功放电路、射频放大电路以及通讯设备的制作方法

1.本发明涉及射频功率放大器技术领域，特别是涉及一种功放电路、射频放大电路以及通讯设备。

背景技术：

2.随着芯片技术的日益发展，移动终端重要性日益凸显，移动终端使用的射频功率放大器电路一般由射频放大电路和模拟控制电路组成。其中，射频放大电路通常由2至3级放大器级联组成，每级放大器都需要单独的偏置电路，每个偏置电路都需要控制器提供独立的电压或者电流。每级放大电路有唯一一个偏置电路，也可能有二个独立控制的偏置电路在不同的输出功率下进行切换，导致射频功率的放大器的线性程度较低。另外，这种设计较为复杂，导致芯片尺寸较大。

技术实现要素：

3.本发明的目的在于，提供一种功放电路、射频放大电路以及通讯设备，以达到提升射频电路放大器线性度的目的。
4.为解决上述技术问题，本发明的第一方面，提供一种接收信号处理电路，包括：
5.一种功放电路，包括：放大电路及偏置电路，所述偏置电路包括并联设置的主要偏置电路和辅助偏置电路，所述主要偏置电路和辅助偏置电路被配置为偏置工作在不同的静态偏置点，以改变所述偏置电路对放大电路功率变化的跟随性。
6.可选的，所述主要偏置电路包括电阻r1，二极管d1、二极管d2和三极管q1，所述辅助偏置电路包括电阻r1
′
，二极管d1
′
、二极管d2
′
和三极管q1
′
，所述电阻r1和所述电阻r1
′
的阻值之间的比例范围介于：r1:r1’＝1:5～1:10，所述二极管d1、所述二极管d2和所述二极管d1
′
、所述二极管d2
′
的尺寸比例范围介于：1:2～1:4，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的尺寸相同或相近。通过调整所述的d1，r1，d2和r1’，d1’,d2’的阻值和尺寸关系，使得两路偏置工作在不同的静态偏置点，进而改变偏置电路对q2功率变化的跟随特性，提高pa的p1db。
7.可选的，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的发射极皆连接至所述放大电路的一端，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的集电极皆连接至一个电源vef，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的基集分别连接至所述电阻r1和所述电阻r1
′
的一端，所述电阻r1和所述电阻r1
′
的另一端皆连接至一个偏置电压vreg，所述二极管d1和所述二极管d2串联后，一端接地，另一端连接至所述电阻r1的一端，所述二极管d1
′
和所述二极管d2
′
串联后，一端接地，另一端连接至所述电阻r1
′
的一端。
8.本发明的第二方面，提供一种射频功率放大器，包括：多个如第一方面所述的功放电路。
9.可选的，还包括cmos ldo电路，所有所述偏置电路的电压来自同一个cmos ldo电路。
10.可选的，所述射频放大电路包括用于低频、中频和高频的三个功放电路。
11.可选的，每个频段功放电路的偏置电路的偏置电压vreg接在所述同一个cmos ldo电路，每个频段功放电路的电源vef接在同一cmos ldo电路。
12.可选的，每个频段功放电路皆包括两级放大器，每级放大器连接有一个或者两个偏置电路。
13.本发明的第三方面，提供一种通信设备，包括：如第二方面所述的射频功率放大器
14.与现有技术相比，本发明通过在放大电路中将所述偏置电路配置为包括并联设置的主要偏置电路和辅助偏置电路，偏置工作在不同的静态偏置点，以改变所述偏置电路对放大电路功率变化的跟随性，提高放大电路的p1db。
15.本发明中射频功率放大器所有偏置电路的电压来自同一个cmos输出节点，可以有效降低cmos的电路开销，同时降低封装复杂度。不仅实现了提高射频功率放大器线性度的目的，还缩小了芯片尺寸。
附图说明
16.图1为本发明一个实施例中功放电路的电路结构示意图；
17.图2为本发明一个实施例中单偏置和双偏置电路amam曲线的对比示意图；
18.图3为本发明一个实施例中射频放大电路的电路架构示意图。
具体实施方式
19.下面将结合示意图对本发明的一种功放电路、射频放大电路以及通讯设备进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
20.在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
21.请参考图1，本发明一个实施例中，提供一种功放电路，包括：放大电路及偏置电路，所述偏置电路包括并联设置的主要偏置电路和辅助偏置电路，所述主要偏置电路和辅助偏置电路被配置为偏置工作在不同的静态偏置点，以改变所述偏置电路对放大电路功率变化的跟随性。
22.在本发明实施例中，所述主要偏置电路可以是一个，所述辅助偏置电路的数量可以是一个以上。
23.在本发明实施例中，所述主要偏置电路包括电阻r1，二极管d1、二极管d2和三极管q1，所述辅助偏置电路包括电阻r1
′
，二极管d1
′
、二极管d2
′
和三极管q1
′
，所述电阻r1和所述电阻r1
′
的阻值之间的比例范围介于：r1:r1’＝1:5～1:10，所述二极管d1、所述二极管d2和所述二极管d1
′
、所述二极管d2
′
的尺寸比例范围介于：1:2～1:4，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的尺寸相同或相近。这样通过在放大电路中增加第二个偏置电路，调整其电阻的阻值的比例和二极管、三极管的尺寸的比例可以有效地提升射频电路放大器的线性度。
24.具体的，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的发射极皆连接至所述放大电路的一端，
所述三极管q1和所述三极管q1
′
的集电极皆连接至一个电源vef，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的基集分别连接至所述电阻r1和所述电阻r1
′
的一端，所述电阻r1和所述电阻r1
′
的另一端皆连接至一个偏置电压vreg，所述二极管d1和所述二极管d2串联后，一端接地，另一端连接至所述电阻r1的一端，所述二极管d1
′
和所述二极管d2
′
串联后，一端接地，另一端连接至所述电阻r1
′
的一端。
25.所述放大电路q2可以是由多个三极管并联而成。
26.所述三极管q1和所述三极管q1
′
的发射极皆连接至所述放大电路q2中第一个三极管的基集。
27.所述放大电路q2中所有三极管的发射极接地，集电极连接电源电压。
28.进一步的，所述集电极与所述电源电压之间接入一电感。
29.通过调整所述的d1，r1，d2和r1’，d1’,d2’的阻值和尺寸，使得两路偏置工作在不同的静态偏置点，进而改变偏置电路对放大电路q2功率变化的跟随特性，提高pa的p1db。
30.请参考图2，示意了单偏置和双偏置电路amam(调幅-调幅)曲线的对比，虚线是单一偏置电路的amam曲线，实线是双偏置电路的amam曲线。可见，在本发明实施例中的双偏置电路的设计，可以实现比单偏置更高的p1db(增益压缩点)。
31.在本发明的一个实施例中，还提供一种射频功率放大器，请参考图3所示，包括：多个所述的功放电路和cmos ldo电路，所述的射频放大电路包括用于低频(lb)、中频(mb)和高频(hb)的三个频段功放电路，每个频段功放电路的偏置电路的偏置电压vreg接在所述同一个cmos ldo电路，每个频段功放电路的电源vef接在同一cmosldo电路。
32.这样，射频功率放大器所有偏置电路的电压来自同一个cmos输出节点，可以有效降低cmos的电路开销，同时降低封装复杂度，
33.如图3中，示意了射频放大电路包括用于低频(lb)、中频(mb)和高频(hb)的三个频段功放电路，其中，每个频段功放电路皆包括两级所述的功放电路。
34.作为示例，可以是每个频段功放电路中，可以是包括一个主要偏置电路，一个辅助偏置电路。
35.作为示例，可以是每个频段功放电路中，可以是包括一个主要偏置电路，两个辅助偏置电路。
36.本发明的另一个实施例中，还提供一种通信设备，所述通信设备采用上述的射频电路。
37.本发明实施例所涉及的通信设备可以包括电子设备或网络设备，电子设备可以各种具有无线通信功能的手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或链接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备、移动终端、终端设备等等。
38.综上所述，本发明通过在放大电路中将所述偏置电路配置为包括并联设置的主要偏置电路和辅助偏置电路，偏置工作在不同的静态偏置点，以改变所述偏置电路对放大电路功率变化的跟随性，提高放大电路的p1db。
39.本发明中射频功率放大器所有偏置电路的电压来自同一个cmos输出节点，可以有效降低cmos的电路开销，同时降低封装复杂度。不仅实现了提高射频功率放大器线性度的目的，还缩小了芯片尺寸。
40.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精
神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：

1.一种功放电路，其特征在于，包括：放大电路及偏置电路，所述偏置电路包括并联设置的主要偏置电路和辅助偏置电路，所述主要偏置电路和辅助偏置电路被配置为偏置工作在不同的静态偏置点，以改变所述偏置电路对放大电路功率变化的跟随性。2.根据权利要求1所述的功放电路，其特征在于，所述主要偏置电路包括电阻r1，二极管d1、二极管d2和三极管q1，所述辅助偏置电路包括电阻r1
′
，二极管d1
′
、二极管d2
′
和三极管q1
′
，所述电阻r1和所述电阻r1
′
的阻值之间的比例范围介于：r1:r1’＝1:5～1:10，所述二极管d1、所述二极管d2和所述二极管d1
′
、所述二极管d2
′
的尺寸比例范围介于：1:2～1:4，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的尺寸相同或相近。3.根据权利要求2所述的功放电路，其特征在于，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的发射极皆连接至所述放大电路的一端，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的集电极皆连接至一个电源vef，所述三极管q1和所述三极管q1
′
的基集分别连接至所述电阻r1和所述电阻r1
′
的一端，所述电阻r1和所述电阻r1
′
的另一端皆连接至一个偏置电压vreg，所述二极管d1和所述二极管d2串联后，一端接地，另一端连接至所述电阻r1的一端，所述二极管d1
′
和所述二极管d2
′
串联后，一端接地，另一端连接至所述电阻r1
′
的一端。4.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：多个如权利要求1-3中任意一项所述的功放电路。5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，还包括cmos ldo电路，所有所述偏置电路的电压来自同一个cmos ldo电路。6.根据权利要求5所述的射频放大电路，其特征在于，所述射频放大电路包括用于低频、中频和高频的三个频段功放电路。7.根据权利要求6所述的射频放大电路，其特征在于，每个频段功放电路的偏置电路的偏置电压vreg皆接在所述cmos ldo电路，每个频段功放电路的电源vef皆接在所述cmosldo电路。8.根据权利要求6所述的射频放大电路，其特征在于，每个频段功放电路皆包括两级所述的功放电路。9.一种通信设备，其特征在于，包括：如权利要求4-8中任意一项所述的射频功率放大器。

技术总结

本发明揭示了一种功放电路、射频放大电路以及通讯设备，本发明通过在放大电路中将所述偏置电路配置为包括并联设置的主要偏置电路和辅助偏置电路，偏置工作在不同的静态偏置点，以改变所述偏置电路对放大电路功率变化的跟随性，提高放大电路的P1dB。本发明中射频功率放大器所有偏置电路的电压来自同一个CMOS输出节点，可以有效降低CMOS的电路开销，同时降低封装复杂度。不仅实现了提高射频功率放大器线性度的目的，还缩小了芯片尺寸。还缩小了芯片尺寸。还缩小了芯片尺寸。