起的振动时根据定位误差的大小或者由搭载于磁盘装置1的外部或者内部的传感器等而检测到振动阈值以上的振动时，将头15(读头15r)配置在对目标写位置(或者目标读位置)进行校正所得到的位置(以下，有时也称为校正读位置)来读取数据。换言之，读控制部620在由于外部干扰等而被施加了振动阈值以上的振动时或者在被施加了由外部干扰等引起的振动时检测到振动阈值以上的振动时，在预定的圆周位置上将头15(读头15r)配置在对目标写半径位置(或者目标读半径位置)进行校正所得到的位置(以下，有时也称为校正读半径位置)来读取数据。例如，读控制部620在由于外部干扰等而被施加了振动阈值以上的半径方向的振动时或者在被施加了由外部干扰等引起的振动时检测到振动阈值以上的半径方向的振动时，在预定的圆周位置上将头15(读头15r)配置在校正读半径位置来读取数据。以下，有时也将“由于外部干扰等而被施加了振动阈值以上的振动时”、“被施加了振动阈值以上的半径方向的振动时”、“被施加了由外部干扰等引起的振动时检测到振动阈值以上的振动时”以及“被施加了由外部干扰等引起的振动时检测到振动阈值以上的半径方向的振动时”称为“加振时”、“振动时”、“检测到振动时”或者“振动状态时”。62.读控制部620在头15以预定偏斜角倾斜的状态下的检测到振动时，将头15(读头15r)配置在校正读半径位置来读取数据。读控制部620在头15以预定偏斜角倾斜的状态下的检测到振动时，将头15(读头15r)配置在基于预定圆周位置上的目标写半径位置和与该圆周位置对应的用于进行校正的偏移量(以下，有时也称为校正偏移量或者校正读偏移量)所计算出的校正读半径位置来读取数据。63.读控制部620例如在制造时基于错误率阈值而在各半径位置、各扇区或者各磁道上测定、检测或者计算校正读半径位置，并基于与各半径位置、各扇区或者各磁道对应的各目标写半径位置以及各校正读半径位置，测定、检测或者计算各校正偏移量。读控制部620例如也可以将测定、检测或者计算出的与各半径位置、各扇区或者各磁道对应的各校正偏移量或者各校正读半径位置作为表(table)，记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。64.在头15以预定偏斜角倾斜的状态下将读头15r配置在从在半径方向上连续排列地进行了写入的多个磁道中的预定的磁道的目标读半径位置到位于半径方向的各半径位置而进行了读取的情况下的与该磁道对应的错误率的分布可能由向下凸的曲线(以下，有时也称为下凸曲线(downward-convexcurve))表示，该曲线在从与目标读半径位置对应的顶点到与该磁道的半径方向上相邻的磁道(以下，有时也称为相邻磁道)的擦除带接近侧所对应的部分，由于将该相邻磁道的擦除带检测为噪声而急剧地变化，在从与目标读半径位置对应的顶点到与该磁道的擦除带接近侧所对应的部分缓慢地变化。65.目标读半径位置例如相当于与在由预定磁道的从目标读半径位置到半径方向的各半径位置所对应的各错误率所形成的下凸曲线中最小的错误率(以下，有时也称为最小错误率)对应的半径位置。此外，目标读半径位置也可以相当于与除了最小错误率以外的错误率对应的半径位置。66.校正读半径位置例如相当于与如下错误率对应的半径位置：该错误率相当于将连结在与预定磁道对应的由下凸曲线所示的错误率的分布中成为错误率阈值的两个点的直线二等分而交叉的直线与该下凸曲线交叉的点。换言之，校正读半径位置相当于成为能够读取预定磁道(或者预定扇区)的半径方向的区域和位于能够读取预定磁道(或者预定扇区)的半径方向的区域的外方向的无法读取预定磁道(或者预定扇区)的区域的边界的半径位置(以下，有时也简称为边界位置)、与能够读取预定磁道(或者预定扇区)的半径方向的区域和位于能够读取预定磁道(或者预定扇区)的半径方向的区域的外方向的无法读取预定磁道(或者预定扇区)的区域的边界位置的中间的半径位置。例如，校正读半径位置相当于与如下错误率对应的半径位置：该错误率相当于将连结在由相对于通过与预定磁道的目标读半径位置对应的顶点的轴非对称的下凸曲线所示的错误率的分布中成为错误率阈值的两个点的直线二等分并且不通过该下凸曲线的顶点的直线与该下凸曲线交叉的点。此外，根据振动状态，校正读半径位置既可以设定为与错误率阈值以下的错误率对应的预定半径位置，也可以设定为与比错误率阈值大的错误率对应的预定半径位置。例如，校正读半径位置也可以在检测到振动时以及未检测到振动时在读头15r摇动(晃动)的半径方向的范围内通过读头15r读取了数据的情况下设定为与错误率阈值以下的错误率对应的半径位置。另外例如，校正读半径位置也可以在检测到振动时在读头15r摇动的半径方向的范围内通过读头15r读取了数据的情况下设定为与比错误率阈值大的错误率对应的预定半径位置。67.读控制部620在由于内部干扰等而被施加了比振动阈值小的振动时、没被施加振动时、被施加了由内部干扰等引起的振动时根据定位误差的大小或者由传感器等检测到比振动阈值小的振动时、或者被施加了由内部干扰等引起的振动时没根据定位误差的大小或者由传感器等检测到振动时，将头15(读头15r)配置在目标读位置来读取数据。换言之，读控制部620在由于内部干扰等而被施加了比振动阈值小的振动时、没被施加振动时、被施加了由内部干扰等引起的振动时根据定位误差的大小或者由传感器等检测到比振动阈值小的振动时、或者被施加了由内部干扰等引起的振动时没根据定位误差的大小或者由传感器等检测到振动时，在预定的圆周位置上将头15(读头15r)配置在目标读半径位置来读取数据。例如，读控制部620在由于内部干扰等而被施加了比振动阈值小的半径方向的振动时、没被施加半径方向的振动时、被施加了由内部干扰等引起的半径方向的振动时根据定位误差的大小或者由传感器等检测到比振动阈值小的半径方向的振动时、或者被施加了由内部干扰等引起的振动时没根据定位误差的大小或者由传感器等检测到半径方向的振动时，在预定的圆周位置上将头15(读头15r)配置在目标读半径位置来读取数据。以下，有时也将“由于内部干扰等而被施加了比振动阈值小的振动时”、“没被施加振动时”、“被施加了由内部干扰等引起的振动时根据定位误差的大小或者由传感器等检测到比振动阈值小的振动时”、“被施加了由内部干扰等引起的振动时没根据定位误差的大小或者由传感器等检测到振动时”称为“非加振时”、“静止时”、“未检测到振动时”或者“静止状态时”。另外，有时也将“由于内部干扰等而被施加了比振动阈值小的半径方向的振动时”、“没被施加半径方向的振动时”、“被施加了由内部干扰等引起的半径方向的振动时根据定位误差的大小或者由传感器等检测到比振动阈值小的半径方向的振动时”以及“被施加了由内部干扰等引起的振动时没根据定位误差的大小或者由传感器等检测到半径方向的振动时”称为“非加振时”、“静止时”、“未检测到振动时”或者“静止状态时”。68.图5是表示对在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下进行了写入的多个磁道trn-1、trn和trn+1中的一个磁道trn进行了读取的情况下的错误率相对于半径位置的变化erln的一例的图。在图5中，横轴表示半径位置，纵轴表示错误率。在图5所示的横轴中，半径位置随着朝向箭头的前端侧而朝向外方向，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而朝向内方向。此外也可以为，在图5所示的横轴中，半径位置随着朝向箭头的前端侧而朝向内方向，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而朝向外方向。在图5的横轴上示出了半径位置rpn-1、rpn以及rpn+1。半径位置rpn-1、rpn以及rpn+1例如相当于与基准位置rpb相比在外方向的半径位置。此外，半径位置rpn-1、rpn以及rpn+1也可以相当于与基准位置rpb相比在内方向的半径位置。半径位置rpn比半径位置rpn-1位于外方向，半径位置rpn+1比半径位置rpn位于外方向。此外也可以为，半径位置rpn比半径位置rpn-1位于内方向，半径位置rpn+1比半径位置rpn位于内方向。半径位置rpn相当于目标写头半径位置以及目标读半径位置。在图5所示的纵轴中，错误率随着朝向箭头的前端侧而增大，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而减小。在图5的纵轴上示出了最小错误率er0。最小错误率er0与半径位置rpn相对应。图5中示出了由在半径位置rpn具有作为错误率er0的顶点vt0的下凸曲线所示的错误率相对于半径位置的变化(以下，有时也简称为错误率的变化)erln。错误率的变化erln相对于通过顶点vt0的平行于纵轴的直线是非对称的。69.图5中示出了在头15以预定偏斜角在半径方向上、例如向外方向倾斜的状态下在半径方向上隔开间隔地连续地进行了写入的多个磁道trn-1、trn以及trn+1。此外，多个磁道trn-1、trn以及trn+1也可以在头15以预定偏斜角向内方向倾斜的状态下在半径方向上隔开间隔地连续地被写入。在图5所示的例子中，磁道trn在磁道trn-1的外方向上被隔开间隔地写入，磁道trn+1在磁道trn的外方向上被隔开间隔地写入。磁道trn与磁道trn-1的外方向相邻，磁道trn+1与磁道trn的外方向相邻。磁道trn-1在内方向上与擦除带ebn-1相邻。磁道trn在内方向上与擦除带ebn相邻。磁道trn+1在内方向上与擦除带ebn+1相邻。图5中示出了头15。头15以预定偏斜角向外方向倾斜。写头15w在对各磁道trn-1、trn以及trn+1进行写入时可能会由于擦除磁场ef而写入擦除带ebn-1、ebn以及ebn+1。在图5中，从a到a’的范围相当于检测或者测定出错误率的半径方向的范围。70.在图5所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在预定的半径位置以使得将写头15w配置在半径位置rpn-1来对磁道trn-1进行写入。半径位置rpn-1相当于磁道trn-1的磁道中央trcn-1。mpu60在头15以预定偏斜角倾斜的状态下将写头15w配置在半径位置rpn-1而对磁道trn-1进行了写入的情况下，由于擦除磁场ef而对擦除带ebn-1进行写入。71.在图5所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在预定的半径位置以使得将写头15w配置在半径位置rpn来对磁道trn进行写入。半径位置rpn相当于磁道trn的磁道中央trcn。mpu60在头15以预定偏斜角倾斜的状态下将写头15w配置在半径位置rpn而对磁道trn进行了写入的情况下，由于擦除磁场ef而对擦除带ebn进行写入。72.在图5所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在预定的半径位置以使得将写头15w配置在半径位置rpn+1来对磁道trn+1进行写入。半径位置rpn+1相当于磁道trn+1的磁道中央trcn+1。mpu60在头15以预定偏斜角倾斜的状态下将写头15w配置在半径位置rpn+1而对磁道trn+1进行了写入的情况下，由于擦除磁场ef而对擦除带ebn+1进行写入。73.在图5所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在半径方向的范围a-a’内的各半径位置来对磁道trn进行读取，测定或者检测错误率的变化erln。例如，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在半径位置(目标读半径位置)rpn来对磁道trn进行读取，测定或者检测错误率er0。mpu60也可以将错误率的变化erln记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等。74.在图5所示的例子中，错误率的变化erln相对于通过顶点vt0的轴(例如半径位置rpn的直线)非对称地变化。在图5中，错误率的变化erln从与半径位置rpn对应的顶点vt0到与擦除带ebn+1侧对应的部分由于受到在磁道trn的外方向相邻的磁道trn+1的擦除带ebn+1的影响而急剧地变化，从与半径位置rpn对应的顶点vt0到与磁道trn-1侧对应的部分由于不受或者不易受到在磁道trn的内方向相邻的磁道trn-1的擦除带ebn-1的影响而缓慢地变化。此外，在图5所示的例子中，对头15以预定偏斜角向外方向倾斜的情况进行了说明，但也能对头15以预定偏斜角向内方向倾斜的情况进行同样的说明。75.图6是表示将读头15r配置在目标读半径位置rpn的情况下的错误率相对于半径位置的变化erln的一例的示意图。图6中示出了磁道trn。图6与图5相对应。在图6的横轴上，示出了半径位置rpa1、rpb1、rpwn、rpn、rpb2以及rpa2。半径位置rpb1比半径位置rpa1位于外方向，半径位置rpwn比半径位置rpb1位于外方向。半径位置rpn比半径位置rpwn位于外方向，半径位置rpb2比半径位置rpn位于外方向，半径位置rpa2比半径位置rpb2位于外方向。半径位置rpn相当于目标读半径位置。半径位置rpwn相当于目标写半径位置。图6中示出了与从成为原点的半径位置(以下，有时也称为原半径位置)到目标写半径位置的距离相当的偏移量xr。以下，有时也将“偏移量xr”称为“目标写半径位置xr”，有时也称为“目标写偏移量xr”。另外，在图6中，与从目标写半径位置到目标读半径位置的距离相当的偏移量x4相当于距离(以下，有时也称为目标偏移量或者目标读偏移量)xrr1。图6中示出了以半径位置rpn为中心的从半径位置rpa1到半径位置rpa2的范围rgv1和以半径位置rpn为中心的从半径位置rpb1到半径位置rpb2的范围rgnv1。在图6中，从半径位置rpa1到半径位置rpn的距离与从半径位置rpn到半径位置rpa2的距离相同。此外，从半径位置rpa1到半径位置rpn的距离与从半径位置rpn到半径位置rpa2的距离也可以不同。在图6中，从半径位置rpb1到半径位置rpn的距离与从半径位置rpn到半径位置rpb2的距离相同。从半径位置rpb1到半径位置rpn的距离与从半径位置rpn到半径位置rpb2的距离也可以不同。范围rgv1例如相当于在将读头15r配置在半径位置rpn的状态下的检测到振动时读头15r以半径位置rpn为中心而在半径方向上摇动或者偏离的范围。范围rgnv1例如相当于在将读头15r配置在半径位置rpn的状态下的未检测到振动时读头15r以半径位置rpn为中心而在半径方向上摇动或者偏离的范围。76.在图6的纵轴上，示出了错误率erb1、erb2、erc1、erc2以及er1。错误率erb1大于错误率er0，错误率erb2大于错误率erb1，错误率erc1大于错误率erb2，错误率er1大于错误率erc1，错误率erc2大于错误率er1。错误率erb1是将读头15r配置在半径位置rpb1而进行了读取的情况下的错误率，错误率erb2是将读头15r配置在半径位置rpb2而进行了读取的情况下的错误率。错误率erc1是将读头15r配置在半径位置rpa1而进行了读取的情况下的错误率，错误率erc2是将读头15r配置在半径位置rpa2而进行了读取的情况下的错误率。错误率er1相当于错误率阈值。77.在图6所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在目标写半径位置rpwn以使得写头15w配置在半径位置rpn来对磁道trn进行写入。78.在图6所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下的未检测到振动时，将读头15r配置在从目标写半径位置rpwn向外方向偏离了目标偏移量x4＝xrr1的目标读半径位置rpn，因由内部干扰等引起的振动，读头15r在范围rgnv1内一边在半径方向上摇动一边对磁道trn进行读取。在该情况下，通过读头15r读取磁道trn的情况下的错误率在从错误率er0到错误率erb2的范围内变动，因此在错误率阈值er1以下。79.在图6所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下的检测到振动时，将读头15r配置在从目标写半径位置rpwn向外方向偏离了目标偏移量x4＝xrr1的目标读半径位置rpn，因由外部干扰等引起的振动，读头15r在范围rgv1内一边在半径方向上摇动一边对磁道trn进行读取。在该情况下，通过读头15r读取磁道trn的情况下的错误率在从错误率er0到错误率erc2的范围内变动，因此可能变得比错误率阈值er1大。此外，在图6所示的例子中，对头15以预定偏斜角向外方向倾斜的情况进行了说明，但也能对头15以预定偏斜角向内方向倾斜的情况进行同样的说明。80.图7是表示本实施方式涉及的将读头15r配置在校正读半径位置的情况下的错误率相对于半径位置的变化erln的一例的示意图。图7中示出了磁道trn。图7与图5以及图6相对应。在图7的横轴上，示出了半径位置rpof1、rpe1、rpd1、rpoc1、rpwn、rpn、rpd2、rpe2以及rpof2。半径位置rpe1比半径位置rpof1位于外方向，半径位置rpd1比半径位置rpe1位于外方向，半径位置rpoc1比半径位置rpd1位于外方向，半径位置rpwn比半径位置rpoc1位于外方向，半径位置rpd2比半径位置rpn位于外方向，半径位置rpe2比半径位置rpd2位于外方向，半径位置rpof2比半径位置rpe2位于外方向。半径位置rpn相当于目标读半径位置。半径位置rpwn相当于目标写半径位置。半径位置rpoc1相当于校正读半径位置。半径位置rpoc1相当于从半径位置rpwn偏移(或者偏离)了偏移量x4＝xrr2的半径位置。图7中示出了以半径位置rpoc1为中心的从半径rpof1到半径位置rpof2的范围omr1、以半径位置rpoc1为中心的从半径位置rpe1到半径位置rpe2的范围rgv2和以半径位置rpoc1为中心的从半径位置rpd1到半径位置rpd2的范围rgnv2。在图7中，从半径位置rpof1到半径位置rpoc1的距离与从半径位置rpoc1到半径位置rpof2的距离相同。此外，从半径位置rpof1到半径位置rpoc1的距离与从半径位置rpoc1到半径位置rpof2的距离也可以不同。在图7中，从半径位置rpe1到半径位置rpoc1的距离与从半径位置rpoc1到半径位置rpe2的距离相同。此外，从半径位置rpe1到半径位置rpoc1的距离与从半径位置rpoc1到半径位置rpe2的距离也可以不同。在图7中，从半径位置rpd1到半径位置rpoc1的距离与从半径位置rpoc1到半径位置rpd2的距离相同。此外，从半径位置rpd1到半径位置rpoc1的距离与从半径位置rpoc1到半径位置rpd2的距离也可以不同。范围omr1相当于在配置读头15r对磁道trn进行了读取的情况下的错误率在错误率阈值er1以下的半径方向的范围。换言之，范围omr1相当于能够配置读头15r来读取磁道trn的半径方向的范围(或者区域)。在图7中，与范围omr1相比在外方向的区域以及与范围omr1相比在内方向的区域相当于无法配置读头15r来读取磁道trn的半径方向的区域。范围rgv2例如相当于在将读头15r配置在半径位置rpoc1的状态下在检测到振动时读头15r以半径位置rpoc1为中心而在半径方向上摇动或者偏离的范围。范围rgnv2例如相当于在将读头15r配置在半径位置rpoc1的状态下在未检测到振动时读头15r以半径位置rpoc1为中心而在半径方向上摇动或者偏离的范围。81.在图7的纵轴上，示出了错误率erd1、erd2、ere1以及ere2。错误率erd2大于错误率er0，错误率erd1大于错误率erd2，错误率ere2大于错误率erd1，错误率ere1大于错误率ere2，错误率er1大于错误率ere1。错误率erd2是将读头15r配置在半径位置rpd2而进行了读取的情况下的错误率，错误率erd1是将读头15r配置在半径位置rpd1而进行了读取的情况下的错误率，错误率ere2是将读头15r配置在半径位置rpe2而进行了读取的情况下的错误率，错误率ere1是将读头15r配置在半径位置rpe1而进行了读取的情况下的错误率。在图7的错误率的变化erln中，在半径位置rpof1示出了作为错误率阈值er1的点pof1，在半径位置rpof2示出了作为错误率阈值er1的点pof2。图7中示出了连结点pof1与点pof2的直线的中心点phf1。82.在图7所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下将读头15r配置在从目标读半径位置rpn到位于半径方向上的各半径位置来测定或者检测各半径位置上的错误率，测定或者检测错误率成为错误率阈值er1的半径位置rpof1以及rpof2。mpu60测定或者检测与通过将点pof1及pof2连结的直线的中心并且和将点pof1及pof2连结的直线交叉、例如正交的直线对应的校正读半径位置rpoc1。mpu60基于目标写半径位置rpwn和校正读半径位置rpoc1计算校正偏移量x4＝xrr2。mpu60也可以将与磁道trn的预定扇区或者磁道trn等的信息相关联的校正偏移量x4＝xrr2或者校正读半径位置rpoc1作为表，记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等。83.在图7所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下的未检测到振动时，将读头15r配置在目标读半径位置rpn，因由内部干扰等引起的振动，读头15r在范围rgnv2内一边在半径方向上摇动一边对磁道trn进行读取。在该情况下，通过读头15r读取磁道trn的情况下的错误率如图7所示那样在从错误率er0到错误率erd1的范围内变动，因此比错误率阈值er1小。84.在图7所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向外方向倾斜的状态下的检测到振动时，将读头15r配置在从目标写半径位置rpwn向内方向偏离了偏移量x4＝xrr2的校正读半径位置rpoc1，因由外部干扰等引起的振动，读头15r在范围rgv2内一边在半径方向上摇动一边对磁道trn进行读取。在该情况下，通过读头15r读取磁道trn的情况下的错误率在从错误率er0到错误率ere1的范围内变动，因此比错误率阈值er1小。此外，在图7所示的例子中，对头15以预定偏斜角向外方向倾斜的情况进行了说明，但也能对头15以预定偏斜角向内方向倾斜的情况进行同样的说明。85.图8是表示本实施方式涉及的错误率相对于频率的分布的一例的示意图。图8与图5、图6以及图7相对应。在图8中，横轴表示对预定区域、例如扇区进行了读取的频率(以下，有时也简称为频率)，纵轴表示错误率、例如扇区错误率。在图8所示的横轴中，频率随着朝向箭头的前端侧而增大，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而减小。在图8所示的纵轴中，错误率随着朝向箭头的前端侧而增大，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而减小。图8中示出了在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下的未检测到振动时将读头15r配置在目标读半径位置从而由于内部干扰等而一边在半径方向上摇动一边对预定扇区进行了读取的情况下的错误率相对于频率的分布(以下，有时也简称为错误率的分布)eslnv1。图8中示出了在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下的检测到振动时将读头15r配置在目标读半径位置从而由于外部干扰等而一边在半径方向上摇动一边对预定扇区进行了读取的情况下的错误率相对于频率的分布eslv1。图8中示出了在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下的未检测到振动时将读头15r配置在校正读半径位置从而由于内部干扰等而一边在半径方向上摇动一边对预定扇区进行了读取的情况下的错误率相对于频率的分布eslnv2。图8中示出了在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下的检测到振动时将读头15r配置在校正读半径位置从而由于外部干扰等而一边在半径方向上摇动一边对预定扇区进行了读取的情况下的错误率相对于频率的分布eslv2。86.在图8所示的例子中，错误率的分布eslnv1分布于错误率阈值er1以下的错误率，集中分布于错误率er0。错误率分布eslv1一部分分布于比错误率阈值er1大的错误率，集中分布于错误率er0。87.在图8所示的例子中，错误率的分布eslnv2分布于错误率阈值er1以下的错误率，集中分布于错误率er0侧的错误率。错误率的分布eslv2分布于错误率阈值er1以下的错误率，集中分布于错误率er0侧的错误率，与错误率的分布eslnv2相比，错误率更分布于错误率阈值er1侧。88.图9是表示本实施方式涉及的头15的定位控制系统sy的一例的框图。89.磁盘装置1具有头15的定位控制系统(以下，有时也称为定位控制系统)sy。定位控制系统sy具有变换器s1、控制器s2、致动器s3、生成器s4、运算器cl1以及运算器cl2。变换器s1、控制器s2、致动器s3、生成器s4、运算器cl1以及运算器cl2例如包含于头放大器ic30以及系统控制器130等。致动器s3例如由臂13以及vcm14等构成。运算器cl2、控制器s2以及致动器s3构成反馈系统。90.在图9中，作为对象的扇区(以下，有时也称为对象扇区)(c、h、s)、对象扇区(c、h、s)中的目标写半径位置xr、与对象扇区(c、h、s)对应的偏移量x4、与对象扇区(c、h、s)对应的在读处理时将读头15r配置的半径位置(以下，有时也称为读半径位置)x5、作为读半径位置x5与头15的实际的位置(以下，有时也称为实际位置)的差量的定位误差e、致动器s3在对象扇区中的驱动量u、以及头15在对象扇区中的实际位置yr均能在定位控制系统sy内被作为信号或者信息进行处理。执行读处理的读标志fr以及表示振动状态、例如是检测到振动时还是未检测到振动时的振动状态标志fv也均能在定位控制系统sy内被作为信号或者信息进行处理。91.变换器s1将与由上级装置、例如主机100指定的盘10的逻辑位置对应的物理位置变换为盘10的半径位置。变换器s1例如从与由主机100指定的lba(逻辑区块地址)对应的伺服信息阵列(c：磁道或者柱面、s：扇区)将在头15中定位头编号h的头的盘10的同心圆状的多个磁道中的预定磁道的磁道编号c、多个头中的预定头的头编号h、与磁道编号c的磁道的多个扇区中的预定扇区的扇区编号s的组合(c、h、s)变换为扇区编号s的扇区中的目标写半径位置xr。92.控制器s2控制致动器s3。控制器s2基于作为读半径位置x5、例如校正读半径位置x5与实际位置yr的差量值的定位误差e，生成致动器s3的头15的驱动量u。此外，控制器s2也可以基于除了定位误差e以外的值生成驱动量u。93.致动器s3根据控制器s2的输出进行驱动。致动器s3例如基于驱动量u进行驱动，在对象扇区(c、h、s)中移动到头15的实际位置yr。94.生成器s4生成偏移量x4。生成器s4根据读标志fr和振动状态标志fv生成偏移量x4。生成器s4在被输入了读标志fr和表示是检测到振动时的振动状态标志fv的情况下，生成偏移量(目标偏移量)x4＝xrr1。生成器s4在被输入了读标志fr和表示是未检测到振动时的振动状态标志fv的情况下，生成偏移量(校正偏移量)x4＝xrr2。95.在由上级装置、例如主机100指定了要读取数据的盘10的逻辑位置、例如lba的情况下，定位控制系统sy预先将lba变换为物理位置(c、h、s)，将对象扇区(c、h、s)输出到变换器s1以及生成器s4。变换器s1被输入对象扇区(c、h、s)。变换器s1将对象扇区(c、h、s)变换为目标写半径位置(目标写偏移量)xr，并输出到运算器cl1。生成器s4被输入对象扇区(c、h、s)。生成器s4将与对象扇区(c、h、s)对应的偏移量x4输出到运算器cl1。运算器cl1被输入目标写半径位置xr以及偏移量x4。运算器cl1计算将目标写半径位置xr以及偏移量x4相加得到的读半径位置x5，将读半径位置x5输出到运算器cl2。运算器cl2被输入读半径位置x5以及实际位置yr。运算器cl2从读半径位置x5以及实际位置yr的差量计算定位误差e，将定位误差e输出到控制器s2。控制器s2被输入定位误差e。控制器s2将驱动量u输出到致动器s3。致动器s3被输入驱动量u。致动器s3根据驱动量u进行驱动，将头15、例如读头15r移动到与驱动量u对应的实际位置yr。致动器s3将实际位置yr输出到运算器cl2。96.图10是表示本实施方式涉及的生成器s4的构成例的示意图。97.生成器s4具有表(表1)s401、表(表2)s402、选择器slt1以及选择器slt2。98.表s401具有用于将盘10的各圆周位置以及各半径位置、例如盘10的各扇区所对应的目标写半径位置偏移为目标读半径位置的各目标偏移量xrr1。99.表s402具有用于将盘10的各圆周位置以及各半径位置、例如盘10的各扇区所对应的目标写半径位置偏移为校正读半径位置的各校正偏移量xrr2。100.选择器slt1根据振动状态标志fv，选择是接收从表s401输入的目标偏移量xrr1还是接收从表s402输入的校正偏移量xrr2，并将从表s401或者表s402输入的信号输出到选择器slt2。选择器slt1在被输入了表示是未检测到振动时的振动状态标志fv＝0的情况下，选择接收从表s401输入的目标偏移量xrr1，将从表s401输入的目标偏移量xrr1输出到选择器slt2。选择器slt1在被输入了表示是检测到振动时的振动状态标志fv＝1的情况下，选择接收从表s402输入的校正偏移量xrr2，将从表s402输入的校正偏移量xrr2输出到选择器slt2。101.选择器slt2根据读标志，选择是否接收从选择器slt1输入的信号。选择器slt2在被输入了读标志fr＝0的情况下、也即是说不执行读处理的情况下，不接收从选择器slt1输入的信号，不输出偏移量x4。选择器slt2在被输入了读标志fr＝1的情况下、也即是说执行读处理的情况下，接收从选择器slt1输入的信号，将从选择器slt1输入的信号作为偏移量x4进行输出。102.生成器s4被输入对象扇区(c、h、s)。表s401被输入对象扇区(c、h、s)，将与对象扇区(c、h、s)对应的目标偏移量xrr1输出到选择器slt1。表s402被输入对象扇区(c、h、s)，将与对象扇区(c、h、s)对应的校正偏移量xrr2输出到选择器slt1。选择器slt1由表s401输入目标偏移量xrr1，由表s402输入校正偏移量xrr2，并根据振动状态标志fv输出目标偏移量xrr1或者校正偏移量xrr2。选择器slt2由选择器slt1输入目标偏移量xrr1或者校正偏移量xrr2，并根据读标志fr选择执行读处理(fr＝1)或不执行读处理(fr＝0)，在执行读处理的情况下将目标偏移量xrr1或者校正偏移量xrr2作为偏移量x4进行输出。换言之，选择器slt2由选择器slt1输入目标偏移量xrr1或者校正偏移量xrr2，并根据读标志fr选择执行读处理(fr＝1)还是执行写处理(fr＝0)，在执行读处理的情况下将目标偏移量xrr1或者校正偏移量xrr2作为偏移量x4进行输出。103.图11是表示本实施方式涉及的读处理方法的一例的流程图。104.mpu60判定是否是检测到振动时(b1101)。换言之，mpu60判定是检测到振动时还是未检测到振动时。例如，mpu60在头15以预定偏斜角倾斜的状态下判定是否是检测到振动时。在判定为是未检测到振动时的情况下(b1101：否)，mpu60将读头15r定位于目标读半径位置(b1102)，并前进至b1104的处理。在判定为是检测到振动时的情况下(b1101：是)，mpu60将读头15r定位于校正读半径位置(b1103)，执行读处理(b1104)，并结束处理。105.根据本实施方式，磁盘装置1根据振动状态，将读头15r定位于目标读半径位置或者校正读半径位置来执行读处理。磁盘装置1在头15以预定偏斜角倾斜的状态下的检测到振动时将读头15r定位于校正读半径位置来执行读处理。磁盘装置1在头15以预定偏斜角倾斜的状态下的未检测到振动时将读头15r定位于目标读半径位置来执行读处理。因此，磁盘装置1能够提高读性能。106.接着，对前述的实施方式涉及的其他实施方式涉及的磁盘装置进行说明。在其他实施方式中，对与前述的实施方式相同的部分标注相同的附图标记而省略其详细说明。107.(第2实施方式)108.第2实施方式涉及的磁盘装置1与前述的第1实施方式的磁盘装置1的不同之处在于写/读处理方法。109.写控制部610根据振动状态，写入表示在被施加了振动阈值以上的振动的状态下进行了写入的信息(以下，有时也称为振动写信息)。110.写控制部610在检测到振动时正在对预定扇区进行写入的情况下，将振动写信息与该扇区相关联地记录于预定的记录区域、例如该扇区(数据扇区)、盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80等。写控制部610在检测到振动时正在对预定扇区进行写入的情况下，将振动写信息与该扇区的lba(logicalblockaddress)相关联地记录于预定的记录区域、例如该扇区(数据扇区)、盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80等。写控制部610在未检测到振动时正在对预定扇区进行写入的情况下，不记录振动写信息。111.读控制部620在读取预定数据、例如预定扇区时在预定的记录区域、例如该扇区、盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80等中检测出与该扇区对应的振动写信息的情况下，将读头15r配置在校正读半径位置来读取该数据、例如该扇区。例如，读控制部620在读取预定扇区时在该扇区中写入有振动写信息的情况下，将读头15r配置在校正读半径位置来读取该扇区。读控制部620在读取预定数据、例如预定扇区时没能在预定的记录区域、例如该扇区、盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80等中检测出与该扇区对应的振动写信息的情况下，将读头15r配置在目标读半径位置来读取该数据、例如该扇区。例如，读控制部620在读取预定扇区时在该扇区中没有写入振动写信息的情况下，将读头15r配置在目标读半径位置来读取该扇区。112.图12是表示将读头15r配置在目标读半径位置rpk的情况下的错误率相对于半径位置的变化erl0n、erl1n和erl2n的一例的示意图。图12的横轴上示出了半径位置rpf1、rpk以及rpf2。半径位置rpk比半径位置rpf1位于外方向，半径位置rpf2比半径位置rpk位于外方向。半径位置rpk相当于目标读半径位置。图12中示出了以半径位置rpk为中心的从半径位置rpf1到半径位置rpf2的范围rg1。在图12中，从半径位置rpf1到半径位置rpk的距离与从半径位置rpk到半径位置rpf2的距离相同。此外，从半径位置rpf1到半径位置rpk的距离与从半径位置rpk到半径位置rpf2的距离也可以不同。范围rg1例如相当于在将读头15r配置在半径位置rpn的情况下读头15r以半径位置rpn为中心而在半径方向上摇动或者偏离的范围。另外，宽度wp相当于在写入时写头15w在半径方向上摇动的幅度。113.在图12的纵轴上示出了错误率erf1、erf2、erh1、erh2以及erg1。错误率erh2大于错误率er0，错误率erf1大于错误率erh2，错误率erf2大于错误率erf1，错误率erh1大于错误率erf2，错误率er1大于错误率erh1，错误率erg1大于错误率er1。图12中示出了将写头15w配置在目标写头半径位置rpk而对预定扇区或者预定磁道进行了写入的情况下的错误率相对于半径位置的变化erl0n、将写头15w配置在从目标写头半径位置rpk向内方向分离开的半径位置rpk-wp/2而对预定扇区或者预定磁道进行了写入的情况下的错误率相对于半径位置的变化erl1n、以及将写头15w配置在从目标写头半径位置rpk向外方向分离开的半径位置rpk+wp/2而对预定扇区或者预定磁道进行了写入的情况下的错误率相对于半径位置的变化erl2n。此外，错误率的变化erl1n也可以是将写头15w配置在从目标写头半径位置rpk向外方向分离开的半径位置rpk+wp/2而对预定扇区或者预定磁道进行了写入的情况下的错误率相对于半径位置的变化。错误率的变化erl2n也可以是将写头15w配置在从目标写头半径位置rpk向内方向分离开的半径位置rpk-wp/2而对预定扇区或者预定磁道进行了写入的情况下的错误率相对于半径位置的变化。错误率的变化erl0n包含半径位置rpf1上的错误率erf1、半径位置rpk上的错误率er0以及半径位置rpf2上的错误率erf2。错误率的变化erl1n包含半径位置rpf1上的错误率er0以及半径位置rpf2上的错误率erg1。错误率的变化erl2n包含半径位置rpf1上的错误率erh1以及半径位置rpf2上的错误率erh2。114.在图12所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下将被施加了由外部干扰等引起的振动的写头15w配置在半径位置rpk而对预定扇区进行写入的情况下，写头15w一边在半径方向上摇动一边写入分别与错误率的变化erl0n、erl1n以及erl2n对应的多个数据。115.在图12所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下，将读头15r配置在目标读半径位置，由于振动，读头15r在范围rg1内一边在半径方向上摇动一边对预定扇区进行读取。在该情况下，分别与错误率的变化erl0n、erl1n以及erl2n对应的对多个数据进行了读取的情况下的错误率在从错误率er0到错误率erg1的范围内变动，因此可能会变得比错误率阈值er1大。116.图13是表示本实施方式涉及的将读头15r配置在校正读半径位置rpoc2的情况下的错误率相对于半径位置的变化erl0n、erl1n和erl2n的一例的示意图。图13与图12相对应。在图13的横轴上示出了半径位置rpof3、rpg1、rpoc2、rpk、rpg2以及rpof4。半径位置rpg1比半径位置rpof3位于外方向，半径位置rpoc2比半径位置rpg1位于外方向，半径位置rpk比半径位置rpoc2位于外方向，半径位置rpg2比半径位置rpk位于外方向，半径位置rpof4比半径位置rpf2位于外方向。半径位置rpk相当于目标读半径位置。半径位置rpoc2相当于校正读半径位置。图13中示出了以半径位置rpoc2为中心的从半径位置rpof3到半径位置rpof4的范围omr2和以半径位置rpoc2为中心的从半径位置rpg1到半径位置rpg2的范围rg2。在图13中，从半径位置rpof3到半径位置rpoc2的距离与从半径位置rpoc2到半径位置rpof4的距离相同。此外，从半径位置rpof3到半径位置rpoc2的距离与从半径位置rpoc2到半径位置rpof4的距离也可以不同。在图13中，从半径位置rpg1到半径位置rpoc2的距离与从半径位置rpoc2到半径位置rpg2的距离相同。此外，从半径位置rpg1到半径位置rpoc2的距离与从半径位置rpoc2到半径位置rpg2的距离也可以不同。范围omr2相当于在配置读头15r对预定扇区或者预定磁道进行了读取的情况下的错误率成为错误率阈值er1以下的半径方向的范围。换言之，范围omr2相当于能够读取预定扇区或者预定磁道的半径方向的范围(或者区域)。在图13中，与范围omr2相比在外方向的区域以及与范围omr2相比在内方向的区域相当于无法配置读头15r对预定扇区或者预定磁道进行读取的半径方向的区域。范围rg2例如相当于在将读头15r配置在半径位置rpoc2的情况下读头15r以半径位置rpoc2为中心而在半径方向上摇动或者偏离的范围。117.在图13的纵轴上示出了错误率eri1、eri2、erj1以及erj2。错误率erj1大于错误率er0，错误率eri2大于错误率erj1，错误率eri1大于错误率eri2，错误率erj2大于错误率eri1，错误率er1大于错误率erj2。在图13中，错误率的变化erl0n包含半径位置rpg1上的错误率eri1以及半径位置rpg2上的错误率eri2。错误率的变化erl1n包含半径位置rpg1上的错误率erj1以及半径位置rpg2上的错误率erj2。错误率的变化erl2n包含半径位置rpg1上的错误率erj2以及半径位置rpg2上的错误率er0。在图13的错误率的变化erl0n中，在半径位置rpof3示出了作为错误率阈值er1的点pof3，在半径位置rpof4示出了作为错误率阈值er1的点pof4。图13中示出了连结点pof3与点pof4的直线的中心点phf2。118.在图13所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下将读头15r配置在从目标读半径位置rpk到位于半径方向上的各半径位置来测定或者检测各半径位置上的错误率，测定或者检测与范围rg2的各半径位置对应的各错误率成为错误率阈值er1以下的校正读半径位置rpoc2。mpu60也可以将与预定扇区或者预定磁道等的信息相关联的校正偏移量或者校正读半径位置rpoc2作为表，记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等。119.在图13所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下，在要读取预定扇区时没有在该扇区中检测出与该扇区对应的振动写信息的情况下，将读头15r配置在目标读半径位置rpk来读取该扇区。在该情况下，错误率的变化与erl0n大致相同的对多个数据进行了读取的情况下的错误率如图12所示那样在从错误率er0到错误率erf2的范围内变动，因此比错误率阈值er1小。120.在图13所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角在半径方向上倾斜的状态下，在要读取预定扇区时从该扇区检测出与该扇区对应的振动写信息的情况下，将读头15r配置在校正读半径位置rpoc2来读取该扇区。在该情况下，分别与错误率的变化erl0n、erl1n以及erl2n对应的对多个数据进行了读取的情况下的错误率在从错误率er0到错误率erj2的范围内变动，因此比错误率阈值er1小。121.图14是表示第2实施方式涉及的错误率相对于频率的分布的一例的示意图。图14与图12以及图13相对应。在图14中，横轴表示频率，纵轴表示错误率、例如扇区错误率。在图14所示的横轴中，频率随着朝向箭头的前端侧而增大，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而减小。在图14所示的纵轴中，错误率随着朝向箭头的前端侧而增大，随着朝向箭头的前端侧的相反侧而减小。图14中示出了由配置在目标读半径位置的读头15r对在未检测到振动时由在半径方向上摇动的写头15w写入的数据进行了读取的情况下的错误率相对于频率的分布(以下，有时也简称为错误率的分布)eslnc、和由配置在校正读半径位置的读头15r对在检测到振动时由在半径方向上摇动的写头15w写入的数据进行了读取的情况下的错误率相对于频率的分布eslc。122.在图14所示的例子中，错误率分布eslnc一部分分布于错误率阈值er1以上的错误率，集中分布于错误率er0。123.在图14所示的例子中，错误率的分布eslc分布于错误率阈值er1以下的错误率，集中分布于错误率er0侧的错误率，与错误率的分布eslnc相比，错误率更分布于错误率阈值er1侧。124.图15是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。125.mpu60判定是否是检测到振动时(b1501)。换言之，mpu60判定是检测到振动时还是未检测到振动时。在判定为是未检测到振动时的情况下(b1501：否)，mpu60前进至b1503的处理。在判定为是检测到振动时的情况下(b1501：是)，mpu60将振动写信息记录于预定的记录区域、例如预定扇区、盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80等(b1502)，执行写处理(b1503)，并结束处理。126.图16是表示第2实施方式涉及的读处理方法的一例的流程图。127.mpu60判定是否是检测到振动时(b1101)。在判定为是检测到振动时的情况下(b1101：是)，mpu60前进至b1103的处理。在判定为是未检测到振动时的情况下(b1101：否)，mpu60判定是否有振动写信息(b1601)。例如，在判定为是未检测到振动时的情况下，mpu60判定预定的记录区域、例如要进行读取的扇区、盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80等中是否记录有与要进行读取的扇区(的lba)对应的振动写信息。在判定为没有振动写信息的情况下(b1601：否)，mpu60将读头15r定位于目标读半径位置(b1102)，并前进至b1104的处理。在判定为有振动写信息的情况下(b1601：是)，mpu60将读头15r定位于校正读半径位置(b1103)，执行读处理(b1104)，并结束处理。128.根据第2实施方式，磁盘装置1在写处理中的检测到振动时，将振动写信息记录于预定的记录区域。磁盘装置1在要读取预定扇区时从该扇区检测出与该扇区对应的振动写信息的情况下，将读头15r配置在与该扇区对应的校正读半径位置来读取该扇区。磁盘装置1在要读取预定扇区时没能从该扇区检测出与该扇区对应的振动写信息的情况下，将读头15r配置在与该扇区对应的目标读半径位置来读取该扇区。因此，磁盘装置1能够提高读性能。129.(第3实施方式)130.与前述的第1实施方式以及第2实施方式的不同之处在于，第3实施方式涉及的磁盘装置1是具有搭载多个读头15r的头15的二维记录(two-dimensionalmagneticrecording：tdmr)方式的磁盘装置。131.图17是表示第3实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。132.磁盘装置1例如是二维记录(two-dimensionalmagneticrecording：tdmr)方式的磁盘装置。133.读头15r具有多个读头15r、例如两个读头15r1和15r2。读头15r2例如设置在离写头15w最远的位置。读头15r1例如设置在次于读头15r2而远离写头15w的位置。换言之，读头15r1位于写头15w和读头15r2之间。此外，读头15r也可以具有3个以上的读头。写头15w、读头15r1以及读头15r2也可以以除了前述的顺序以外的顺序配置。有时也将多个读头15r、例如两个读头15r1和15r2统称为读头15r，有时也将多个读头15r、例如读头15r1和15r2中的某一个简称为读头15r。以下，有时也将多个读头15r中的在读处理时成为定位的基准的读头15r称为主(main)读头15r或者首(primary)读头15r。另外，有时也将多个读头15r中的除了主读头15r以外的读头15r称为辅助(sub-)读头15r或者次要(secondary)读头15r。134.图18是表示将读头15r1配置在基准位置rpb的情况下的写头15w和两个读头15r1、15r2的几何配置的一例的示意图。在图18中，读头15r1相当于主读头15r1，读头15r2相当于辅助读头15r2。图18中示出了读头(主读头)15r1的中心部rc1和读头(辅助读头)15r2的中心部rc2。以下，有时也将读头15r1的中心部rc1与读头15r2的中心部rc2之间的圆周方向的间隔称为沿磁道间隔(downtrackseparation：dts)。另外，有时也将读头15r1的中心部rc1与读头15r2的中心部rc2之间的半径方向的间隔称为跨磁道间隔(crosstrackseparation：cts)。135.在图18所示的例子中，写头15w、读头15r1以及读头15r2在将读头15r1配置在基准位置rpb的情况下没有沿圆周方向排列。在读头15r1配置在基准位置rpb的情况下，读头15r1位于写头15w的外方向。在读头15r1配置在基准位置rpb的情况下，读头15r2位于写头15w的内方向。写头15w和读头15r1在圆周方向上分离开而设置。读头15r1和读头15r2在圆周方向上分离开而设置。136.图19是表示将读头15r1配置在半径位置rpi的情况下的写头15w和两个读头15r1、15r2的几何配置的一例的图。图19与图18相对应。137.在图19所示的例子中，在将主读头15r1设置在半径位置rpi的情况下，头15以预定偏斜角向半径方向的内方向倾斜。在图19中，在将主读头15r1设置在半径位置rpi的情况下，写头15w、主读头15r1以及辅助读头15r2从将主读头15r1设置在基准位置rpb的状态以预定偏斜角向半径方向的内方向倾斜。138.此外，在将主读头15r1设置在图2中的半径位置rpo的情况下，也与将主读头15r1设置在半径位置rpi的情况下同样地，写头15w和两个读头15r1、15r2从将主读头15r1设置在图2中的基准位置rpb的状态以预定偏斜角向半径方向的外方向倾斜。139.图20是表示第3实施方式涉及的将读头15r配置在校正读半径位置rpoc3的情况下的错误率相对于半径位置的变化erlcb1的一例的示意图。图20中示出了磁道trm。在图20的横轴上示出了半径位置rpof5、rpmm、rpwm、rpoc3、rpsm以及rpof6。半径位置rpmm比半径位置rpof5位于外方向，半径位置rpwm比半径位置rpmm位于外方向，半径位置rpoc3比半径位置rpwm位于外方向，半径位置rpsm比半径位置rpoc3位于外方向，半径位置rpof6比半径位置rpsm位于外方向。半径位置rpmm相当于磁道trm的磁道中央trcm。半径位置rpmm相当于目标写头半径位置。另外，半径位置rpmm相当于目标读半径位置。半径位置rpwm相当于作为用于将写头15w定位于半径位置rpmm的读头15r1的目标读头半径位置的目标写半径位置。例如，半径位置rpwm也可以对应于基准位置rpb。半径位置rpoc3相当于校正读半径位置。半径位置rpmm相当于从半径位置rpwm向内方向偏移(或者偏离)了偏移量xs01的半径位置。半径位置rpoc3相当于从半径位置rpwm向外方向偏移(或者偏离)了偏移量x0t的半径位置。半径位置rpsm相当于从半径位置rpwm向外方向偏移(或者偏离)了偏移量xs02的半径位置。图20中示出了以半径位置rpoc3为中心的从半径位置rpof5到半径位置rpof6的范围omr3。在图20中，从半径位置rpof5到半径位置rpoc3的距离与从半径位置rpoc3到半径位置rpof6的距离相同。此外，从半径位置rpof5到半径位置rpoc3的距离与从半径位置rpoc3到半径位置rpof6的距离也可以不同。范围omr3相当于在配置读头15r对磁道trm进行了读取的情况下的错误率成为错误率阈值er1以下的半径方向的范围。换言之，范围omr3相当于能够配置读头15r来读取磁道trm的半径方向的范围(或者区域)。在图20中，与范围omr3相比在外方向的区域以及与范围omr3相比在内方向的区域相当于无法配置读头15r来读取磁道trm的半径方向的区域。140.图20中示出了在从磁道中央trcm在半径方向的各半径位置通过读头15r1读取了磁道trm的情况下的读头15r1的错误率相对于半径位置的变化erltb1、在从磁道中央trcm在半径方向的各半径位置通过读头15r2读取了磁道trm的情况下的读头15r1的错误率相对于半径位置的变化erltb2、以及将错误率的变化erltb1和错误率的变化erltb2合成出的错误率的变化erlcb1。在图20的错误率的变化erlcb1中，在半径位置rpof5示出了作为错误率阈值er1的点pof5，在半径位置rpof6示出了作为错误率阈值er1的点pof6。图20中示出了连结点pof5与点pof6的直线的中心点phf3。141.在图20所示的例子中，mpu60将读头(主读头)15r1配置在目标写半径位置rpwm而通过配置在目标写头半径位置rpmm的写头15w对磁道trm进行写入。142.在图20所示的例子中，mpu60将读头15r1配置在从目标读半径位置rpmm到位于半径方向的各半径位置来测定或者检测各半径位置上的错误率，测定或者检测错误率成为错误率阈值er1的半径位置rpof5以及rpof6。mpu60例如基于半径位置rpof5以及rpof6计算与半径位置rpof5以及rpof6的范围omr3的中心对应的校正读半径位置rpoc3。mpu60也可以基于半径位置rpwm和半径位置rpoc3计算校正偏移量。mpu60也可以将与预定扇区或者预定磁道等的信息相关联的校正偏移量或者校正读半径位置rpoc3作为表，记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等。143.在图20所示的例子中，mpu60在未检测到振动时将读头15r1配置在目标读半径位置rpmm来对预定扇区或者预定磁道进行读取。144.在图20所示的例子中，mpu60在检测到振动时将读头15r1配置在校正读半径位置rpoc3来对预定扇区或者预定磁道进行读取。在该情况下，当在检测到振动时读头15r1以及15r2向外方向摇动地进行了读取的情况下的成为错误率阈值er1以下的错误率的半径方向的范围与当在检测到振动时读头15r1以及15r2向内方向摇动地进行了读取的情况下的成为错误率阈值er1以下的错误率的半径方向的范围可能相同。145.图21是表示第3实施方式涉及的在头15以预定偏斜角倾斜的状态下将读头15r1配置在校正读半径位置rpoc4的情况下的错误率相对于半径位置的变化erlci1的一例的示意图。图21中示出了磁道trm-1。在图21的横轴上示出了半径位置rpof7、rpmm-1、rpwm-1、rpoc4、rpsm-1以及rpof8。半径位置rpmm-1比半径位置rpof5位于外方向，半径位置rpwm-1比半径位置rpmm-1位于外方向，半径位置rpoc4比半径位置rpwm-1位于外方向，半径位置rpsm-1比半径位置rpoc4位于外方向，半径位置rpof8比半径位置rpsm-1位于外方向。半径位置rpmm-1相当于磁道trm-1的磁道中央trcm-1。半径位置rpmm-1相当于目标写头半径位置。另外，半径位置rpmm-1相当于目标读半径位置。半径位置rpoc4相当于校正读半径位置。半径位置rpwm-1相当于作为用于将写头15w定位在半径位置rpmm-1的读头15r1的目标读头半径位置的目标写半径位置。半径位置rpmm-1相当于从半径位置rpwm-1向内方向偏移(或者偏离)了偏移量xs11的半径位置。半径位置rpoc4相当于从半径位置rpwm-1向外方向偏移(或者偏离)了偏移量x1t的半径位置。半径位置rpsm-1相当于从半径位置rpwm-1向外方向偏移(或者偏离)了偏移量xs12的半径位置。图21中示出了以半径位置rpoc4为中心的从半径位置rpof7到半径位置rpof8的范围omr4。在图21中，从半径位置rpof7到半径位置rpoc4的距离与从半径位置rpoc4到半径位置rpof8的距离相同。此外，从半径位置rpof7到半径位置rpoc4的距离也从半径位置rpoc4到半径位置rpof8的距离也可以不同。范围omr4相当于在配置读头15r来对磁道trm-1进行了读取的情况下的错误率成为错误率阈值er1以下的半径方向的范围。换言之，范围omr4相当于能够配置读头15r来读取磁道trm-1的半径方向的范围(或者区域)。在图21中，与范围omr4相比在外方向的区域以及与范围omr4相比在内方向的区域相当于无法配置读头15r来读取磁道trm-1的半径方向的区域。146.图21中示出了在从磁道中央trcm-1在半径方向的各半径位置通过读头(主读头)15r1读取了磁道trm-1的情况下的读头15r1的错误率相对于半径位置的变化erlti1、在从磁道中央trcm-1在半径方向的各半径位置通过读头15r2读取了磁道trm-1的情况下的读头15r1的错误率相对于半径位置的变化erlti2、以及将错误率的变化erlti1和错误率的变化erlti2合成出的错误率的变化erlci1。在图21的错误率的变化erlci1中，在半径位置rpof7示出了作为错误率阈值er1的点pof7，在半径位置rpof8示出了作为错误率阈值er1的点pof8。图21中示出了连结点pof7与点pof8的直线的中心点phf4。147.在图21所示的例子中，mpu60在头15以预定偏斜角向内方向倾斜的状态下将读头(主读头)15r1配置在目标写半径位置rpwm-1而通过配置在目标写头半径位置rpmm-1的写头15w对磁道trm-1进行写入。148.在图21所示的例子中，mpu60将读头15r1配置在从目标读半径位置rpmm-1到位于半径方向的各半径位置来测定或者检测各半径位置上的错误率，测定或者检测错误率成为错误率阈值er1的半径位置rpof7以及rpof8。mpu60例如基于半径位置rpof7以及rpof8计算与半径位置rpof7以及rpof8的范围omr4的中心对应的校正读半径位置rpoc4。mpu60也可以基于半径位置rpwm-1和半径位置rpoc4计算校正偏移量。mpu60也可以将与预定扇区或者预定磁道等的信息相关联的校正偏移量或者校正读半径位置rpoc4作为表，记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等。149.在图21所示的例子中，mpu60在未检测到振动时将读头15r1配置在目标读半径位置rpmm-1来对预定扇区或者预定磁道进行读取。150.在图21所示的例子中，mpu60在检测到振动时将读头15r1配置在校正读半径位置rpoc4来对预定扇区或者预定磁道进行读取。在该情况下，当在检测到振动时读头15r1以及15r2向外方向摇动地进行了读取的情况下的成为错误率阈值er1以下的错误率的半径方向的范围与当在检测到振动时读头15r1以及15r2向内方向摇动地进行了读取的情况下的成为错误率阈值er1以下的错误率的半径方向的范围可能相同。此外，在图21所示的例子中，对头15以预定偏斜角向内方向倾斜的情况进行了说明，但也能对头15以预定偏斜角向外方向倾斜的情况进行同样的说明。151.根据第3实施方式，磁盘装置1在检测到振动时将主读头15r1定位于校正读半径位置来执行读处理。另外，磁盘装置1在未检测到振动时将主读头15r1定位于目标读半径位置来执行读处理。因此，磁盘装置1能够提高读性能。152.说明了几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或要旨内，并且包含于技术方案中记载的发明及与其等同的范围内。当前第1页12当前第1页12

技术特征：

1.一种磁盘装置，具备：盘；头，其具有向所述盘写入数据的写头和从所述盘读取数据的读头；以及控制器，其根据由干扰所施加的振动，变更读处理时的偏移量。2.根据权利要求1所述的磁盘装置，所述控制器在读处理时没有检测到所述振动的情况下，将所述读头配置在能够以最小的第1错误率读取第1磁道的第1位置来读取所述第1磁道。3.根据权利要求2所述的磁盘装置，所述控制器在读处理时检测到了所述振动的情况下，将所述读头配置在与所述第1位置不同的第2位置来读取所述第1磁道。4.根据权利要求3所述的磁盘装置，所述第2位置相当于能够读取所述第1磁道的半径方向的区域与不能读取所述第1磁道的半径方向的区域的两个边界位置的中间位置。5.根据权利要求1所述的磁盘装置，所述控制器在正在对第1扇区写入时检测到了所述振动的情况下，将表示检测到了所述振动的第1信息记录于所述第1扇区。6.根据权利要求5所述的磁盘装置，所述控制器在读取所述第1扇区时没能检测到所述第1信息的情况下，将所述读头配置在能够以最小的第1错误率读取所述第1扇区的第1位置来读取所述第1扇区。7.根据权利要求6所述的磁盘装置，所述控制器在读取所述第1扇区时检测到了所述第1信息的情况下，将所述读头配置在与所述第1位置不同的第2位置来读取所述第1扇区。8.根据权利要求7所述的磁盘装置，所述第2位置相当于能够读取所述第1扇区的半径方向的区域与不能读取所述第1扇区的半径方向的区域的两个边界位置的中间位置。9.根据权利要求1所述的磁盘装置，所述读头具有成为读处理时的定位基准的第1读头和与所述第1读头不同的第2读头，所述控制器在读处理时没有检测到所述振动的情况下，将所述第1读头配置在能够以最小的第1错误率读取第1磁道的第1位置来读取所述第1磁道。10.根据权利要求9所述的磁盘装置，所述控制器在读处理时检测到了所述振动的情况下，将所述第1读头配置在与所述第1位置不同的第2位置来读取所述第1磁道。11.根据权利要求10所述的磁盘装置，所述第2位置相当于能够读取所述第1磁道的半径方向的区域与不能读取所述第1磁道的半径方向的区域的两个边界位置的中间位置。12.一种读处理方法，是应用于磁盘装置的方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述头具有向所述盘写入数据的写头和从所述盘读取数据的读头，所述读处理方法包括：根据由干扰所施加的振动，变更读处理时的偏移量。

技术总结

实施方式提供能够提高读性能的磁盘装置以及读处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有向所述盘写入数据的写头和从所述盘读取数据的读头；以及控制器，其根据由干扰所施加的振动，变更读处理时的偏移量。变更读处理时的偏移量。变更读处理时的偏移量。

技术研发人员：

河边享之

受保护的技术使用者：

东芝电子元件及存储装置株式会社

技术研发日：

2021.01.11

技术公布日：

2022/3/15