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读取时延和暂停模式的制作方法

读取时延和暂停模式
1.交叉引用
2.本专利申请主张2021年8月05日由cariello递交的标题为“读取时延和暂停模式(read latency and suspend modes)”的第17/395,295号美国专利申请的优先权，所述专利申请让与给本受让人，且明确地以引用的方式并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及读取时延和暂停模式。

背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为通常对应于逻辑1或逻辑0的两个支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，所述两个可能状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)和与非(nand)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性地刷新，否则易失性存储器单元(例如，dram单元)可能随着时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

技术实现要素：

6.描述一种设备。所述设备可包含存储器装置以及与所述存储器装置耦合的控制器。所述控制器可经配置以使所述设备：根据与第一组存取操作相关联的第一操作模式来操作所述设备，所述第一组存取操作包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作；基于根据所述第一操作模式操作所述设备而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及基于接收到所述指示而根据所述第二操作模式操作所述设备。
7.描述一种设备。所述设备可包含经配置以与存储器系统耦合的控制器。所述控制器可经配置以使所述设备：标识与所述存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述存储器系统正根据与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作；基于所述标识，向所述存储器系统传输切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关
联；以及基于传输所述指示，确定与正根据所述第二操作模式操作的所述存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于所述第一写入执行时延。
8.描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储代码。所述代码可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置：根据与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式来操作所述电子装置；基于根据所述第一操作模式操作所述电子装置而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及基于接收到所述指示而根据所述第二操作模式操作所述电子装置。
9.描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储代码。所述代码可包含指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置：标识与存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述存储器系统正根据与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作；基于所述标识，向所述存储器系统传输切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及基于传输所述指示，确定与正根据所述第二操作模式操作的所述存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于所述第一写入执行时延。
附图说明
10.图1说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的系统的实例。
11.图2说明根据本文公开的实例支持读取时延和暂停模式的系统的实例。
12.图3说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的过程流的实例。
13.图4展示根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的存储器系统的框图。
14.图5展示根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的主机系统的框图。
15.图6和7展示流程图，说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的方法或多个方法。
具体实施方式
16.存储器系统可执行各种类型的存取操作。举例来说，存储器系统可执行读取操作、写入操作、擦除操作或其任何组合。在一些实例中，与读取操作相比，写入操作和擦除操作可能要花费更多时间来执行。举例来说，在一些与非(nand)装置中，执行某一写入操作(例如，三层级单元(tlc)编程)或擦除操作(例如，tlc擦除)可能花费若干毫秒(ms)，而读取操作可在几十微秒(μs)中执行。在一些情况下，执行写入或擦除操作可因此将时延引入到读取操作的执行。为了减少由写入和擦除操作引入的读取操作时延，存储器系统可暂停写入或擦除操作的执行以执行读取操作(例如，在编程暂停模式期间)。为了尽可能快地执行读取操作且减少与执行读取操作相关联的时延，存储器系统可减少暂停时延(例如，中断进行中的写入或擦除操作且使存储器阵列在相对快的时间量里可供用于读取操作)。另外，暂停的操作的时延可能因暂停时间(例如，暂停操作的时间)以及与准备暂停和恢复操作相关联的时间而增加。以相对快速的方式暂停写入和擦除操作的执行可与用以备份以供恢复的编
程或擦除算法(例如，重复最后中断的步骤或在一些情况下重复更多步骤)相关联，且增加与中断的操作执行相关联的时延。在一些情况下(例如，视频录制)，与写入操作执行相关联的这种增加的时延可影响应用程序的用户体验(例如，导致帧丢失，使视频质量下降)。
17.如本文所描述，存储器系统可根据会减少与写入操作相关联的时延的模式操作。举例来说，存储器系统可根据某种操作模式操作，所述操作模式限制写入和擦除操作的暂停(例如，因此减少写入执行时延)。在一些情况下，存储器系统可响应于从主机系统接收到指示而根据此操作模式操作。举例来说，主机系统可传输命令或设置标志，从而指示存储器系统根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式操作。此处，存储器系统可基于或响应于从主机系统接收到指示而从第一操作模式(例如，其中写入操作的暂停未受限制)切换到第二操作模式。操作模式之间的切换可增加存储器系统的性能且改善用户的体验。
18.首先在参考图1和2所描述的系统的上下文中描述本公开的特征。在参考图3的过程流的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征通过参考图4到7在涉及读取时延和暂停模式的设备图和流程图的上下文中进一步说明和描述。
19.图1说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
20.存储器系统110可以是或包含任何装置或装置集合，其中所述装置或装置集合包含至少一个存储器阵列。举例来说，存储器系统110可以是或包含通用快闪存储(ufs)装置、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、快闪装置、通用串行总线(usb)快闪装置、安全数字(sd)卡、固态驱动器(ssd)、硬盘驱动器(hdd)、双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)，或非易失性dimm(nvdimm)，以及其它可能性。
21.系统100可包含在计算装置中，所述计算装置例如桌上型计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、载具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，包含在载具、工业设备或联网商用装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置。
22.系统100可包含主机系统105，其可与存储器系统110耦合。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述主机系统控制器可以是经配置以使主机系统105根据本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下，可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件栈。举例来说，主机系统105可包含经配置以用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在所述主机系统中的存储器)、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)，以及存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110，以例如将数据写入到存储器系统110和从存储器系统110读取数据。尽管在图1中展示了一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。
23.主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105和存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传送控制、地址、数据和其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于sata接口、ufs接口、emmc接口、pcie接口、usb
接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(scsi)、串行连接的scsi(sas)、双数据速率(ddr)接口、dimm接口(例如，支持ddr的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)，和低功率双数据速率(lpddr)接口。在一些实例中，可在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中包含或以其它方式在其间支持一或多个此类接口。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每个存储器装置130的相应物理主机接口，或经由用于包含在存储器系统110中的每种类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
24.存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元，或其任何组合)的一或多个存储器阵列。虽然图1的实例中展示两个存储器装置130-a和130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，则存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
25.存储器系统控制器115可与主机系统105耦合和通信(例如，经由物理主机接口)，且可为经配置以使存储器系统110根据本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合且通信以在存储器装置130处执行一般可称为存取操作的操作，例如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据，以及其它此类操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)执行此类命令。举例来说，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作，且可将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器装置130的所要存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105以及与一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于来自主机系统105的命令或以其它方式与所述命令相关联)。举例来说，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。
26.存储器系统控制器115可经配置以用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、无用单元收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，以及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba))和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。
27.存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器，或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑的电路系统，以执行本文中归于存储器系统控制器115的操作。存储器系统控制器115可以是或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp))，或任何其它合适的处理器或处理电路系统。
28.存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(rom)或其它存储器，其可存储可由存储器系统控制器115执行的操作代码
(例如，可执行指令)以执行本文中归属于存储器系统控制器115的功能。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(sram)或其它存储器，其可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归于存储器系统控制器115的功能相关的内部存储或计算。另外或替代地，本地存储器120可充当用于存储器系统控制器115的高速缓存。举例来说，如果从存储器装置130读取或写入到所述存储器装置，则数据可存储于本地存储器120中，且所述数据可在本地存储器120中可用，以供主机系统105根据高速缓存策略(例如，以相对于存储器装置130减少的时延)进行后续检索或操控(例如，更新)。
29.尽管图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115，但在一些情况下，存储器系统110可能不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地分别依赖于(例如，由主机系统105实施的)外部控制器或可在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135来执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下改为由主机系统105、本地控制器135或其任何组合执行。在某些情况下，至少部分由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可被称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
30.存储器装置130可包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含nand(例如，nand快闪)存储器、rom、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(ram)(feram)、磁性ram(mram)、nor(例如，nor快闪)存储器、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、电可擦除可编程rom(eeprom)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含ram存储器单元，例如动态ram(dram)存储器单元和同步dram(sdram)存储器单元。
31.在一些实例中，存储器装置130可(例如，在同一裸片上或在同一封装内)包含本地控制器135，其可对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或可执行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说，如图1所说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a，且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。
32.在一些情况下，存储器装置130可以是或包含nand装置(例如，nand快闪装置)。存储器装置130可以是或包含存储器裸片160。举例来说，在一些情况下，存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可以是从晶片切割的一件电子件级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每个裸片160可包含一或多个平面165，且每个平面165可包含相应的一组块170，其中每个块170可包含相应的一组页175，且每个页175可包含一组存储器单元。
33.在一些情况下，nand存储器装置130可包含经配置以各自存储一个位的信息的存储器单元，其可称作单层级单元(slc)。另外或替代地，nand存储器装置130可包含经配置以各自存储多个位的信息的存储器单元，其在经配置以各自存储两个位的信息的情况下可称作多层级单元(mlc)，在经配置以各自存储三个位的信息的情况下称作tlc，在经配置以各自存储四个位的信息的情况下称作四层级单元(qlc)，或更一般地称为多层级存储器单元。
多层级存储器单元可相对于slc存储器单元提供更大的存储密度，但在一些情况下，可能涉及更窄读取或写入容限或更大复杂度以支持电路系统。
34.在一些情况下，平面165可指块170的组，且在一些情况下，可在不同平面165内发生并行操作。举例来说，可对不同块170内的存储器单元执行并行操作，只要不同块170处于不同平面165中即可。在一些情况下，个别块170可称作物理块，且虚拟块180可指可在其内发生并行操作的块170的组。举例来说，可对分别在平面165-a、165-b、165-c和165-d内的块170-a、170-b、170-c和170-d执行并行操作，且块170-a、170-b、170-c和170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块180可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a和存储器装置130-b的一或多个平面165中的块170)。在一些情况下，虚拟块180内的块170可在其相应平面165内具有相同的块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为平面165-b的“块0”，诸如此类)。在一些情况下，在不同平面165中执行并行操作可能受制于一或多个限制，例如对不同页175内在其相应平面165内具有相同页地址的存储器单元执行并行操作(例如，涉及命令解码、页地址解码电路系统，或跨平面165共享的其它电路系统)。
35.在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如串，未展示)的存储器单元。举例来说，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与其耦合)，且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与其耦合)。
36.对于一些nand架构，存储器单元可以第一级别的粒度(例如，以页级别的粒度)读取和编程(例如，写入)，但可能以第二级别的粒度(例如，以块级别的粒度)擦除。也就是说，页175可以是可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的部分并行地编程或读取)的最小存储器单位(例如，存储器单元组)，且块170可以是可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的部分并行地擦除)的最小存储器单位(例如，存储器单元组)。此外，在一些情况下，nand存储器单元可在其可用新数据重写之前被擦除。因此，举例来说，在一些情况下，可能直到包含页175的整个块170被擦除才更新已使用的页175。
37.在一些情况下，为了更新块170内的一些数据同时保留块170内的其它数据，存储器装置130可将待保留的数据复制到新块170且将更新后的数据写入到新块170的一或多个其余页175。存储器装置130(例如，本地控制器135)或存储器系统控制器115可将保持在旧块170中的数据标记为或以其它方式指定为无效或过时，且可更新逻辑到物理(l2p)映射表以使数据的逻辑地址(例如，lba)与新的有效块170而非旧的无效块170相关联。在一些情况下，例如由于时延或耗损考虑，可执行此类复制和重新映射而非擦除和重写整个旧块170。在一些情况下，l2p映射表的一或多个副本可存储在存储器装置130的存储器单元内(例如，一或多个块170或平面165内)，以供本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如，参考和更新)。
38.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的部分)，例如耗损均衡、后台刷新、无用单元收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。举例来说，在存储器装置130内，块170可具有含有有效数据的一些页175和含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重新使用块170，可调用称作“无用单元收集”的算法，以允许块170被擦除和释放为空闲块以用于后续写入操作。无用单元收集可指一组媒体管
理操作，其包含例如选择含有有效和无效数据的块170、选择块中含有有效数据的页175、将来自所选页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选择的页175中的数据标记为无效以及擦除所选块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得更多的块170可用于存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收的数据)。
39.系统100可包含支持读取时延和暂停模式的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或以其它方式可存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储指令(例如，固件)以执行本文中属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。举例来说，如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，则此类指令可使得主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文所描述的一或多个相关联功能。
40.在一些情况下，存储器系统110可利用存储器系统控制器115来提供受管理存储器系统110，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列和与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统110的实例是受管理nand(mnand)系统。
41.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可基于或响应于与存储器系统110相关联的工作负载(例如，基于或响应于待由存储器系统110执行的操作的队列)而调整存储器系统110的操作。也就是说，存储器系统控制器115或本地控制器135可在执行多个读取操作(例如，随机读取操作)与执行多个写入操作的情况下以不同方式操作存储器系统110。在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135(例如，执行存储器系统110的固件)可基于或响应于与存储器系统110相关联的工作负载而重新组织资源。也就是说，存储器系统控制器115或本地控制器135可将sram从缓冲器(例如，在存储器系统110处)重新分配到表高速缓存、预取数据、启用更深管线或执行其它操作以基于或响应于与存储器系统110相关联的工作负载而重新组织资源。
42.在一些实例中，存储器系统控制器115或本地控制器135可选择性地暂停对存储器装置130的写入和擦除操作的执行(例如，通过进入编程暂停模式)。也就是说，与在存储器装置130处执行读取操作相比，在存储器装置130处执行写入和擦除操作可能花费更多时间。举例来说，在存储器装置130处执行写入操作可能花费一到二十ms，而执行读取操作可能花费约十μs。通过进入编程暂停模式，存储器系统控制器115或本地控制器135可暂停写入和擦除操作，同时继续在存储器装置130处执行读取操作。因此，与存储器装置130相关联的读取执行时延可在编程暂停模式期间减少。
43.在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可基于或响应于预配置设置而进入编程暂停模式。举例来说，存储器系统110可基于或响应于存储器系统110的固件中的硬译码设置而进入编程暂停模式。在混合工作负载(例如，存储器系统110要执行读取操作、写入操作和擦除操作)的情况下，根据预配置设置进入编程暂停模式可能不会改善存储器系统110的总体性能。也就是说，在存储器系统110正执行与大量写入操作(例如，视频录制)相关联的操作的情况下，根据预配置设置进入编程暂停模式可显著影响存储器系统110的性能和用户体验。
44.在系统100的实例中，主机系统105可经配置以向存储器系统110指示根据与减少
的写入操作时延相关联的操作模式操作。举例来说，在主机系统105依赖于存储器系统110执行与比读取操作多的写入操作(例如，用于视频录制)相关联的工作负载的情况下，主机系统105可指示存储器系统110根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式进行操作。响应于存储器系统110从主机系统105接收到根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式操作的指示，存储器系统110可从第一操作模式(例如，与根据预配置设置进入编程暂停模式相关联)切换到第二操作模式(例如，与限制写入操作的暂停相关联)。因此，存储器系统110性能可改善(例如，通过限制写入操作的暂停)。在一些情况下，主机系统105可随后向存储器系统110指示切换回到第一操作模式，其中存储器系统110根据预配置设置进入编程暂停模式。
45.图2说明根据本文公开的实例支持读取时延和暂停模式的系统200的实例。系统200可以是参考图1所描述的系统100或其各方面的实例。系统200可包含存储器系统210，所述存储器系统经配置以在主机系统205使用存取命令(例如，读取命令或写入命令)请求的情况下存储从主机系统205接收到的数据以及将数据发送到主机系统205。系统200可实施如参考图1所描述的系统100的各方面。举例来说，存储器系统210和主机系统205可分别为存储器系统110和主机系统105的实例。
46.如本文所描述，存储器系统210可包含存储器装置240，以例如响应于从主机系统205接收存取命令而存储在存储器系统210与主机系统205之间传送的数据。存储器装置240可包含如参考图1所描述的一或多个存储器装置。举例来说，存储器装置240可包含nand存储器、pcm、自选存储器、3d交叉点、其它基于硫族化物的存储器、feram、mram、nor(例如，nor快闪)存储器、stt-mram、cbram、rram，或oxram。
47.存储器系统210可包含存储控制器230以用于控制直接进出存储器装置240的数据的传递，以例如用于存储数据、检索数据以及确定要将数据存储在其中和要从中检索数据的存储器位置。存储控制器230可使用特定于每个类型的存储器装置240的协议直接或经由总线(未展示)与存储器装置240通信。在一些情况下，单个存储控制器230可用于控制相同或不同类型的多个存储器装置240。在一些情况下，存储器系统210可包含多个存储控制器230，例如，用于每个类型的存储器装置240的不同存储控制器230。在一些情况下，存储控制器230可实施参考图1描述的本地控制器135的各方面。
48.存储器系统210可另外包含用于与主机系统205通信的接口220，和用于临时存储正在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据的缓冲器225。接口220、缓冲器225和存储控制器230可用于在主机系统205与存储器装置240之间转移数据，例如由数据路径250所展示，且可统称为数据路径组件。
49.在传送期间使用缓冲器225临时地存储数据可允许在处理命令时缓冲数据，由此减小命令之间的时延且允许与命令相关联的任意数据大小。这还可允许处置命令突发，且一旦突发停止，就可存储或传输(或两者)所缓冲的数据。缓冲器225可包含相对快速的存储器(例如，一些类型的易失性存储器，例如sram或dram)或硬件加速器或这两者，以允许快速存储和检索进出缓冲器225的数据。缓冲器225可包含用于缓冲器225与其它组件之间的双向数据传送的数据路径切换组件。
50.数据在缓冲器225内的临时存储可指在执行存取命令期间数据在缓冲器225中的存储。也就是说，在完成存取命令后，相关联数据可能不再维持在缓冲器225中(例如，可利
用额外存取命令的数据覆写)。另外，缓冲器225可以是非高速缓存缓冲器。也就是说，主机系统205可不直接从缓冲器225读取数据。举例来说，可将读取命令添加到队列中，而无需进行将地址与缓冲器225中已经存在的地址进行匹配的操作(例如，没有高速缓存地址匹配或查操作)。
51.存储器系统210可另外包含用于执行从主机系统205接收到的命令且在移动数据时控制数据路径组件的存储器系统控制器215。存储器系统控制器215可以是如参考图1所描述的存储器系统控制器115的实例。总线235可用于在系统组件之间通信。
52.在一些情况下，一或多个队列(例如，命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270)可用于控制存取命令的处理和对应数据的移动。这例如在由存储器系统210并行处理来自主机系统205的多于一个存取命令的情况下可以是有益的。作为可能实施方案的实例，分别在接口220、存储器系统控制器215和存储控制器230处描绘命令队列260、缓冲器队列265和存储队列270。然而，如果使用的话，则可位于存储器系统210内的任何位置。
53.在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据可在存储器系统210中采用与非数据信息(例如，命令、状态信息)不同的路径。举例来说，存储器系统210中的系统组件可使用总线235彼此通信，而数据可使用通过数据路径组件的数据路径250而非总线235。存储器系统控制器215可通过经由总线235与数据路径组件通信(例如，使用特定于存储器系统210的协议)而控制如何以及是否在主机系统205与存储器装置240之间传送数据。
54.如果主机系统205将存取命令传输到存储器系统210，则命令可由接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)接收。因此，可将接口220视为存储器系统210的前端。在接收到每个存取命令后，接口220可例如经由总线235将命令传送到存储器系统控制器215。在一些情况下，可通过接口220将每个命令添加到命令队列260，以将命令传送到存储器系统控制器215。
55.存储器系统控制器215可基于或响应于来自接口220的通信而确定是否已接收到存取命令。在一些情况下，存储器系统控制器215可通过从命令队列260检索到存取命令而确定已接收到所述命令。所述命令在其例如由存储器系统控制器215从命令队列260检索到之后可从所述命令队列移除。在一些情况下，存储器系统控制器215可使接口220例如经由总线235从命令队列260移除命令。
56.当确定已接收到存取命令时，存储器系统控制器215可执行存取命令。对于读取命令，这可意味着从存储器装置240获得数据以及将数据传输到主机系统205。对于写入命令，这可意味着从主机系统205接收数据以及将数据移动到存储器装置240。在一些情况下，存储器系统控制器215可确定尚未接收到存取命令且可能不会执行所述存取命令。
57.在任一情况下，存储器系统控制器215可将缓冲器225尤其用于临时存储从主机系统205接收的数据或发送到所述主机系统的数据。缓冲器225可视为存储器系统210的中端。在一些情况下，缓冲器地址管理(例如，指向缓冲器225中的地址位置的指针)可由接口220、缓冲器225或存储控制器230中的硬件(例如，专用电路)执行。
58.为了处理从主机系统205接收到的写入命令，存储器系统控制器215可首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定缓冲器225内的空间量是否可用于存储与写入命令相关联的数据。
59.在一些情况下，缓冲器队列265可用于控制与存储在缓冲器225中的数据相关联的命令流，所述命令流包含写入命令。缓冲器队列265可包含与当前存储在缓冲器225中的数据相关联的存取命令。在一些情况下，命令队列260中的命令可通过存储器系统控制器215移动到缓冲器队列265，且可在相关联数据存储在缓冲器225中时保持在缓冲器队列265中。在一些情况下，缓冲器队列265中的每个命令可与缓冲器225处的地址相关联。也就是说，可维持指示与每个命令相关联的数据存储在缓冲器225中何处的指针。使用缓冲器队列265，可从主机系统205依序接收多个存取命令且可并行处理存取命令的至少部分。
60.如果缓冲器225具有足够空间来存储写入数据，则存储器系统控制器215可使接口220例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将可用性的指示传输到主机系统205(例如，“准备好传送”指示)。当接口220随后从主机系统205接收到与写入命令相关联的数据时，接口220可使用数据路径250将数据传送到缓冲器225以用于临时存储。在一些情况下，接口220可从缓冲器225或缓冲器队列265获得缓冲器225内存储数据的位置。接口220可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成向缓冲器225的数据传送。
61.一旦写入数据已通过接口220存储在缓冲器225中，就可将数据从缓冲器225传送出来且存储在存储器装置240中。这可使用存储控制器230来完成。举例来说，存储器系统控制器215可使存储控制器230使用数据路径250从缓冲器225中检索出数据且将所述数据传送到存储器装置240。存储控制器230可被视为存储器系统210的后端。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成向存储器装置240中的存储器装置的数据传送。
62.在一些情况下，存储队列270可用于辅助写入数据的传送。举例来说，存储器系统控制器215可将写入命令从缓冲器队列265推送(例如，经由总线235)到存储队列270以供处理。存储队列270可包含用于每个存取命令的条目。在一些实例中，存储队列270可另外包含：缓冲器指针(例如，地址)，其可指示在缓冲器225中何处存储与命令相关联的数据；以及存储指针(例如，地址)，其可指示存储器装置240中与所述数据相关联的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225、缓冲器队列265或存储队列270获得缓冲器225内要从中获得数据的位置。存储控制器230可管理存储器装置240内要存储数据的位置(例如，执行耗损均衡、无用单元收集等)。可例如通过存储器系统控制器215将条目添加到存储队列270。在完成数据的传送后，可例如通过存储控制器230或存储器系统控制器215从存储队列270移除所述条目。
63.为了处理从主机系统205接收的读取命令，存储器系统控制器215可再次首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定缓冲器225内的空间量是否可用于存储与读取命令相关联的数据。
64.在一些情况下，缓冲器队列265可用于以与上文相对于写入命令所论述的类似方式来辅助与读取命令相关联的数据的缓冲器存储。举例来说，如果缓冲器225具有足够空间存储读取数据，则存储器系统控制器215可使存储控制器230从存储器装置240检索与读取命令相关联的数据且使用数据路径250将数据存储在缓冲器225中以供临时存储。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成向缓冲器225的数据传送。
65.在一些情况下，存储队列270可用于辅助读取数据的传送。举例来说，存储器系统控制器215可将读取命令推送到存储队列270以供处理。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225或存储队列270获得存储器装置240内从中检索数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器队列265获得缓冲器225内用以存储数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从存储队列270获得缓冲器225内用以存储数据的位置。在一些情况下，存储器系统控制器215可将存储队列270处理的命令移动回到命令队列260。
66.一旦数据已由存储控制器230存储在缓冲器225中，就可将数据传送出缓冲器225且发送到主机系统205。举例来说，存储器系统控制器215可使接口220使用数据路径250从缓冲器225检索出数据，且例如根据协议(例如，ufs协议或emmc协议)将数据传输到主机系统205。举例来说，接口220可处理来自命令队列260的命令，且可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成向主机系统205的数据传输。
67.存储器系统控制器215可根据次序(例如，根据命令队列260的次序，以先进先出次序)执行所接收命令。对于每个命令，存储器系统控制器215可使得对应于命令的数据移动进出缓冲器225，如上文所论述。当数据移动到缓冲器225中且存储在其内时，命令可保持在缓冲器队列265中。如果已完成对命令的处理(例如，如果已从缓冲器225传送出对应于存取命令的数据)，则可例如通过存储器系统控制器215从缓冲器队列265移除命令。如果从缓冲器队列265移除命令，则先前存储与所述命令相关联的数据的地址可用于存储与新命令相关联的数据。
68.在一些情况下，存储器系统控制器215可基于或响应于命令队列260内的命令(例如，基于或响应于与存储器系统210相关联的工作负载)而调整存储器系统210的操作。也就是说，存储器系统控制器215可在执行多个随机读取操作与执行多个写入操作的情况下以不同方式操作存储器系统210。在一些情况下，存储器系统控制器215(例如，执行存储器系统210的固件)可基于或响应于与存储器系统210相关联的工作负载而重新组织资源。也就是说，存储器系统控制器215可将sram从缓冲器225重新分配到表高速缓存、预取数据(例如，从存储器装置240)、启用更深管线或执行其它操作以基于或响应于命令队列260中的命令而重新组织资源。
69.在一些实例中，存储器系统控制器215可选择性地暂停对存储器装置240的写入和擦除操作的执行(例如，通过进入编程暂停模式)。也就是说，与在存储器装置240处执行读取操作相比，在存储器装置240处执行写入和擦除操作可能花费更多时间。举例来说，在存储器装置240处执行写入操作可能花费一到二十ms，而执行读取操作可能花费约十μs。通过进入编程暂停模式，存储器系统控制器215可暂停写入和擦除操作，同时继续在存储器装置240处执行读取操作。因此，与存储器装置240相关联的读取执行时延可在编程暂停模式期间减小。
70.在一些情况下，存储器系统控制器215可基于或响应于预配置设置而进入编程暂停模式。举例来说，存储器系统210可基于或响应于存储器系统210的固件中的硬译码设置而进入编程暂停模式。在混合工作负载(例如，存储器系统210要执行读取操作、写入操作和擦除操作)的情况下，根据预配置设置进入编程暂停模式可能不会改善存储器系统210的总体性能。也就是说，在存储器系统210正执行与大量写入操作(例如，视频录制)相关联的操作的情况下，根据预配置设置进入编程暂停模式可显著影响存储器系统210的性能和用户
体验。
71.在系统200的实例中，主机系统205可向存储器系统210指示根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式操作。举例来说，在主机系统205依赖于存储器系统210执行与比读取操作多的写入操作(例如，用于视频录制)相关联的工作负载的情况下，主机系统205可指示存储器系统210根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式进行操作。主机系统205可通过(例如，经由接口220向存储器系统控制器215)传输命令或将存储器系统210处的寄存器(例如，位于接口220内)设置到指示与减少的写入操作时延相关联的操作模式的值而指示存储器系统210根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式操作。响应于存储器系统210从主机系统205接收到根据与减少的写入操作时延相关联的操作模式操作的指示，存储器系统210可从第一操作模式(例如，与根据预配置设置进入编程暂停模式相关联)切换到第二操作模式(例如，与限制写入操作的暂停相关联)。因此，存储器系统210性能可改善(例如，通过限制写入操作的暂停)。在一些情况下，主机系统205可随后向存储器系统210指示切换回到第一操作模式，其中存储器系统210根据预配置设置进入编程暂停模式。
72.存储器系统控制器215可另外经配置以用于与存储器装置240相关联的操作。举例来说，存储器系统控制器215可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、无用单元收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，以及与来自主机系统205的命令相关联的逻辑地址(例如，lba)和与存储器装置240内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。也就是说，主机系统205可发出指示一或多个lba的命令，且存储器系统控制器215可标识由lba指示的一或多个物理块地址。在一些情况下，一或多个连续lba可对应于不连续的物理块地址。在一些情况下，存储控制器230可经配置以结合或代替存储器系统控制器215执行以上操作中的一或多者。在一些情况下，存储器系统控制器215可执行存储控制器230的功能，且可省略存储控制器230。
73.图3说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的过程流300的实例。过程流300可实施参考图1和2所描述的系统100和200的各方面。举例来说，存储器系统310和主机系统305可以是如参考图1和2所描述的存储器系统和主机系统的实例。过程流300的各方面可由控制器以及其它组件实施。另外或替代地，过程流300的各方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与主机系统305或存储器系统310耦合的存储器中的固件)。举例来说，所述指令在由控制器(例如，存储器系统控制器、本地控制器、主机系统控制器)执行时可使所述控制器执行过程流程300的操作。
74.在315处，可根据第一操作模式操作存储器系统310。此处，存储器系统310可通过执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作而根据第一操作模式进行操作。也就是说，当根据第一操作模式操作时，存储器系统310可基于或响应于存储器系统310的固件而选择暂停写入操作和擦除操作(例如，通过进入编程暂停模式)。响应于存储器系统310确定进入编程暂停模式，存储器系统可暂停写入操作、擦除操作或这两者的执行。在一些情况下，存储器系统310可根据编程暂停模式操作设定或确定的时间段(例如，由存储器系统310的固件指示)。另外或替代地，存储器系统310可根据编程暂停模式操作，直到执行了设定或确定量的读取操作(例如，由存储器系统310的固件指示的设定或确定量的读取操作)。在执行所述时间段或所述量的读取操作之后，存储器系统310可退出编程暂停模式且基于或响应于如
参考图2所描述的次序继续执行操作(例如，读取操作、写入操作、擦除操作)。
75.在320处，写入执行时延的指示可由存储器系统310传输到主机系统305。也就是说，存储器系统310可任选地基于或响应于根据第一操作模式操作存储器系统310而传输写入执行时延的指示。在一些情况下，写入执行时延可基于或响应于存储器系统310在根据第一操作模式操作时在编程暂停模式中花费的时间量。也就是说，写入执行时延可随着存储器系统310在编程暂停模式中花费的时间量增加而增加。另外，写入执行时延可随着存储器系统310在编程暂停模式中花费的时间量减少而减少。
76.在325处，可由主机系统305标识与存储器系统310相关联的写入执行时延。在一些情况下，主机系统305可基于或响应于在320处从存储器系统310接收到写入执行时延的指示而标识与存储器系统310相关联的写入执行时延。在一些其它情况下(例如，在320处存储器系统310未将写入执行时延指示传输到主机系统305的情况下)，主机系统305可基于或响应于存储器系统310的性能而标识写入执行时延。举例来说，存储器系统310可响应于写入命令的执行完成而向主机系统305指示。此处，主机系统305可基于或响应于将写入命令传输到存储器系统310与从存储器系统310接收到写入命令的完成指示之间的时间量而标识写入执行时延。在另一实例中，存储器系统310可向主机系统305指示接收和执行写入命令的容量。此处，主机系统305可基于或响应于存储器系统310接收和执行写入命令的所指示容量而标识写入执行时延。
77.基于或响应于在325处标识与存储器系统310相关联的写入执行时延，主机系统可确定向存储器系统310指示切换到第二操作模式，所述第二操作模式与用于基于或响应于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。举例来说，主机系统305可确定写入执行时延是否超过阈值。另外或替代地，主机系统305可确定存储器系统310的工作负载是否可与大量写入操作相关联(例如，与读取操作的量相比)。举例来说，主机系统305可确定存储器系统310可执行与视频录制相关联的操作(例如，与写入操作的量相比，所述视频录制与大量读取操作相关联)。此处，主机系统305可通过指示存储器系统310切换到与用于执行写入操作的减少时延相关联的第二操作模式而确定将写入执行时延优先级排序为优先于读取执行时延(例如，以改进存储器系统310的性能，以改进用户体验)。
78.在330处，可由主机系统305将基于或响应于限制暂停写入操作而切换到与用于执行写入操作的减少时延相关联的第二操作模式的指示传输到存储器系统310。也就是说，第二操作模式可限制存储器系统310在编程暂停模式中操作(例如，其中存储器系统310暂停写入操作、擦除操作或这两者的执行)。在一个实例中，主机系统305可通过将包含指示的值写入到存储器系统处的寄存器(例如，设置标志以指示存储器系统310切换到第二操作模式)而指示存储器系统310切换到第二操作模式。此处，存储器系统310可轮询寄存器且基于或响应于寄存器存储指示存储器系统310切换到第二操作模式的值而确定切换到第二操作模式。在另一实例中，主机系统305可通过将包含切换到第二操作模式的指示的命令传输到存储器系统310而指示存储器系统310切换到第二操作模式。
79.在335处，可任选地由存储器系统310从多个操作模式选择第二操作模式，所述多个操作模式各自与用于基于或响应于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。也就是说，存储器系统310可经配置以根据限制写入操作暂停(例如，限制编程暂停模式)的多个不同操作模式操作。举例来说，存储器系统310可经配置以根据停用写入操作的
暂停的一个操作模式、显著减少写入操作的暂停的一个模式和略微减少写入操作的暂停的一个模式(例如，与第一操作模式相比)操作。此处，存储器系统310可从限制暂停写入操作的可能操作模式中的一者选择第二操作模式(例如，基于或响应于主机系统305指示可能操作模式中的一者，基于或响应于存储器系统310的预测工作负载，基于或响应于存储器系统310的过往操作)。
80.在340处，可基于或响应于在330处从主机系统305接收到指示，根据第二操作模式操作存储器系统310。在存储器系统310从各自与用于执行写入操作的减少时延相关联的多个操作模式选择第二操作模式(例如，在335处)的情况下，存储器系统310可在340处根据所选第二操作模式而操作。在一些情况下，存储器系统310可在无需在330处从主机系统接收指示的情况下根据第二操作模式操作。也就是说，存储器系统310可基于或响应于待由存储器系统310执行的工作负载或计划工作负载(例如，一组命令或一组预测命令)而确定根据第二操作模式操作存储器系统310。
81.在一个实例中，第二操作模式可通过停用写入操作的暂停、停用擦除操作的暂停或停用写入操作和擦除操作的暂停(例如，停用编程暂停模式)而限制写入操作的暂停。此处，存储器系统310可通过停用写入操作的暂停而根据第二操作模式操作。此处，存储器系统310可通过执行读取操作和执行写入操作而根据第二操作模式进行操作。
82.在另一实例中，第二操作模式可通过在根据第二操作模式操作存储器系统310时限制写入操作暂停的量而限制写入操作的暂停。举例来说，第二操作模式可与写入操作暂停的阈值量(或编程暂停模式条目的阈值量)相关联。在一些情况下，主机系统305可在切换到第二操作模式的指示内指示与第二操作模式相关联的写入操作暂停的阈值量。在一些其它情况下，存储器系统310可在335处(例如，基于或响应于存储器系统310的预测工作负载、基于或响应于存储器系统310的过往操作)标识与第二操作模式相关联的写入操作暂停的阈值量。另外或替代地，第二操作模式可与用于每个写入操作执行的写入操作暂停的最大量相关联。在任一情况下，存储器系统310可通过标识写入操作暂停的阈值量且(例如，当存储器系统310根据第二操作模式操作时)暂停小于写入操作暂停的阈值量的某个量的写入操作而根据第二操作模式操作。此处，存储器系统310可通过执行读取操作、执行写入操作和暂停小于阈值量的写入操作暂停的某个量的写入操作而根据第二操作模式操作。
83.在另一实例中，第二操作模式可通过限制每个编程暂停模式期间(例如，在每个写入暂停持续时间期间)执行的一定量的读取操作而限制写入操作的暂停。举例来说，第二操作模式可与在每个编程暂停模式期间(例如，在每个写入暂停持续时间期间)执行的读取操作的阈值量相关联。在一些情况下，主机系统305可指示与切换到第二操作模式的指示内的第二操作模式相关联的读取操作的阈值量。在一些其它情况下，存储器系统310可在335处(例如，基于或响应于存储器系统310的预测工作负载、基于或响应于存储器系统310的过往操作)标识与第二操作模式相关联的读取操作的阈值量。存储器系统310可通过标识在写入暂停持续时间期间执行的读取操作的阈值量且在根据第二操作模式操作时暂停写入操作的同时执行小于阈值量的读取操作而根据第二操作模式操作。也就是说，存储器系统310可通过执行读取操作、执行写入操作且在暂停写入操作时执行比读取操作的阈值量少的读取操作而根据第二操作模式操作。
84.在另一实例中，第二操作模式可通过改变与存储器系统310相关联的设置(例如，
与进入编程暂停模式相关联的预配置设置)来限制与暂停和恢复写入操作相关联的开销。也就是说，存储器系统310可包含固件，在根据第一操作模式操作存储器系统310时，所述固件触发存储器系统310进入编程暂停模式某一时间段(例如，以暂停写入操作、暂停擦除操作、暂停写入操作和擦除操作)。在一些情况下，第二操作模式可通过减少用于进入编程暂停模式的触发事件的量来限制写入操作的暂停(例如，启用或多或少的检查点和减少写入操作时延)。存储器系统310可通过减少与暂停写入操作相关联的触发事件的量以限制暂停写入操作来根据第二操作模式操作。此处，存储器系统310可通过执行读取操作、执行写入操作和响应于减少的触发事件量而暂停写入操作来根据第二操作模式操作。
85.在另一实例中，第二操作模式可通过启用与执行写入操作相关联的高速缓存而限制写入操作的暂停。也就是说，存储器系统310可启用或停用写入高速缓存(例如，编程高速缓存)以增加写入执行性能，代价是暂停执行时延较长。此处，存储器系统310可基于或响应于启用高速缓存而根据第二操作模式操作。
86.在345处，可由主机系统305基于或响应于在330处传输指示而确定与(例如，根据第二操作模式操作的)存储器系统310相关联的写入执行时延是否小于与325处标识的存储器系统310相关联的写入执行时延(例如，当存储器系统310根据第一操作模式操作时)。在一些情况下，主机系统305可基于或响应于存储器系统310根据与用于执行写入操作的减少时延相关联的第二操作模式操作而确定与存储器系统310相关联的写入执行时延已减少。在一些情况下，主机系统305可基于或响应于从存储器系统310接收到写入执行时延的指示(例如，在340之后)而标识与存储器系统310相关联的写入执行时延。在一些其它情况下(例如，在320处存储器系统310未将写入执行时延指示传输到主机系统305的情况下)，主机系统305可基于或响应于存储器系统310的性能而标识写入执行时延。举例来说，存储器系统310可响应于写入命令的执行完成而向主机系统305指示。此处，主机系统305可基于或响应于将写入命令传输到存储器系统310与从存储器系统310接收到写入命令的完成指示之间的时间量而标识写入执行时延。在另一实例中，存储器系统310可向主机系统305指示接收和执行写入命令的容量。此处，主机系统305可基于或响应于存储器系统310接收和执行写入命令的所指示容量而标识写入执行时延。
87.在350处，切换到第一操作模式的指示可任选地由主机系统305传输到存储器系统310。举例来说，主机系统305可(例如，在345处)确定存储器系统310的写入执行时延状态是否已减小。另外或替代地，主机系统305可确定存储器系统310的工作负载是否可能不与大量写入操作(例如，与读取操作相比)相关联。举例来说，主机系统305可确定存储器系统310可执行与视频流式传输相关联的操作(例如，与写入操作的量相比，所述视频流式传输与大量读取操作相关联)。
88.在任一情况下，主机系统305可确定将读取执行时延优先级排序为优先于写入执行时延且可因此将所述指示传输到存储器系统以根据第一操作模式(例如，其并不限制写入操作的暂停)操作。举例来说，主机系统305可将包含切换到第一操作模式的指示的命令传输到存储器系统310。在另一实例中，主机系统305可将包含切换到第一操作模式的指示的值写入到存储器系统310处的寄存器。
89.在355处，可任选地根据第一操作模式操作存储器系统310(例如，在存储器系统310在350处从主机系统305接收到切换到第一操作模式的指示的情况下)。当根据第一操作
模式操作时，存储器系统310可基于或响应于包含于存储器系统310的固件中的设置而选择暂停写入操作和擦除操作(例如，通过进入编程暂停模式)。
90.图4展示根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的存储器系统420的框图400。存储器系统420可以是参考图1到3所描述的存储器系统的各方面的实例。存储器系统420或其各种组件可以是用于执行如本文中所描述的读取时延和暂停模式的各个方面的构件的实例。举例来说，存储器系统420可包含第一操作模式组件425、指示接收器430、第二操作模式组件435、模式选择组件440、切换标识组件445、时延指示传输器450或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
91.第一操作模式组件425可经配置为或以其它方式支持用于根据与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作存储器系统的构件。指示接收器430可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于根据第一操作模式操作存储器系统而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示的构件，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。第二操作模式组件435可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到所述指示而根据第二操作模式操作所述存储器系统的构件。
92.在一些实例中，模式选择组件440可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而从各自与用于至少部分地基于限制暂停写入操作来执行写入操作的减少时延相关联的多个操作模式中选择第二操作模式的构件，其中根据第二操作模式操作存储器系统至少部分地基于所述选择。
93.在一些实例中，第二操作模式组件435可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于限制暂停写入操作而停用写入操作的暂停的构件，其中根据第二操作模式操作存储器系统至少部分地基于所述停用且包含执行读取操作和执行写入操作。
94.在一些实例中，第二操作模式组件435可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而标识用于限制暂停写入操作的写入操作暂停的阈值量的构件，其中第二操作模式与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停小于写入操作暂停的阈值量的某个量的写入操作的第二组存取操作相关联。
95.在一些实例中，第二操作模式组件435可经配置为或以其它方式支持用于标识在写入暂停持续时间期间执行的读取操作的阈值量的构件，所述读取操作的阈值量用以至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而限制暂停写入操作，其中所述第二操作模式与包含执行读取操作、执行写入操作和在暂停写入操作时执行比读取操作的阈值量少的读取操作的第二组存取操作相关联。
96.在一些实例中，第二操作模式组件435可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而减少与暂停写入操作相关联的触发事件的量以限制暂停写入操作的构件，其中第二操作模式与包含执行读取操作、执行写入操作和响应于减少的触发事件量而暂停写入操作的第二组存取操作相关联。
97.在一些实例中，为了支持接收切换到第二操作模式的指示，切换标识组件445可经配置为或以其它方式支持用于标识存储器系统处的寄存器正存储包含切换到第二操作模式的指示的值的构件。
98.在一些实例中，为了支持接收切换到第二操作模式的指示，指示接收器430可经配
置为或以其它方式支持用于接收包含切换到第二操作模式的指示的命令的构件。
99.在一些实例中，第二操作模式组件435可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而启用与执行写入操作相关联的高速缓存的构件，其中根据第二操作模式操作存储器系统至少部分地基于启用所述高速缓存。
100.在一些实例中，时延指示传输器450可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于根据第一操作模式操作存储器系统而将写入执行时延的第二指示传输到主机系统的构件，其中接收切换到第二操作模式的指示至少部分地基于传输写入执行时延的第二指示。
101.在一些实例中，第一组存取操作包含暂停擦除操作。在一些实例中，第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停擦除操作而执行擦除操作的减少时延相关联。
102.图5展示根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的主机系统520的框图500。主机系统520可以是如参考图1到3所描述的主机系统的各方面的实例。主机系统520或其各种组件可以是用于执行如本文中所描述的读取时延和暂停模式的各个方面的构件的实例。举例来说，主机系统520可包含时延标识组件525、模式指示传输器530、操作模式选择器535或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
103.时延标识组件525可经配置为或以其它方式支持用于标识与根据第一操作模式操作的存储器系统相关联的第一写入执行时延的构件，所述第一操作模式与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联。模式指示传输器530可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述标识而将切换到第二操作模式的指示传输到存储器系统的构件，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。在一些实例中，时延标识组件525可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于传输所述指示而确定与根据第二操作模式操作的存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于第一写入执行时延的构件。
104.在一些实例中，为了支持传输切换到第二操作模式的所述指示，模式指示传输器530可经配置为或以其它方式支持用于将包含切换到第二操作模式的所述指示的值写入到存储器系统处的寄存器的构件。
105.在一些实例中，为了支持传输切换到第二操作模式的所述指示，模式指示传输器530可经配置为或以其它方式支持用于传输包含切换到第二操作模式的所述指示的命令的构件。
106.在一些实例中，时延标识组件525可经配置为或以其它方式支持用于从存储器系统接收第一写入执行时延的第二指示的构件，其中标识第一写入执行时延至少部分地基于接收第二指示。
107.在一些实例中，操作模式选择器535可经配置为或以其它方式支持用于确定第一写入执行时延是否超过阈值的构件，其中传输切换到第二操作模式的所述指示至少部分地基于确定所述第一写入执行时延超过阈值。
108.图6展示说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的方法600的流程图。方法600的操作可由本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法600的操作可由参考图1到4所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令
以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。
109.在605处，所述方法可包含根据与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作存储器系统。可根据本文所公开的实例执行605的操作。在一些实例中，可由如参考图4所描述的第一操作模式组件425执行605的操作的各方面。
110.在610处，所述方法可包含至少部分地基于根据第一操作模式操作存储器系统而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。可根据本文所公开的实例执行610的操作。在一些实例中，610的操作的各方面可由如参考图4所描述的指示接收器430执行。
111.在615处，所述方法可包含至少部分地基于接收到所述指示而根据第二操作模式操作存储器系统。可根据本文所公开的实例执行615的操作。在一些实例中，可由参考图4所描述的第二操作模式组件435执行615的操作的各方面。
112.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行例如方法600等方法或多个方法。所述设备可包含特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)以用于：根据与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作存储器系统；至少部分地基于根据第一操作模式操作存储器系统而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于接收到所述指示而根据第二操作模式操作所述存储器系统。
113.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而从可各自与用于至少部分地基于限制暂停写入操作来执行写入操作的减少时延相关联的多个操作模式中选择第二操作模式，其中根据第二操作模式操作存储器系统至少部分地基于所述选择。
114.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于限制暂停写入操作而停用写入操作的暂停，其中根据第二操作模式操作存储器系统可至少部分地基于所述停用且包含执行读取操作和执行写入操作。
115.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而标识用于限制暂停写入操作的写入操作暂停的阈值量，其中第二操作模式可与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停可小于写入操作暂停的阈值量的某个量的写入操作的第二组存取操作相关联。
116.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：标识在写入暂停持续时间期间执行的读取操作的阈值量，所述读取操作的阈值量用以至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而限制暂停写入操作，其中所述第二操作模式可与包含执行读取操作、执行写入操作和在暂停写入操作时执行比读取操作的阈值量少的读取操作的第二组存取操作相关联。
117.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而减少与暂停写入操作相关联的触发事件的量以限制暂停写入操作，其中第二操作模式可与包含执行读取操作、执行写入操作和响应于减少的触发事件量而暂停写入操作的第二组存取操作相关联。
118.在本文所描述的方法600和设备的一些实例中，接收切换到第二操作模式的指示可包含用于标识存储器系统处的寄存器可存储包含切换到第二操作模式所述指示的值的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
119.在本文所描述的方法600和设备的一些实例中，接收切换到第二操作模式的指示可包含用于接收包含切换到第二操作模式的指示的命令的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
120.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而启用与执行写入操作相关联的高速缓存，其中根据第二操作模式操作存储器系统可至少部分地基于启用所述高速缓存。
121.本文所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令以用于：至少部分地基于根据第一操作模式操作存储器系统而将写入执行时延的第二指示传输到主机系统，其中接收切换到第二操作模式的指示可至少部分地基于传输写入执行时延的第二指示。
122.在本文所描述的方法600和设备的一些实例中，第一组存取操作包含暂停擦除操作，且第二操作模式可与用于至少部分地基于限制暂停擦除操作而执行擦除操作的减少时延相关联。
123.图7展示说明根据本文所公开的实例支持读取时延和暂停模式的方法700的流程图。方法700的操作可由如本文中所描述的主机系统或其组件实施。举例来说，方法700的操作可由如参考图1到3和5所描述的主机系统执行。在一些实例中，主机系统可执行一组指令以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外或替代地，主机系统可使用专用硬件来执行所描述功能的各方面。
124.在705处，所述方法可包含标识与根据第一操作模式操作的存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述第一操作模式与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联。可根据本文所公开的实例执行705的操作。在一些实例中，705的操作的各方面可由参考图5所描述的时延标识组件525执行。
125.在710处，所述方法可包含至少部分地基于所述标识而将切换到第二操作模式的指示传输到存储器系统，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。可根据本文所公开的实例执行710的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的模式指示传输器530执行710的操作的各方面。
126.在715处，所述方法可包含至少部分地基于传输所述指示而确定与根据第二操作模式操作的存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于第一写入执行时延。可根据本文所公开的实例执行715的操作。在一些实例中，715的操作的各方面可由参考图5所描述的时延标识组件525执行。
127.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行例如方法700等方法或多个方法。所述设备可包含特征、电路系统、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)以用于：标识与根据第一操作模式操作的存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述第一操作模式与包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联；至少部分地基于所述标识而将切换到第二操作模式的指示传输到存储器系统，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于传输所述指示而确定与根据第二操作模式操作的存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于第一写入执行时延。
128.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，传输切换到第二操作模式的指示可包含用于将包含切换到第二操作模式的所述指示的值写入到存储器系统处的寄存器的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
129.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，传输切换到第二操作模式的指示可包含用于传输包含切换到第二操作模式的所述指示的命令的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令。
130.本文所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于从存储器系统接收第一写入执行时延的第二指示的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令，其中标识第一写入执行时延可至少部分地基于接收第二指示。
131.本文所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于确定第一写入执行时延是否超过阈值的操作、特征、电路系统、逻辑、构件或指令，其中传输切换到第二操作模式的所述指示可至少部分地基于确定第一写入执行时延超过阈值。
132.应注意，上文描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或更多个方法的部分。
133.描述一种设备。所述设备可包含存储器装置和控制器，所述控制器与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备：根据与第一组存取操作相关联的第一操作模式来操作所述设备，所述第一组存取操作包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作；至少部分地基于根据所述第一操作模式操作所述设备而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于接收到所述指示而根据所述第二操作模式操作所述设备。
134.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而从各自与用于至少部分地基于限制暂停写入操作来执行写入操作的减少时延相关联的多个操作模式中选择第二操作模式，其中根据第二操作模式操作所述设备至少部分地基于所述选择。
135.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备至少部分地基于限制暂停写入操作而停用写入操作的暂停，其中根据第二操作模式操作所述设备至少部分地基于所述停用且包括执行读取操作和执行写入操作。
136.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而标识用于限制暂停写入操作的写入操作暂停的阈值量，其
中第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停小于写入操作暂停的阈值量的某个量的写入操作的第二组存取操作相关联。
137.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备：标识在写入暂停持续时间期间执行的读取操作的阈值量，所述读取操作的阈值量用以至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而限制暂停写入操作，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和在暂停写入操作时执行比读取操作的阈值量少的读取操作的第二组存取操作相关联。
138.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备：至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的指示而减少与暂停写入操作相关联的触发事件的量以限制暂停写入操作，其中第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和响应于减少的触发事件量而暂停写入操作的第二组存取操作相关联。
139.在一些情况下，接收切换到第二操作模式的指示可包含标识设备处的寄存器正存储包括切换到第二操作模式的指示的值。
140.在一些情况下，接收切换到第二操作模式的指示可包含接收包括切换到第二操作模式的指示的命令。
141.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备至少部分地基于接收到切换到第二操作模式的所述指示而启用与执行写入操作相关联的高速缓存，其中根据第二操作模式操作所述设备至少部分地基于启用所述高速缓存。
142.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备至少部分地基于根据第一操作模式操作设备而将写入执行时延的第二指示传输到主机系统，其中接收切换到第二操作模式的指示至少部分地基于传输写入执行时延的第二指示。
143.在所述设备的一些实例中，第一组存取操作包含暂停擦除操作，且第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停擦除操作而执行擦除操作的减少时延相关联。
144.描述一种设备。所述设备可包含经配置以与存储器系统耦合的控制器，其中所述控制器经配置以使所述设备：标识与根据第一操作模式操作的存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述第一操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联；至少部分地基于所述标识而将切换到第二操作模式的指示传输到存储器系统，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于传输所述指示而确定与根据第二操作模式操作的存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于第一写入执行时延。
145.在设备的一些实例中，传输切换到第二操作模式的指示包含将包括切换到第二操作模式的指示的值写入到存储器系统处的寄存器。
146.在所述设备的一些实例中，传输切换到第二操作模式的指示包含传输包括切换到第二操作模式的指示的命令。
147.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备从存储器系统接收第一写入执行时延的第二指示，其中标识所述第一写入执行时延至少部分地基于接收到第二指示。
148.在一些情况下，所述控制器可进一步经配置以使所述设备确定所述第一写入执行时延是否超过阈值，其中传输切换到第二操作模式的所述指示至少部分地基于确定所述第
一写入执行时延超过所述阈值。
149.可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示本文所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可能将信号说明为单个信号；然而，所述信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
150.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，则认为组件彼此电子连通(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。
151.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前不能通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。如果例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，则所述组件发起改变以允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动。
152.术语“隔离”是指其中信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此分离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关分隔开的所述组件在开关断开时彼此隔离。如果控制器隔离两个组件，则控制器实现改变以阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
153.术语“如果”、“当
…
时”、“基于”，或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当
…
时”、“基于”或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，则所述术语可互换。
154.术语“响应于”可指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不完全地)发生的一个条件或动作。举例来说，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后)至少部分地发生。
155.另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指作为先前条件或动作的直接结果而发生的一个条件或动作。在一些实例中，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果直接发生而与是否发生其它条件或动作无关。在一些实例中，可执行第一条件或动作，且第二条件或动作可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”一些其它步骤、动作、事件或条件执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”此类其它条件或动作而执行。
156.本文中论述的包含存储器阵列在内的装置可形成于例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，所述衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬
底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或在另一衬底上的半导体材料的外延材料。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷等各种化学物种的掺杂来控制衬底或衬底的子区的传导性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子注入或通过任何其它掺杂方式来进行。
157.本文所论述的切换组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。各端子可通过例如金属等导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可导电，且可包括经重掺杂半导体区，例如简并半导体区。源极和漏极可通过轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载流子是电子)，则fet可称作n型fet。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则fet可被称为p型fet。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道传导性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使得沟道变为导电的。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“已激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，则晶体管可“关断”或“解除激活”。
158.本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且不表示可实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或图解说明”，且并非“优选的”或“优于其它实例”。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的具体细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践实施例。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
159.在附图中，类似的组件或特征可具有相同的参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着短横和在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述内容适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。
160.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果在由处理器执行的软件中实施，则可将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的本质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合来实施。实施功能的特征也可在物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
161.举例来说，可用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的公开内容而描述的各种说明性块和组件。通用处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心，或任何其它此类配置)。
162.如本文中所使用，包含在权利要求书中所使用，在项列表(例如，在例如“中的至少一者”或“中的一或多者”之前的项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所使用，短语“基于”不应理解为参考封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所用，短语“基
于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式理解。
163.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体两种，所述通信媒体包含促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于承载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。另外，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或例如红外线、无线电及微波等无线技术包含于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
164.提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够制出或使用本公开。对本公开的各种修改对于所属领域的技术人员来说将是显而易见的，且本文所定义的一般原理可在不脱离本公开的范围的情况下应用于其它变型。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而应被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最广范围。

技术特征：

1.一种设备，其包括：存储器装置；以及控制器，其与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备进行以下操作：根据与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作所述设备；至少部分地基于根据所述第一操作模式操作所述设备而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于接收到所述指示而根据所述第二操作模式操作所述设备。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的指示而从各自与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作来执行写入操作的所述减少时延相关联的多个操作模式中选择所述第二操作模式，其中根据所述第二操作模式操作所述设备至少部分地基于所述选择。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于限制所述暂停写入操作而停用写入操作的暂停，其中根据所述第二操作模式操作所述设备至少部分地基于所述停用且包括执行读取操作和执行写入操作。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而标识用于限制所述暂停写入操作的写入操作暂停的阈值量，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停小于写入操作暂停的所述阈值量的某个量的写入操作的第二组存取操作相关联。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：标识在写入暂停持续时间期间执行的读取操作的阈值量，所述读取操作的阈值量用以至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而限制所述暂停写入操作，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和在暂停写入操作时执行比所述读取操作的阈值量少的读取操作的第二组存取操作相关联。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而减少与暂停写入操作相关联的触发事件的量以限制所述暂停写入操作，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和响应于减少的触发事件量而暂停写入操作的第二组存取操作相关联。7.根据权利要求1所述的设备，其中接收切换到所述第二操作模式的所述指示包括：标识所述设备处的寄存器正存储包括切换到所述第二操作模式的所述指示的值。
8.根据权利要求1所述的设备，其中接收切换到所述第二操作模式的所述指示包括：接收包括切换到所述第二操作模式的所述指示的命令。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而启用与执行所述写入操作相关联的高速缓存，其中根据所述第二操作模式操作所述设备至少部分地基于启用所述高速缓存。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：至少部分地基于根据所述第一操作模式操作所述设备而将写入执行时延的第二指示传输到所述主机系统，其中接收切换到所述第二操作模式的所述指示至少部分地基于传输所述写入执行时延的所述第二指示。11.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一组存取操作包括暂停擦除操作；以及所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制所述暂停擦除操作而执行擦除操作的减少时延相关联。12.一种设备，其包括：控制器，其经配置以与存储器系统耦合，其中所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作：标识与根据第一操作模式操作的所述存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述第一操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联；至少部分地基于所述标识而将切换到第二操作模式的指示传输到所述存储器系统，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于传输所述指示而确定与根据所述第二操作模式操作的所述存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于所述第一写入执行时延。13.根据权利要求12所述的设备，其中传输切换到所述第二操作模式的所述指示包括：将包括切换到所述第二操作模式的所述指示的值写入到所述存储器系统处的寄存器。14.根据权利要求12所述的设备，其中传输切换到所述第二操作模式的所述指示包括：传输包括切换到所述第二操作模式的所述指示的命令。15.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：从所述存储器系统接收所述第一写入执行时延的第二指示，其中标识所述第一写入执行时延至少部分地基于接收到所述第二指示。16.根据权利要求12所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作：确定所述第一写入执行时延是否超过阈值，其中传输切换到所述第二操作模式的所述指示至少部分地基于确定所述第一写入执行时延超过所述阈值。
17.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：根据与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联的第一操作模式操作所述电子装置；至少部分地基于根据所述第一操作模式操作所述电子装置而从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于接收到所述指示而根据所述第二操作模式操作所述电子装置。18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而从各自与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作来执行写入操作的所述减少时延相关联的多个操作模式中选择所述第二操作模式，其中根据所述第二操作模式操作所述电子装置至少部分地基于所述选择。19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于限制所述暂停写入操作而停用写入操作的暂停，其中根据所述第二操作模式操作所述电子装置至少部分地基于所述停用且包括执行读取操作和执行写入操作。20.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而标识用于限制所述暂停写入操作的写入操作暂停的阈值量，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停小于写入操作暂停的所述阈值量的某个量的写入操作的第二组存取操作相关联。21.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：标识在写入暂停持续时间期间执行的读取操作的阈值量，所述读取操作的阈值量用以至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而限制所述暂停写入操作，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和在暂停写入操作时执行比所述读取操作的阈值量少的读取操作的第二组存取操作相关联。22.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：至少部分地基于接收到切换到所述第二操作模式的所述指示而减少与暂停写入操作相关联的触发事件的量以限制所述暂停写入操作，其中所述第二操作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和响应于减少的触发事件量而暂停写入操作的第二组存取操作相关联。23.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作：标识与根据第一操作模式操作的存储器系统相关联的第一写入执行时延，所述第一操
作模式与包括执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作的第一组存取操作相关联；至少部分地基于所述标识而将切换到第二操作模式的指示传输到所述存储器系统，所述第二操作模式与用于至少部分地基于限制所述暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联；以及至少部分地基于传输所述指示而确定与根据所述第二操作模式操作的所述存储器系统相关联的第二写入执行时延是否小于所述第一写入执行时延。24.根据权利要求23所述的非暂时性计算机可读媒体，其中传输切换到所述第二操作模式的所述指示的所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：将包括切换到所述第二操作模式的所述指示的值写入到所述存储器系统处的寄存器。25.根据权利要求23所述的非暂时性计算机可读媒体，其中传输切换到所述第二操作模式的所述指示的所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作：传输包括切换到所述第二操作模式的所述指示的命令。

技术总结

本申请涉及读取时延和暂停模式。存储器系统可以与第一组存取操作相关联的第一操作模式操作，所述第一组存取操作包含执行读取操作、执行写入操作和暂停写入操作。所述存储器系统可从主机系统接收切换到第二操作模式的指示，所述第二操作模式与用于基于限制暂停写入操作而执行写入操作的减少时延相关联。举例来说，所述主机系统可传输包含切换到所述第二操作模式的所述指示的命令。在另一实例中，所述主机系统可向所述存储器系统处的寄存器写入包含切换到所述第二操作模式的所述指示的值。基于从所述主机系统接收到所述指示，所述存储器系统可接着根据所述第二操作模式操作。存储器系统可接着根据所述第二操作模式操作。存储器系统可接着根据所述第二操作模式操作。