电镀液的回收控制方法、系统、装置、设备及介质与流程



1.本发明涉及晶圆电镀金工艺技术领域,尤其涉及一种电镀液的回收控制方法、系统、装置、设备及介质。


背景技术:



2.集成电路的制造工艺,一般分为干法制程和湿法制程。在湿法制程中,晶圆电镀工艺是非常重要的一步工艺。在晶圆电镀金工艺流程中,当电镀完成后,晶圆清洗装置需要清洗晶圆表面才能将其传送到下一工位。而由于每处理一片晶圆都会带出一定量的金药液,这样一方面会导致工艺槽需要进行补水至指定的液位,同时由于清洗后的药液中含有大量的金,也需要进行回收利用。


技术实现要素:



3.本发明要解决的技术问题是为了克服上述至少一个现有技术中存在的技术问题,提供一种电镀液的回收控制方法、系统、装置、电子设备及存储介质。
4.本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
5.本发明提供了一种电镀液的回收控制方法,所述控制方法用于将晶圆清洗后电镀腔内的电镀液回收至工艺槽或回收槽,所述控制方法包括:
6.分别关闭连通所述电镀腔与所述工艺槽的第一阀门和连通所述电镀腔和所述回收槽的第二阀门;
7.若晶圆清洗结束时,所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽的次数尚未达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则将所述第一阀门打开第一预设时长,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽;
8.其中,所述预设次数阈值根据所述工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。
9.较佳地,所述将所述第一阀门打开第一预设时长的步骤之后还包括:
10.关闭所述第一阀门,打开所述第二阀门,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述回收槽。
11.较佳地,当经过预设延时后,执行将所述第一阀门打开第一预设时长的步骤。
12.较佳地,所述控制方法包括:
13.若晶圆清洗结束时,所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽的次数已经达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则打开所述第二阀门,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述回收槽。
14.较佳地,所述控制方法包括:
15.所述工艺槽的容量为75升;所述工艺槽内的电镀液在1天内的挥发量为1.5升;所述预设次数阈值为45次;所述预设延时为3秒;所述第一预设时长为7秒。
16.较佳地,所述电镀腔的数量大于一;所述预设次数阈值为所有所述电镀腔向所述
工艺槽内回收所述电镀液的总次数。
17.本发明还提供了一种电镀液的回收控制系统,所述控制系统用于将晶圆清洗后电镀腔内的电镀液回收至工艺槽或回收槽,所述控制系统包括:
18.初始模块,用于分别关闭连通所述电镀腔与所述工艺槽的第一阀门和连通所述电镀腔和所述回收槽的第二阀门;
19.回收模块,用于当晶圆清洗结束时,若检测到所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽的次数尚未达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则将所述第一阀门打开第一预设时长,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽;
20.其中,所述预设次数阈值根据所述工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。
21.本发明还提供了一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的电镀液的回收控制方法。
22.本发明还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述的电镀液的回收控制方法。
23.本发明还提供了一种晶圆清洗装置,包括电镀腔、工艺槽、回收槽和上述的电子设备。
24.本发明的积极进步效果在于,提供了一种电镀液的回收控制方法、系统、装置、设备及介质,通过对晶圆清洗过程中的残留药液流向的合理设置,结合对于工艺槽中药液蒸发情况的精确分析,能够在晶圆清洗过程中使大部分金药液回流至工艺槽,减少金药液的损耗。
附图说明
25.图1为本发明实施例1中的电镀液的回收控制方法的流程图。
26.图2为本发明实施例1中的电镀液的回收控制方法的一种实施方式的示意图。
27.图3为本发明实施例1中的电镀液的回收控制方法的另一种实施方式的示意图。
28.图4为本发明实施例1中的电镀液的回收控制方法的应用场景的示意图。
29.图5为本发明实施例1中的电镀液的回收控制方法的具体应用实例的流程图。
30.图6为本发明实施例2中的电镀液的回收控制系统的模块图。
31.图7为本发明实施例3中的电子设备的结构框图。
32.图8为本发明实施例5中的电镀液的回收控制装置的模块示意图。
具体实施方式
33.下面通过实施例的方式进一步说明本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
34.实施例1
35.参见图1所示,本实施例具体提供了一种电镀液的回收控制方法,控制方法用于将晶圆清洗后的电镀腔内的电镀液回收至工艺槽或回收槽,其中,本领域技术人员可知,可以通过晶圆清洗装置对晶圆进行清洗,并且晶圆清洗装置的设置方式对于发明不构成限制。
控制方法包括:
36.s1.分别关闭连通电镀腔与工艺槽的第一阀门和连通电镀腔和回收槽的第二阀门;
37.s2.晶圆清洗结束时,检测电镀腔内的电镀液回收至工艺槽的次数,若尚未达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则执行步骤s3;预设次数阈值根据工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。
38.s3.将第一阀门打开第一预设时长,以使电镀腔内的电镀液回收至工艺槽。
39.参见图2所示,在一种具体的应用场景中,工艺槽中的电镀液由泵送至电镀腔后,再回流至工艺槽形成循环。参见图3所示,一个工艺槽可以对应多个电镀腔。可以理解,工艺槽中的药水量可以通过设置若干液位传感器进行检测控制。清洗装置内的电镀液分别由第一阀门和第二阀门控制回流至工艺槽或回收槽。
40.作为较佳的实施方式,步骤s2晶圆清洗结束时检测电镀腔内的电镀液回收至工艺槽的次数,若已经达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则执行步骤s4打开第二阀门,以使电镀腔内的电镀液回收至回收槽。
41.作为较佳的实施方式,可以先经过一个预设延时后再执行步骤s3。
42.本实施方式中经一个预设延时后,清洗装置内会累积一些清洗后的电镀液,此时打开av01可以使相对高浓度的电镀液回流到工艺槽,从而有利于每次回流一定的金药水量。通过增加预设延时再打开av01能够保证电镀液回收的稳定性。
43.作为较佳的实施方式,步骤s3之后还包括:s5.关闭第一阀门,打开第二阀门,以使电镀腔内的电镀液回收至回收槽。
44.参见图4示出的一个应用场景,其中av03为纯水控制阀,用于在清洗晶圆表面时打开,注入纯水至电镀腔内以便通过喷嘴对晶圆喷射进行清洗。av01即连通工艺槽的第一阀门;av02为连通回收槽的第二阀门。具体地,设定如表1所示的控制参数。其中系统参数为预先设定,内部变量为对应系统参数在应用时需要测定的变量。
45.参数名称描述单位备注p1av01打开延迟设定秒系统参数p2av01打开时间设定秒系统参数p3av03打开时间设定秒系统参数p4每天最大添加次数设定次系统参数v1av01延迟计时秒内部变量v2av01打开计时秒内部变量v3av03打开计时秒内部变量v4当天累计添加次数次内部变量
46.表1
47.参见图5所示的具体应用例子的流程图,步骤s51中,当电镀完成,将晶圆移动至清晰位置;步骤s52清洗晶圆,晶圆旋转,打开av03即纯水阀门,设定v3=0开始计时,步骤s53判断v3,直至其达到了预设的清洗时长p3后,步骤s54关闭av03停止晶圆旋转。
48.而对于回收清洗药水,在开始阶段步骤s55关闭av01和av02两个阀门,s56判断当天是否已经达到了回收次数的上限值p4,如果已经达到则s57打开av02使清洗药水流入回
收槽中,反之若未达到,s58、s59开始计时并经过一个预设的延时p1后,s60、s61打开av01保持预设的工艺槽回收时长p2后,s61关闭av01并打开av02使剩余清洗药水流入回收槽中,至此清洗回收任务结束,步骤s63对回收次数进行累加。
49.通过反复实验调整系统参数,降低金药水损耗,节约成本。作为较佳的实施方式,工艺槽以75升计算,维持55℃的工作温度,每天蒸发约1.5升。p1=3,p2=7,进水速度约200ml/min,每次回收量约200*10/60=33.3ml。p4=1.5*1000/33.3=45次。
50.本实施例的电镀液的回收控制方法通过对晶圆清洗过程中的残留药液流向的合理设置,结合对于工艺槽中药液蒸发情况的精确分析,能够在晶圆清洗过程中使大部分金药液回流至工艺槽,减少金药液的损耗。
51.实施例2
52.参见图6所示,本实施例具体提供了一种电镀液的回收控制系统,用于将晶圆清洗装置的电镀腔内当晶圆清洗后的电镀液回收至工艺槽或回收槽,包括:
53.初始模块61,用于关闭连通电镀腔与工艺槽的第一阀门和连通电镀腔和回收槽的第二阀门;
54.回收模块62,用于在晶圆清洗结束时,若检测到电镀腔内的电镀液回收至工艺槽的次数尚未达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则将第一阀门打开第一预设时长,以使电镀腔内的电镀液回收至工艺槽。其中,预设次数阈值根据工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。
55.参见图2所示,在一种具体的应用场景中,工艺槽中的电镀液由泵送至电镀腔后,再回流至工艺槽形成循环。参见图3所示,一个工艺槽可以对应多个电镀腔。可以理解,工艺槽中的药水量可以通过设置若干液位传感器进行检测控制。清洗装置内的电镀液分别由第一阀门和第二阀门控制回流至工艺槽或回收槽。
56.作为较佳的实施方式,回收模块62在晶圆清洗结束时检测电镀腔内的电镀液回收至工艺槽的次数,若已经达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则关闭第一阀门,并打开第二阀门,以使电镀腔内的电镀液回收至回收槽。
57.作为较佳的实施方式,回收模块62可以先经过一个预设延时后再执行步骤s3。作为较佳的实施方式,回收模块62还用于在将第一阀门打开第一预设时长后关闭第一阀门并打开第二阀门,以使电镀腔内的电镀液回收至回收槽。
58.参见图4示出的一个应用场景,其中av03为纯水控制阀,用于在清洗晶圆表面时打开,注入纯水至电镀腔内以便通过喷嘴对晶圆喷射进行清洗。av01即连通工艺槽的第一阀门;av02为连通回收槽的第二阀门。具体地,设定如表1所示的控制参数。其中系统参数为预先设定,内部变量为对应系统参数在应用时需要测定的变量。
59.参见图5所示的具体应用例子的流程图,步骤s51中,当电镀完成,将晶圆移动至清晰位置;步骤s52清洗晶圆,晶圆旋转,打开av03即纯水阀门,设定v3=0开始计时,步骤s53判断v3,直至其达到了预设的清洗时长p3后,步骤s54关闭av03停止晶圆旋转。
60.而对于回收清洗药水,在开始阶段步骤s55关闭av01和av02两个阀门,s56判断当天是否已经达到了回收次数的上限值p4,如果已经达到则s57打开av02使清洗药水流入回收槽中,反之若未达到,s58、s59开始计时并经过一个预设的延时p1后,s60、s61打开av01保持预设的工艺槽回收时长p2后,s61关闭av01并打开av02使剩余清洗药水流入回收槽中,至
此清洗回收任务结束,步骤s63对回收次数进行累加。
61.通过反复实验调整系统参数,降低金药水损耗,节约成本。作为较佳的实施方式,工艺槽以75升计算,维持55℃的工作温度,每天蒸发约1.5升。p1=3,p2=7,进水速度约200ml/min,每次回收量约200*10/60=33.3ml。p4=1.5*1000/33.3=45次。
62.本实施例的电镀液的回收控制系统方法通过对晶圆清洗过程中的残留药液流向的合理设置,结合对于工艺槽中药液蒸发情况的精确分析,能够在晶圆清洗过程中使大部分金药液回流至工艺槽,减少金药液的损耗。
63.实施例3
64.参见图7所示,本实施例提供了一种电子设备30,包括处理器31、存储器32及存储在存储器32上并可在处理器31上运行的计算机程序,处理器31执行程序时实现实施例1中的电镀液的回收控制方法。图7显示的电子设备30仅仅是一个示例,不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
65.电子设备30可以以通用计算设备的形式表现,例如其可以为服务器设备。电子设备30的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理器31、上述至少一个存储器32、连接不同系统组件(包括存储器32和处理器31)的总线33。
66.总线33包括数据总线、地址总线和控制总线。
67.存储器32可以包括易失性存储器,例如随机存取存储器(ram)321和/或高速缓存存储器322,还可以进一步包括只读存储器(rom)323。
68.存储器32还可以包括具有一组(至少一个)程序模块324的程序/实用工具325,这样的程序模块324包括但不限于:操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据,这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
69.处理器31通过运行存储在存储器32中的计算机程序,从而执行各种功能应用以及数据处理,例如本发明实施例1中的电镀液回收控制方法。
70.电子设备30也可以与一个或多个外部设备34(例如键盘、指向设备等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口35进行。并且,模型生成的设备30还可以通过网络适配器36与一个或者多个网络(例如局域网(lan),广域网(wan)和/或公共网络,例如因特网)通信。网络适配器36通过总线33与模型生成的设备30的其它模块通信。可以结合模型生成的设备30使用其它硬件和/或软件模块,包括但不限于:微代码、设备驱动器、冗余处理器、外部磁盘驱动阵列、raid(磁盘阵列)系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
71.应当注意,尽管在上文详细描述中提及了电子设备的若干单元/模块或子单元/模块,但是这种划分仅仅是示例性的并非强制性的。实际上,根据本发明的实施方式,上文描述的两个或更多单元/模块的特征和功能可以在一个单元/模块中具体化。反之,上文描述的一个单元/模块的特征和功能可以进一步划分为由多个单元/模块来具体化。
72.实施例4
73.本实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,程序被处理器执行时实现实施例1中的电镀液的回收控制方法。
74.其中,可读存储介质可以采用的更具体可以包括但不限于:便携式盘、硬盘、随机存取存储器、只读存储器、可擦拭可编程只读存储器、光存储器件、磁存储器件或上述的任意合适的组合。
75.在可能的实施方式中,本发明还可以实现为一种程序产品的形式,其包括程序代码,当程序产品在终端设备上运行时,程序代码用于使终端设备执行实现实施例1中的电镀液的回收控制方法。
76.其中,可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明的程序代码,程序代码可以完全地在用户设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户设备上部分在远程设备上执行或完全在远程设备上执行。
77.实施例5
78.参见图8所示,提供了一种电镀液的回收控制装置,其中包括电镀腔81、工艺槽82、回收槽83以及如实施例3中所述的电子设备30。其中,上述电镀腔81、工艺槽82、回收槽83的设置可以如图2或图3所示,但本领域技术人员可以知晓,本发明的电镀液的回收控制装置对于电镀液的回收方式并不因此收到任何限制。
79.本实施例的电镀液的回收控制装置通过对晶圆清洗过程中的残留药液流向的合理设置,结合对于工艺槽中药液蒸发情况的精确分析,能够在晶圆清洗过程中使大部分金药液回流至工艺槽,减少金药液的损耗。
80.虽然以上描述了本发明的具体实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,这仅是举例说明,本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式做出多种变更或修改,但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

技术特征:


1.一种电镀液的回收控制方法,其特征在于,所述控制方法用于将晶圆清洗后电镀腔内的电镀液回收至工艺槽或回收槽,所述控制方法包括:分别关闭连通所述电镀腔与所述工艺槽的第一阀门和连通所述电镀腔和所述回收槽的第二阀门;若晶圆清洗结束时,所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽的次数尚未达到当前所设置的预设时长对应的预设次数阈值,则将所述第一阀门打开第一预设时长,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽;其中,所述预设次数阈值根据所述工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。2.如权利要求1所述的电镀液的回收控制方法,其特征在于,将所述第一阀门打开第一预设时长的步骤之后还包括:关闭所述第一阀门,打开所述第二阀门,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述回收槽。3.如权利要求2所述的电镀液的回收控制方法,其特征在于,当经过预设延时后,执行将所述第一阀门打开第一预设时长的步骤。4.如权利要求2或3所述的电镀液的回收控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:若晶圆清洗结束时,所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽的次数已经达到当前所设置的预设时长对应的预设次数阈值,则打开所述第二阀门,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述回收槽。5.如权利要求4所述的电镀液的回收控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:所述工艺槽的容量为75升;所述工艺槽内的电镀液在1天内的挥发量为1.5升;所述预设次数阈值为45次;所述预设延时为3秒;所述第一预设时长为7秒。6.如权利要求1所述的电镀液的回收控制方法,其特征在于,所述电镀腔的数量大于一;所述预设次数阈值为所有所述电镀腔向所述工艺槽内回收所述电镀液的总次数。7.一种电镀液的回收控制系统,其特征在于,所述控制系统用于将晶圆清洗后电镀腔内的电镀液回收至工艺槽或回收槽,所述控制系统包括:初始模块,用于分别关闭连通所述电镀腔与所述工艺槽的第一阀门和连通所述电镀腔和所述回收槽的第二阀门;回收模块,用于当晶圆清洗结束时,若检测到所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽的次数尚未达到当前所处的预设时长对应的预设次数阈值,则将所述第一阀门打开第一预设时长,以使所述电镀腔内的电镀液回收至所述工艺槽;其中,所述预设次数阈值根据所述工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。8.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1-6中任一项所述的电镀液的回收控制方法。9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-6中任一项所述的电镀液的回收控制方法。10.一种电镀液的回收控制装置,其特征在于,包括电镀腔、工艺槽、回收槽和权利要求8所述的电子设备。

技术总结


本发明公开了一种电镀液的回收控制方法、系统、装置、设备及介质,所述回收控制方法用于将晶圆清洗后电镀腔内的电镀液回收至工艺槽或回收槽,包括如下步骤:分别关闭连通电镀腔与工艺槽的第一阀门和连通电镀腔和回收槽的第二阀门;若晶圆清洗结束时电镀腔内的电镀液回收至工艺槽的次数尚未达到预设次数阈值,则将第一阀门打开第一预设时长,以使电镀液回收至工艺槽;预设次数阈值根据工艺槽内的电镀液在单位时长内的挥发量确定。本发明通过对晶圆清洗过程中的残留药液流向的合理设置,结合对于工艺槽中药液蒸发情况的精确分析,能够在晶圆清洗过程中使大部分金药液回流至工艺槽,减少金药液的损耗。少金药液的损耗。少金药液的损耗。


技术研发人员:

史蒂文

受保护的技术使用者:

新阳硅密(上海)半导体技术有限公司

技术研发日:

2022.08.15

技术公布日:

2022/10/11

本文发布于:2024-09-22 11:26:47,感谢您对本站的认可!

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