彩膜基板及电泳显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种彩膜基板及包括该彩膜基板的电泳显示装置。

背景技术：

2.分散在液体中的带电微粒由于外加电场而发生泳动的现象，即所谓电泳现象，电泳现象已为人们熟知，并且已开发出利用电泳现象的电泳显示(electrophoretic，e-paper)装置，电泳显示装置结合了普通纸张和电子显示装置的优点，既具有可读性又具有便携性，而且具有能耗低、护眼、良好的日光可读性、生产成本较低等优势，因此电泳显示装置已被确认可替代传统的纸质媒介。
3.但是，目前电泳显示装置的对比度较低。
4.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

5.本公开的目的在于克服上述现有技术的对比度较低的不足，提供一种对比度较高的彩膜基板及包括该彩膜基板的电泳显示装置。
6.根据本公开的一个方面，提供了一种彩膜基板，包括：
7.第一衬底基板；
8.滤光层，设于所述第一衬底基板的一侧；
9.第一电极，设于所述滤光层背离所述第一衬底基板的一侧；
10.光增强层，设于所述第一电极背离所述第一衬底基板的一侧，所述光增强层背离所述第一衬底基板的一面设置有凹陷部。
11.在本公开的一种示例性实施例中，所述凹陷部的侧壁与所述第一衬底基板之间的距离随着与所述凹陷部的中心在第一面的距离的增加而增加，所述第一面与所述第一衬底基板靠近所述滤光层的一面平行。
12.在本公开的一种示例性实施例中，所述凹陷部的侧壁包括弧面、斜面中的一种或两种。
13.根据本公开的另一个方面，提供了一种电泳显示装置，包括：
14.彩膜基板，为上述任意一项所述的彩膜基板；
15.阵列基板，设于所述彩膜基板的光增强层背离第一衬底基板的一侧，且所述阵列基板与所述彩膜基板之间设置有容纳空间；
16.密封挡墙结构，设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，且将所述容纳空间分割形成多个子像素空间；
17.电泳液，设于所述子像素空间内；
18.反射粒子，设于所述电泳液内。
19.在本公开的一种示例性实施例中，所述电泳液的折射率大于所述光增强层的折射率。
20.在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板包括：
21.第二衬底基板；
22.驱动背板，设于所述第二衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧，所述驱动背板包括多个开关单元；
23.第二电极，连接于所述驱动背板，所述第二电极设于所述驱动背板背离所述第二衬底基板的一侧；
24.第二介电层，至少覆盖所述第二电极；
25.吸光结构，设于所述驱动背板背离所述第二衬底基板的一侧。
26.在本公开的一种示例性实施例中，所述第二电极设置为环形，所述吸光结构设于所述第二电极的环内。
27.在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动背板上设置有第一凹槽，所述第二电极位于所述第一凹槽内，所述第二介电层背离所述第二衬底基板的一面设置有与所述第一凹槽相对的第二凹槽；所述吸光结构靠近所述第二衬底基板的一面与所述第二衬底基板之间的距离大于，所述第二电极背离所述第二衬底基板的一面与所述第二衬底基板之间的距离。
28.在本公开的一种示例性实施例中，所述吸光结构包括：
29.支撑部，设于所述驱动背板背离所述第二衬底基板的一侧；
30.吸光层，设于所述支撑部背离所述第二衬底基板的一侧，且所述吸光层在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述支撑部在所述第二衬底基板上的正投影以及所述第二电极在所述第二衬底基板上的正投影。
31.在本公开的一种示例性实施例中，所述反射粒子的粒径大于等于150纳米且小于等于400纳米。
32.本公开的彩膜基板和电泳显示装置，在第一电极背离第一衬底基板的一侧设置有光增强层，光增强层背离第一衬底基板的一面设置有凹陷部；一方面，凹陷部的侧壁的表面积较大，使得在相同面积的子像素内可以有较多的反射粒子参与反射，增加了反射界面的面积，提高了白态反射率，从而提高对比度；另一方面，环境光照射至凹陷部时，通过凹陷部的侧壁和反射粒子对环境光的漫反射更为均匀，使得显示装置的视角更好。
33.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
34.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
35.图1为电泳显示技术的原理示意图。
36.图2为本公开彩膜基板一示例实施方式的结构示意图。
37.图3-图4为形成图2中的彩膜基板的各个步骤的结构示意图。
38.图5-图7为光增强层的三种示例实施方式的结构示意图。
39.图8为本公开电泳显示装置一示例实施方式的结构示意图。
40.图9为本公开电泳显示装置一个子像素处于白态时的结构以及光路示意图。
41.图10为本公开电泳显示装置一个子像素处于暗态时的结构以及光路示意图。
42.图11为图8中驱动背板一示例实施方式的结构示意图。
43.图12为图8中驱动背板另一示例实施方式的结构示意图。
44.图13为驱动背板的俯视示意图。
45.图14为在图12的基础上形成吸光结构后的结构示意图。
46.图15为图14的俯视示意图。
47.图16为本公开电泳显示装置一个子像素一示例实施方式处于暗态时的结构示意图。
48.图17为在彩膜基板上形成密封挡墙结构后的结构示意图。
49.附图标记说明：
50.1、彩膜基板；11、第一衬底基板；12、滤光层；121、黑矩阵；122、滤光部；13、第一电极；14、第一介电层；15、光增强层；151、凹陷部；16、保护层；
51.2、阵列基板；21、第二衬底基板；
52.22、驱动背板；221、遮光层；222、缓冲层；223、有源层；2231、沟道部；2232、导体部；224、栅绝缘层；2251、栅极；2252、栅线；226、层间介电层；2271、数据线；2272、源极；2273、漏极；228、钝化层；229、第一凹槽；
53.23、第二电极；24、第二介电层；241、第二凹槽；25、吸光结构；251、支撑部；252、吸光层；
54.3、电泳液；
55.4、反射粒子；5、密封挡墙结构；
56.61、微胶囊；62、黑微粒子；63、白微粒子。
具体实施方式
57.现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
58.虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
59.用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组
成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
60.参照图1所示，电泳显示(electrophoretic，e-paper)技术的原理为：电泳显示装置电泳液3中添加微胶囊61，微胶囊61内部包含黑微粒子62和白微粒子63，黑微粒子62带负电荷，白微粒子63带正电荷，整体微胶囊61呈现电平衡状态。驱动背板22给第二电极23加正电时，黑微粒子62向第二电极23靠近，白微粒子63分布在微胶囊61上方，从上方入射的环境光在微胶囊61中白微粒子63处发生反射，显示器件呈现亮态；驱动背板22给第二电极23加负电时，白微粒子63向第二电极23靠近，黑微粒子62分布在微胶囊61上方，从上方入射的环境光在微胶囊61黑微粒子62处吸收，显示器件呈现暗态。
61.本公开示例实施方式提供了一种彩膜基板1，参照图2-图7所示，该彩膜基板1可以包括第一衬底基板11、滤光层12、第一电极13以及光增强层15；滤光层12设于第一衬底基板11的一侧；第一电极13设于滤光层12背离第一衬底基板11的一侧；光增强层15设于第一电极13背离第一衬底基板11的一侧，光增强层15背离第一衬底基板11的一面设置有凹陷部151。
62.本公开的彩膜基板1和电泳显示装置，一方面，凹陷部151的侧壁的表面积较大，使得在相同面积的子像素内可以有较多的反射粒子4参与反射，增加了反射界面的面积，提高了白态反射率，从而提高对比度；另一方面，环境光照射至凹陷部151时，通过凹陷部151的侧壁和反射粒子4对环境光的漫反射更为均匀，使得显示装置的视角更好。
63.在本示例实施方式中，第一衬底基板11的材料可以包括无机材料，例如，该无机材料可以为玻璃、石英或金属等。第一衬底基板11的材料还可以包括有机材料，例如，该有机材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。该第一衬底基板11可以由多层材料层形成，例如第一衬底基板11可以包括多层基材层，基材层的材料可以是上述的任意一种材料。当然，第一衬底基板11还可以设置为单层，可以是上述任一一种材料。
64.在本示例实施方式中，参照图2-图4所示，在第一衬底基板11的一侧设置有滤光层12，滤光层12可以包括黑矩阵121和滤光部122，黑矩阵121可以设置为网格状，在一个网格内设置有一个滤光部122，也可以说是在黑矩阵121上设置有多个过孔，一个过孔内设置有一个滤光部122，通过滤光部122可以对入射光线和出射光线进行过滤，保证彩的单一性，避免混。滤光部122可以包括红滤光部、绿滤光部、蓝滤光部以及白滤光部；当然，在另一些示例实施方式中，可以不设置白滤光部。还可以在滤光层12背离第一衬底基板11的一侧设置有保护层16，保护层16的材质可以是oc，oc是一种有机树脂胶材，涂覆在rgb滤光部上主要作用是保证滤光层12表面平坦性。
65.在本示例实施方式中，参照图2和图4所示，在滤光层12背离第一衬底基板11的一侧设置有第一电极13，具体为，在保护层16背离第一衬底基板11的一侧设置有第一电极13。第一电极13的厚度大约为350埃。第一电极13的材质可以是透明导电材料，例如，可以是ito(indium tin oxide，氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等等。可以对ito进行退火晶化工艺。自然光可以通过第一电极13射入，也可以通过第一电极13射出。第一电极13是整层设置的。
66.在本公开的一些示例实施方式中，参照图8所示，可以在第一电极13背离第一衬底
基板11的一侧设置有第一介电层14，第一介电层14的材质可以是绝缘材料，例如，可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等等；第一介电层14将第一电极13包覆，通过第一介电层14可以将第一电极13与外部其他结构绝缘隔离。
67.在本示例实施方式中，参照图2所示，在第一电极13背离第一衬底基板11的一侧设置有光增强层15，光增强层15背离第一衬底基板11的一面设置有凹陷部151；具体地，凹陷部151的侧壁与第一衬底基板11之间的距离随着与凹陷部151的中心在第一面的距离的增加而增加，第一面与第一衬底基板11靠近滤光层12的一面平行；即凹陷部151设置为越靠近第一衬底基板11横截面的面积越小的结构，横截面与第一衬底基板11靠近滤光层12的一面平行。光增强层15可以通过纳米压抑工艺制作形成凹陷部151。
68.凹陷部151的侧壁可以包括弧面、斜面中的一种或两种；即凹陷部151的侧壁可以包括弧面，凹陷部151的侧壁也可以包括斜面，凹陷部151的侧壁也可以包括弧面和斜面。具体地，参照图5-图7所示，凹陷部151可以设置为球缺结构、椭球缺结构；凹陷部151也可以设置为圆锥结构、棱锥结构。当然，在本公开的其他一些示例实施方式中，凹陷部151还可以设置为一半球缺结构、椭球缺结构，另一半设置为圆锥结构、棱锥结构。
69.参照图9所示，凹陷部151的表面积较大，使得在相同面积的子像素内可以有较多的反射粒子4参与反射，增加了反射界面的面积，提高了白态反射率，从而提高对比度。环境光照射至光增强层15时，由于光增强层15的表面设置为凸凹不平的结构，因此，通过凹陷部151的侧壁和反射粒子4对环境光的漫反射更为均匀，使得显示装置的视角更好。
70.光增强层15的材质可以是绝缘材质，因此，在本示例实施方式中，可以不设置第一介电层14，光增强层15可以将第一电极13与外部其他结构绝缘隔离，起到第一介电层14的作用。
71.需要说明的是，凹陷部151和突出部是相对的，在光增强层15背离第一衬底基板11的一面设置有凹陷部151，那么在光增强层15背离第一衬底基板11的一面必然设置有突出部。
72.基于同一发明构思，本公开示例实施方式提供了一种电泳显示装置，参照图8-图16所示，该电泳显示装置可以包括彩膜基板1、阵列基板2、密封挡墙结构5、电泳液3以及反射粒子4；彩膜基板1为上述任意一项的彩膜基板1；阵列基板2设于彩膜基板1的光增强层15背离第一衬底基板11的一侧，且阵列基板2与彩膜基板1之间设置有容纳空间；密封挡墙结构5设于阵列基板2与彩膜基板1之间，且将容纳空间分割形成多个子像素空间；电泳液3设于子像素空间内；反射粒子4设于电泳液3内。
73.在本示例实施方式中，在电泳液3中设置有反射粒子4，反射粒子4可以是白微粒，也可以是具有反射功能的其他粒子；反射粒子4可以带正电，也可以带负电，其驱动方法一样，只是第二电极23和第一电极13的极性根据需要设定。反射粒子4的粒径对反射性能起关键的作用，最佳粒径的计算公式：
74.以及λ＝d/k，
75.式中，λ为光的波长；m为散射率，m＝反射粒子4的折射率/电泳液3的折射率；n为电泳液3的折射率；d为反射粒子4的粒径；k为常量。
76.从上述公式可以计算得到反射粒子4粒径，对任何特定波长的反射光，反射粒子4
的最佳粒径可以是该特定波长的一半。反射粒子4的粒径优选选择150-400范围纳米粒子。
77.可见光的波长大于等于390纳米且小于等于780纳米，而且考虑误差等原因，因此，反射粒子4的粒径大于等于150纳米且小于等于400纳米；例如，反射粒子4的粒径可以是156纳米、173纳米、12纳米、203纳米、215纳米、224纳米、237纳米、246纳米、253纳米、262纳米、273纳米、281纳米、295纳米、300纳米、308纳米、315纳米、328纳米、336纳米、349纳米、350纳米、368纳米、375纳米、378纳米、386纳米、394纳米等等。
78.颗粒的大小称为“粒径”，又称“粒度”或者“直径”。球形颗粒的大小是用其直径来表示的。对于非球形颗粒，一般有三种方法定义其粒径，即投影径、几何当量径和物理当量径。投影径指颗粒在显微镜下所观察到的粒径。几何当量径取与颗粒的某一几何量相等时的球形颗粒的直径。物理当量径取与颗粒的某一物理量相等时的球形颗粒的直径。
79.另外，根据涂料理论中散射能力(散射率)公式得知折射率相差越大散射能力越强，白态效果越好；散射能力(散射率)公式为：
80.式中，n为电泳液3的折射率，na为反射粒子4的折射率，m为散射能力。因此，反射粒子4尽量选择高折射率的颗粒，例如二氧化钛，其折射率能达到2.8，散射效果好，白态效果越好。
81.进一步地，电泳液3的折射率大于光增强层15的折射率，即电泳液3相对于光增强层15为光密介质，光线从电泳液3射至光增强层15为从光密介质射入光疏介质，在入射角大于临界角的情况下，会在界面发生全反射；因此，参照图10所示，在暗态时，即使有少量光被吸光结构25反射或者被未完全隐藏的反射粒子4散射，这部分残余光会在电泳液3与光增强层15之间的界面发生全反射，返回到子像素内被吸光结构25二次吸收。而且，光增强层15背离第一衬底基板11的一面的凹陷部151会使得入射光的入射角进一步增大，使得发生全反射的光线增多，尽量避免在暗态时，光线的射出。
82.具体例如，光增强层15的材质可以是乙烯基醚类材料，其折射率小于等于1.3。电泳液3的材质可以是四氯乙烯等，其折射率大于等于1.5。当然，光增强层15的材质还可以是丙烯酸系、硫醇/烯类或者其他折射率比较小的材料。电泳液3的材质可以是其他高折射率氟类有机溶剂。
83.在本示例实施方式中，参照图11所示，阵列基板2可以包括第二衬底基板21，第二衬底基板21的材料可以包括无机材料，例如，该无机材料可以为玻璃、石英或金属等。第二衬底基板21的材料还可以包括有机材料，例如，该有机材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。该第二衬底基板21可以由多层材料层形成，例如第二衬底基板21可以包括多层基底层，基底层的材料可以是上述的任意一种材料。当然，第二衬底基板21还可以设置为单层，可以是上述任一一种材料。
84.在第二衬底基板21的一侧还可以设置有遮光层221，从第二衬底基板21射入有源层223的光线会在有源层223产生光生载流子，进而对薄膜晶体管的特性产生巨大影响，最终影响显示装置的显示画质；通过遮光层221可以遮挡从第二衬底基板21射入的光线，从而避免对薄膜晶体管的特性产生影响，避免影响显示装置的显示画质。另外，根据薄膜晶体管的类型不同，可以省略遮光层221。
85.在遮光层221背离第二衬底基板21的一侧还可以形成缓冲层222，缓冲层222起到阻隔第二衬底基板21(特别是有机材料)中的水汽以及杂质离子的作用，并且起到为后续形成的有源层223增加氢离子的作用，缓冲层222的材质为绝缘材料，可以将遮光层221与有源层223绝缘隔离。另外，根据薄膜晶体管的类型不同，可以省略缓冲层222；还可以设置其他隔离层。
86.在缓冲层222的背离第二衬底基板21的一侧设置有源层223，有源层223的材质可以是多晶硅、金属氧化物、非晶硅等等，有源层223的材质不同，形成的薄膜晶体管的类型不同。有源层223可以包括沟道部2231以及设置在沟道部2231两端的导体部2232，两个导体部2232中的一个为源极连接部，另一个为漏极连接部。在有源层223的背离第二衬底基板21的一侧设置有栅绝缘层224。
87.在栅绝缘层224的一侧设置有栅极2251和栅线2251，栅极2251连接于栅线2251，或栅线2251的一部分可以作为栅极2251。当然，在本公开的其他一些示例实施方式中，可以设置有两层栅极2251，两层栅极2251之间设置有绝缘层。
88.在栅极2251的背离第二衬底基板21的一侧设置有层间介电层226，在层间介电层226上设置有第一过孔，第一过孔连通至导体部2232；在层间介电层226的背离第二衬底基板21的一侧设置有数据线2271、源极2272和漏极2273，数据线2271可以与漏极2273连接为一体，源极2272和漏极2273分别对应通过两个第一过孔连接至两个导体部2232。在源极2272和漏极2273背离第二衬底基板21的一侧设置有钝化层228，在钝化层228上设置有第二过孔，第二过孔连接至源极2272。有源层223、栅极2251、源极2272和漏极2273形成薄膜晶体管。
89.需要说明的是，本说明书中说明的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，在本公开的其他示例实施方式中，薄膜晶体管还可以是底栅型或双栅型，对其具体结构在此不再赘述。而且，在使用极性相反的薄膜晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极2272”及“漏极2273”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极2272”和“漏极2273”可以互相调换。
90.在本示例实施方式中，参照图12所示，在驱动背板22背离第二衬底基板21的一侧设置有第二电极23；具体地，参照图11所示，在钝化层228背离第二衬底基板21的一侧设置有第二电极23，第二电极23通过第二过孔连接至驱动背板22的源极2272。
91.第二电极23与第一电极13上下产生垂直电场，驱动带电的反射粒子4运动。如果没有第一电极13，采用阵列基板2的水平电场方式较难驱动反射粒子4上下运动。
92.参照图13所示，第二电极23可以设置为环形，具体地，第二电极23可以设置为矩形环状；当然，第二电极23可以设置为圆形环状、椭圆形环状等等；第二电极23还可以设置为半包围形、多半包围形等等。一个子像素设置有一个第二电极23，第二电极23设置在子像素的周边区域，避免在子像素的中部区域设置第二电极23，如此设置，避免反射粒子4集中至子像素的中部区域，使得在子像素处于暗态时，尽量减少射至反射粒子4光线，尽量减少反射粒子4对光线的反射，减少暗态漏光，提高了对比度。
93.第二电极23的材质可以是透明导电材料，例如，可以是ito(indium tin oxide，氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)等等。这些材料不具有反射性，在像素处于暗态时，即使有少量光线射至第二电极23，第二电极23也不会对这些光线产生反射作用，减少暗态漏光，提高了对
比度。
94.在本示例实施方式中，参照图11和图12所示，在第二电极23背离第二衬底基板21的一侧设置有第二介电层24，第二介电层24至少覆盖第二电极23，例如，第二介电层24可以仅覆盖第二电极23，第二介电层24也可以覆盖整个驱动背板22。第二介电层24的材质可以是绝缘材料，例如，可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等等；第二介电层24将第二电极23包覆，通过第二介电层24可以将第二电极23与外部其他结构绝缘隔离。
95.在本示例实施方式中，在驱动背板22背离第二衬底基板21的一侧设置有吸光结构25。参照图14所示，吸光结构25可以设置在第二介电层24背离第二衬底基板21的一侧。当然，参照图9和图10所示，吸光结构25也可以设置在第二介电层24与驱动背板22之间。
96.参照图15所示，吸光结构25可以设置在第二电极23形成的环内，而且，为了尽量设置面积较大的吸光结构25，吸光结构25在第二衬底基板21上的正投影的边沿线与第二电极23在第二衬底基板21上的正投影的边沿线重合。
97.另外，吸光结构25可以采用绝缘材质，因此，在本公开的一些示例实施方式中，可以不设置第二介电层24，可以通过吸光结构25将第二电极23完全覆盖，吸光结构25可以将第二电极23与外部其他结构绝缘隔离，起到第二介电层24的作用。
98.参照图9和图10所示，驱动背板22上可以设置有第一凹槽229，第二电极23位于第一凹槽229内，第二介电层24背离第二衬底基板21的一面设置有与第一凹槽229相对的第二凹槽241；使得通过第二电极23的吸引力会聚的反射粒子4可以会聚在第二凹槽241内，尽量将反射粒子4隐藏，使得射入至电泳液3的光线不会被反射粒子4反射射出，而是被吸光层252吸收，减少暗态漏光，提高了对比度。
99.而且，吸光结构25靠近第二衬底基板21的一面与第二衬底基板21之间的距离h1大于，第二电极23背离第二衬底基板21的一面与第二衬底基板21之间的距离h2；如此设置尽量使得通过第二电极23的吸引力会聚的反射粒子4隐藏，只有少部分垂直入射的光线才能射至反射粒子4，倾斜角度较大的光线无法射至反射粒子4；而且，即使有部分光线射至反射粒子4，经过反射粒子4反射后，还会有部分反射光射至吸光结构25，被吸光结构25吸收；使得射入至电泳液3的光线不会被反射粒子4反射射出，而是被吸光层252吸收，减少暗态漏光，提高了对比度。
100.参照图16所示，吸光结构25可以包括支撑部251以及吸光层252，支撑部251可以设于驱动背板22背离第二衬底基板21的一侧；吸光层252设于支撑部251背离第二衬底基板21的一侧，支撑部251起到对吸光层252支撑的作用；而且吸光层252在第二衬底基板21上的正投影覆盖支撑部251在第二衬底基板21上的正投影，即吸光层252的在第二衬底基板21上的正投影面积大于支撑部251在第二衬底基板21上的正投影面积，使得吸光层252与第二介电层24之间形成有环形的间隙，该间隙内可以容纳反射粒子4。
101.而且，吸光层252在第二衬底基板21上的正投影还覆盖第二电极23在第二衬底基板21上的正投影，即吸光层252的在第二衬底基板21上的正投影面积大于第二电极23在第二衬底基板21上的正投影面积。使得通过第二电极23的吸引力会聚的反射粒子4可以被吸光层252遮挡，吸光层252不仅起到吸收入射光的作用，而且起到遮挡反射粒子4的作用，使得射入至电泳液3的光线不会被反射粒子4反射射出，而是被吸光层252吸收，进一步减少暗态漏光，提高了对比度。
102.用吸光结构25代替黑粒子，避免带负电荷的黑微粒子62与带正电荷的白微粒子63混合在电泳液3中，避免黑微粒子62与白微粒子63接触后导致放电，即避免带负电荷黑粒子与带正电荷的白粒子在电荷力作用下团聚或者电荷抵消，使得黑微粒子62与白微粒子63均形成不带电粒子，无法在电场的作用下产生移动，无法实现显示功能，因此，单粒子电泳液稳定性更好。
103.在本示例实施方式中，在阵列基板2和彩膜基板1之间还设置有密封挡墙结构5，参照图17所示，可以将密封挡墙结构5制作在彩膜基板1的光增强层15背离第一衬底基板11的一侧，而且，光增强层15的需要设置密封挡墙结构5的区域设置为平面，可以为密封挡墙结构5提供较为平整的基础面，避免形成的密封挡墙结构5的高度不一致，达不到将各个子像素之间密封隔离的作用。然后在密封挡墙结构5分隔形成的子像素空间内滴入电泳液3。参照图8-图10以及图16所示，将形成有密封挡墙结构5的彩膜基板1与阵列基板2对盒形成电泳显示装置。
104.密封挡墙结构5可以设置为网格状，密封挡墙结构5将阵列基板2和彩膜基板1之间的容纳空间分割形成多个子像素空间，相邻的子像素空间之间互不连通，而且是密封设置的。一个子像素空间与一个过滤部相对设置，一个子像素空间与一个过滤部形成一个子像素。密封挡墙结构5在第二衬底基板21上的正投影位于黑矩阵121在第二衬底基板21上的正投影之内，例如，密封挡墙结构5在第二衬底基板21上的正投影与黑矩阵121在第二衬底基板21上的正投影重合，或，黑矩阵121在第二衬底基板21上的正投影覆盖且大于密封挡墙结构5在第二衬底基板21上的正投影；使得黑矩阵121可以将密封挡墙结构5进行遮挡。
105.如此设置，不需要设置微胶囊61，降低了电泳显示装置的工艺难度，降低了成本；而且，提高了生产效率。
106.而且，密封挡墙结构5的材质可以是吸光材料，使得在暗态时，密封挡墙结构5可以吸收吸光层252反射的一部分光线，减少了暗态漏光，提高了对比度。
107.另外，该电泳显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备等等，电泳显示装置能耗低可以用于电子标签，电子书阅读，而且由于其护眼特性还可以用于在线教育，学生用显示器等等。
108.本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
109.需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
110.与现有技术相比，本发明示例实施方式提供的显示装置的有益效果与上述示例实施方式提供的显示面板的有益效果相同，在此不做赘述。
111.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

技术特征：

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：第一衬底基板；滤光层，设于所述第一衬底基板的一侧；第一电极，设于所述滤光层背离所述第一衬底基板的一侧；光增强层，设于所述第一电极背离所述第一衬底基板的一侧，所述光增强层背离所述第一衬底基板的一面设置有凹陷部。2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述凹陷部的侧壁与所述第一衬底基板之间的距离随着与所述凹陷部的中心在第一面的距离的增加而增加，所述第一面与所述第一衬底基板靠近所述滤光层的一面平行。3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述凹陷部的侧壁包括弧面、斜面中的一种或两种。4.一种电泳显示装置，其特征在于，包括：彩膜基板，为权利要求1～3任意一项所述的彩膜基板；阵列基板，设于所述彩膜基板的光增强层背离第一衬底基板的一侧，且所述阵列基板与所述彩膜基板之间设置有容纳空间；密封挡墙结构，设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间，且将所述容纳空间分割形成多个子像素空间；电泳液，设于所述子像素空间内；反射粒子，设于所述电泳液内。5.根据权利要求4所述的电泳显示装置，其特征在于，所述电泳液的折射率大于所述光增强层的折射率。6.根据权利要求4所述的电泳显示装置，其特征在于，所述阵列基板包括：第二衬底基板；驱动背板，设于所述第二衬底基板靠近所述彩膜基板的一侧，所述驱动背板包括多个开关单元；第二电极，连接于所述驱动背板，所述第二电极设于所述驱动背板背离所述第二衬底基板的一侧；第二介电层，至少覆盖所述第二电极；吸光结构，设于所述驱动背板背离所述第二衬底基板的一侧。7.根据权利要求6所述的电泳显示装置，其特征在于，所述第二电极设置为环形，所述吸光结构设于所述第二电极的环内。8.根据权利要求6或7所述的电泳显示装置，其特征在于，所述驱动背板上设置有第一凹槽，所述第二电极位于所述第一凹槽内，所述第二介电层背离所述第二衬底基板的一面设置有与所述第一凹槽相对的第二凹槽；所述吸光结构靠近所述第二衬底基板的一面与所述第二衬底基板之间的距离大于，所述第二电极背离所述第二衬底基板的一面与所述第二衬底基板之间的距离。9.根据权利要求6或7所述的电泳显示装置，其特征在于，所述吸光结构包括：支撑部，设于所述驱动背板背离所述第二衬底基板的一侧；吸光层，设于所述支撑部背离所述第二衬底基板的一侧，且所述吸光层在所述第二衬
底基板上的正投影覆盖所述支撑部在所述第二衬底基板上的正投影以及所述第二电极在所述第二衬底基板上的正投影。10.根据权利要求4所述的电泳显示装置，其特征在于，所述反射粒子的粒径大于等于150纳米且小于等于400纳米。

技术总结

本公开涉及显示技术领域，公开了一种彩膜基板及电泳显示装置；该彩膜基板包括第一衬底基板、滤光层、第一电极以及光增强层；滤光层设于第一衬底基板的一侧；第一电极设于滤光层背离第一衬底基板的一侧；光增强层设于第一电极背离第一衬底基板的一侧，光增强层背离第一衬底基板的一面设置有凹陷部。该彩膜基板对比度较高。较高。较高。