一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统的制作方法

1.本实用新型涉及电容触摸式锁定设备领域，特别涉及一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统。

背景技术：

2.智能门锁(主要指带触摸按键操作的密码锁或密码箱)是指区别于传统机械锁的基础上改进的，在用户安全性、识别、管理性方面更加智能化简便化的锁具。智能门锁是门禁系统中锁门的执行部件。
3.智能门锁区别于传统机械锁，是具有安全性，便利性，先进技术的复合型锁具。
4.例如采用磁卡、射频卡、指纹锁、tm卡以及电磁密码等。
5.但是现有的门锁存在着受外在干扰强制开启的情况，例如曾有报道，自制的小黑盒(特斯拉电圈)当场刷开了8家不同品牌的智能门锁。特斯拉线圈(分布参数高频串联谐振变压器)产生的强电磁脉冲攻击智能锁芯片之后，会造成芯片工作异常或复位死机。现有触摸ic虽性能相比几年前在抗空间辐射有所提升，但面对大功率空间辐射干扰时，仍有干扰误动作可能。

技术实现要素：

6.本实用新型的主要目的是提出一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，旨在采用较少的触摸按键与非接触式感应按键22的配合，实现提前判断是否存在空间辐射干扰信号；可以提前感知干扰信号并通知主控系统做防护处理，避免非正常开启。
7.为实现上述目的，本实用新型提出一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，包括单片机、与单片机相连接的控制面板以及与单片机相连接的电源装置，所述控制面板包括多个触摸按键以及非接触式按键；当非接触式按键检测到异常电磁变化时，则控制面板受空间辐射干扰，此时单片机控制相应的锁具关闭或预警。
8.具体地，所述非接触式按键为电容式感应按键。
9.具体地，所述电容式感应按键设有相应的检测区域pad。
10.具体地，所述非接触式按键为天线结构。
11.具体地，所述天线设于触摸按键的后壁位置。
12.具体地，所述电源端和接地端之间并联有电容。
13.具体地，所述单片机设有12个按键引脚，所述12个按脚引脚对应12个触摸按键。
14.具体地，所述单片机设有第13按键引脚，所述电容式感应按键与第13按键引脚相连接。
15.具体地，所述单片机型号为bs83b16c。
16.本实用新型技术方案一般来说非接触式按键一般设置在手指或手部无法接触到区域，因此在正常使用时，使用者对按压触摸按键并不会产生异常的电磁变化，单片机处于正常工作状态，即可以实现开锁或闭锁功能；当非接触式按键检测到异常的电磁变化时，则
非接触按键检测被触发或感应到异常，当异常电磁变化的频率大于预定阈值时或大于预定时间值时，单片机的主控系统则作出相应的控制，例如发出声音预警或将锁具直接关闭，从而避免了非正常的开启或关闭。在具体实施例中，非接触式按键也可以用于检测控制面板发生异常时的检测，从而提前对元件的故障进行预判，减少设备的维护成本。
附图说明
17.图1为本实用新型结构示意图。
18.图中，1为单片机，2为控制面板，21为触摸按键，22为非接触式感应按键，3为电源端，4为接地端，5为电容。
具体实施方式
19.下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
20.需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、顶、底、内、外、垂向、横向、纵向，逆时针、顺时针、周向、径向、轴向
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
21.另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”或者“第二”等的描述，则该“第一”或者“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
22.如图1所示，一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，包括单片机1、与单片机1相连接的控制面板2以及与单片机1相连接的电源装置，所述控制面板2包括多个触摸按键21以及非接触式按键；当非接触式按键检测到异常电磁变化时，则控制面板2受空间辐射干扰，此时单片机1控制相应的锁具关闭或预警。
23.一般来说非接触式按键一般设置在手指或手部无法接触到区域，因此在正常使用时，使用者对按压触摸按键21并不会产生异常的电磁变化，单片机1处于正常工作状态，即可以实现开锁或闭锁功能；当非接触式按键检测到异常的电磁变化时，则非接触按键检测被触发或感应到异常，当异常电磁变化的频率大于预定阈值时或大于预定时间值时，单片机1的主控系统则作出相应的控制，例如发出声音预警或将锁具直接关闭，从而避免了非正常的开启或关闭。在具体实施例中，非接触式按键也可以用于检测控制面板2发生异常时的检测，从而提前对元件的故障进行预判，减少设备的维护成本。
24.在具体实施例中，所述非接触式按键为电容式感应按键21。当电容式感应按键21的相应区域内出现非正常的电磁变化时，电容则产生相应的变化，此时单片机1则获取相应的信息，并作出相应的指令。当有电磁干扰信号时，首先检测电容是否有变化，才进一步判
断是否是异常开启；正常条件下此通道人摸不到，不会有电容突变现象。
25.更具体地，所述电容式感应按键设有相应的检测区域pad。
26.进一步地，所述非接触式按键为天线结构。通过将非接触式按键可以提高其检测的范围，从而提高检测的效果；可以提前感知干扰信号；其中可以为电容式感应按键的检测区域延伸出天线，从而实现更大的检测范围。
27.更进一步地，所述天线设于触摸按键的后壁位置，从而提高检测的精度。
28.在具体实施例中，单片机1设有vdd引脚和vss引脚，所述vdd引脚和vss引脚分别与电源装置的电源端3和接地端4相连接，所述电源端3和接地端4相并联，其中电源端vdd主要指正电源，来源于漏极电源电压，通过电源端vdd和接地端gnd相并联，可以避免非正常电压或电流出现时，造成的芯片损坏，提高抗干扰能力。
29.进一步地，所述电源端3和接地端4之间并联有电容5，减少外界对电源的干扰。
30.更进一步地，所述单片机1设有12个按键引脚，所述12个按脚引脚对应12个触摸按键。
31.在本实用新型实施例中，所述单片机1设有第13按键引脚(pc4)，所述电容式感应按键与第13按键引脚相连接。即作为异常按键的方式切入单片机1的控制逻辑，使现有的锁具也可以具有相同的抗空间辐射干扰的效果，且生产和制造成本更低。
32.更进一步地，所述单片机1型号为bs83b16c。在具体的实施例中，也可以采用其它单片机。
33.以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

技术特征：

1.一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于，包括单片机、与单片机相连接的控制面板以及与单片机相连接的电源装置，所述控制面板包括多个触摸按键以及非接触式按键；当非接触式按键检测到异常电磁变化时，则控制面板受空间辐射干扰，此时单片机控制相应的锁具关闭或预警。2.如权利要求1所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述非接触式按键为电容式感应按键。3.如权利要求2所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述电容式感应按键设有相应的检测区域pad。4.如权利要求2所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述非接触式按键为天线结构。5.如权利要求4所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述天线设于触摸按键的后壁位置。6.如权利要求1所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：单片机设有vdd引脚和vss引脚，所述vdd引脚和vss引脚分别与电源装置的电源端和接地端相连接，所述电源端和接地端相并联。7.如权利要求6所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述电源端和接地端之间并联有电容。8.如权利要求1所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述单片机设有12个按键引脚，所述12个按脚引脚对应12个触摸按键。9.如权利要求1所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述单片机设有第13按键引脚，所述电容式感应按键与第13按键引脚相连接。10.如权利要求1所述的提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，其特征在于：所述单片机型号为bs83b16c。

技术总结

本实用新型公开了一种提高电容式触摸的抗空间辐射干扰系统，包括单片机、与单片机相连接的控制面板以及与单片机相连接的电源装置，所述控制面板包括多个触摸按键以及非接触式按键；当非接触式按键检测到异常电磁变化时，则控制面板受空间辐射干扰。非接触式按键一般设置在手指或手部无法接触到区域，正常使用时，使用者对按压触摸按键并不会产生异常的电磁变化，单片机处于正常工作状态；当非接触式按键检测到异常的电磁变化时，则非接触按键检测被触发或感应到异常，当异常电磁变化的频率大于预定阈值时或大于预定时间值时，单片机的主控系统则作出相应的控制，例如发出声音预警或将锁具直接关闭，从而避免了非正常的开启或关闭。或关闭。或关闭。

技术研发人员：

刘香平

受保护的技术使用者：

优方科技（东莞）有限公司

技术研发日：

2022.09.01

技术公布日：

2023/3/3