热潜伏性固化促进剂及其制备方法、环氧积层膜及其制备方法和应用

1.本发明涉及高分子材料技术领域，尤其是涉及一种热潜伏性固化促进剂及其制备方法、环氧积层膜及其制备方法和应用。

背景技术：

2.近年来，在集成电路(ic)封装的各个层次中，1级封装作为介于ic 芯片与印制线路板(pcb)封装互联的桥梁，对于保障芯片的信号传输起着至关重要的作用。1级封装主要由ic封装载板(ic packaging substrate)构成，其内部包括芯板、积层膜绝缘介质以及贯穿其中的金属导线和通孔等组分。ic封装载板是芯片与pcb母板间进行信号传输的桥梁。ic封装载板的积层膜绝缘介质主要由有机高分子材料与无机填料复合而成。依据高分子基体材料的不同，积层膜主要可分为abf(ajinomoto build-up films)型和bt(双马来酰亚胺-三嗪树脂)型等几类。其中，abf积层膜相对于bt 材料而言，其可实现更细的线宽，因此更适应窄线宽、高信号传输密度的 ic器件制造，如中央处理器(cpu)、图形处理器(gpu)等。此外，abf 积层膜还具有应用工艺便捷、生产效率高等特点。因此目前已经成为高端芯片封装技术，如倒装芯片球栅阵列封装(fcbga)、3d叠层封装等的标配，其目前市场占有率超过了90％。由于abf材料主要以环氧树脂体系为主要成分，因此abf材料也常被称作环氧积层膜(epoxy build-up film,ebf) 材料。
3.环氧积层膜中一种重要的成分是固化促进剂，其主要功能是催化固化剂与环氧树脂的交联反应。由于环氧积层膜是一类单组份材料，环氧树脂与固化剂和固化促进剂同时存在于膜材料中。因此为了防止在储存过程中环氧树脂与固化剂发生交联反应，所使用的促进剂需要具有优良的热潜伏特性，即在储存温度下(-18℃)不能引发环氧树脂的固化反应，但在温度到达环氧积层膜的加工工艺温度时可快速引发环氧树脂的固化交联反应。这种“热潜伏”特性对于环氧积层膜的储存与应用效果均会产生显著的影响，因此在环氧积层膜材料研发中占据着重要的地位。但是由于热潜伏型固化促进剂本身蕴藏着较高的技术含量以及应用领域的专有性，因此寻求适合环氧积层膜应用需求的热潜伏型固化促进剂材料具有较高的技术难度。由于缺乏高性能潜伏性固化促进剂，现有环氧积层膜材料的储存与运输条件十分苛刻，储存期也较短。
4.有鉴于此，特提出本发明。

技术实现要素：

5.本发明的第一目的在于提供一种热潜伏性固化促进剂，该固化促进剂具有热潜伏性能和固化性能优异的特点，解决了现有技术中的环氧积层膜存储与运输的条件苛刻，存储器期较短等问题。
6.本发明的第二目的在于提供一种如上所述的热潜伏性固化促进剂的制备方法。
7.本发明的第三目的在于提供一种环氧积层膜，其具有优异的储存稳定性、工艺性
能、固化物绝缘性能、固化物耐温性能与力学性能等，可广泛用于各种电子元器件芯片的封装中。
8.本发明的第四目的在于提供一种如上所述的环氧积层膜的制备方法。
9.本发明的第五目的在于提供一种电子元器件芯片，包括如上所述的环氧积层膜。
10.为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
11.本发明提供了一种热潜伏性固化促进剂，包括具有如下所示的结构的化合物中的至少一种；
[0012][0013]
式中，r1选自h和c1～c16烷基中的任一种；
[0014]
x为和中的一种任。
[0015]
进一步地，所述热潜伏性固化促进剂，具有如下结构式中的任一种；
[0016][0017]
本发明还提供了如上所述的热潜伏性固化促进剂的制备方法，包括如下步骤：
[0018]
化合物a和化合物b于溶剂中反应得到所述热潜伏性固化促进剂；
[0019]
所述化合物a包括-乙醚溶液、对甲苯磺酸单水合物和2-乙基己基二苯基磷酸酯中的任一种；
[0020]
所述化合物b的结构式为：式中，r1选自h和c1～c16 烷基中的任一种。
[0021]
优选地，所述化合物b为4-二甲氨基吡啶。
[0022]
进一步地，所述化合物a和所述化合物b的摩尔比为0.95～1.02： 0.95～1.02。
[0023]
优选地，所述溶剂包括四氢呋喃、1,4-二氧六环、二氯甲烷和中的一种或多种。
[0024]
优选地，所述反应的温度为0～120℃，反应时间为1～24h。
[0025]
本发明还提供了一种环氧积层膜，包括如上所述的热潜伏性固化促进剂。
[0026]
进一步地，所述环氧积层膜，按重量份数计，包括如下组分：
[0027]
环氧树脂3～30份、固化剂1～10份、无机填料40～70份、所述热潜伏性固化促进剂0.01～0.5份、偶联剂0.1～1份、溶剂20～30份和消泡剂0.01～0.1 份。
[0028]
进一步地，所述环氧树脂包括双酚a环氧树脂、萘型环氧树脂、液晶环氧树脂、苯酚-芳烷基型环氧树脂、酚酞环氧树脂、含磷环氧树脂、含氮环氧树脂、联苯环氧树脂和海因环氧树脂中的一种或多种。
[0029]
优选地，所述固化剂包括酚醛固化剂、氰酸酯固化剂和活性酯固化剂中的一种或多种。
[0030]
优选地，所述酚醛固化剂包括苯酚-芳烷基型酚醛树脂、多官能团苯酚
‑ꢀ
芳烷基型酚醛树脂、共聚型联苯芳烷基型酚醛树脂、含氮酚醛树脂和萘型酚醛固化剂中一种或多种。
[0031]
进一步地，所述偶联剂包括γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-硫醇氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
[0032]
优选地，所述无机填料包括石英微粉。
[0033]
优选地，所述无机填料的中位粒径≤1μm。
[0034]
优选地，所述消泡剂包括非硅烷型消泡剂。
[0035]
优选地，所述溶剂包括环己酮、和4-甲基-2-戊酮中的一种或多种。
[0036]
本发明还提供了如上所述的环氧积层膜的制备方法，包括如下步骤：各组分混炼后得到浆料；所述浆料涂覆于基材上，干燥后得到所述环氧积层膜。
[0037]
优选地，所述混炼的温度为20～100℃，所述混炼的时间为0.5～3h。
[0038]
本发明还提供了一种电子元器件芯片，包括如上所述的环氧积层膜。
[0039]
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
[0040]
本发明的热潜伏性固化促进剂由4-二甲氨基吡啶或其衍生物，与-乙醚溶液、对甲苯磺酸单水合物或2-乙基己基二苯基磷酸酯反应制备得到；该固化促进剂具有热潜伏性能和固化性能优异的特点；将其添加到集成电路封装基板用环氧积层膜材料中，能够在保证环氧积层膜材料具有良好绝缘性能的基础上，提高环氧积层膜材料的工艺性能、保质期、储存稳定性和力学性能。
[0041]
本发明的环氧积层膜采用环氧树脂、固化剂、无机填料、溶剂、偶联剂、消泡剂以及本发明的热潜伏固化促进剂制得，通过添加4-二甲氨基吡啶及其衍生物的络合物型热潜伏固化促进剂，并与其他组分相互配合，使制得的环氧积层膜具有储存稳定性优异、工艺性能优异、固化物绝缘性能优异、固化物耐温性能与力学性能优良等特征，可广泛用于各种电子元器件芯片的封装中。
附图说明
[0042]
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的
附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]
图1为本发明实施例1制得的tlc-py的核磁氢谱图。
[0044]
图2为本发明实施例3制得的tlc-bf的核磁氢谱图。
[0045]
图3为本发明实施例4、实施例5、实施例6和对比例1的升温流变测试结果。
[0046]
图4为本发明实施例4、实施例5、实施例6和对比例1的恒温(140℃) 流变测试结果。
具体实施方式
[0047]
下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0048]
下面对本发明实施例的一种热潜伏性固化促进剂及其制备方法、环氧积层膜及其制备方法和应用进行具体说明。
[0049]
在本发明的一些实施方式中提供了一种热潜伏性固化促进剂，包括具有如下所示的结构的化合物中的至少一种；
[0050][0051]
式中，r1选自h和c1～c16烷基中的任一种；
[0052]
x为和中的任一种。
[0053]
本发明的热潜伏性固化促进剂具有热潜伏性优良、固化性能优异和成本低等特点；可应用于包括集成电路封装基板环氧积层膜在内的单组份环氧树脂体系封装材料中，解决了现有环氧积层膜类材料储存与运输条件十分苛刻，储存期较短等方面的问题。
[0054]
本发明通过采用4-二甲氨基吡啶及其衍生物的络合物型热潜伏固化促进剂，将其添加到环氧积层膜材料中，在保证环氧积层膜材料具有良好绝缘性能的基础上，还提高了环氧积层膜材料的工艺性能、保质期、储存稳定性和力学性能。
[0055]
在本发明的一些实施方式中，热潜伏性固化促进剂，包括具有如式(i)、 (ii)或式(iii)所示的结构的化合物中的一种或多种；
[0056][0057]
上述三种化合物均为4-二甲氨基吡啶络合物，其命名分别为：4-二甲氨基吡啶/络合物(tlc-bf)、4-二甲氨基吡啶/对甲苯磺酸络合物 (tlc-pt)和4-二甲氨基吡啶/2-乙基己基二苯基磷酸酯络合物(tlc-py)。
[0058]
本发明的热潜伏型固化促进剂可以为单一的4-二甲氨基吡啶/络合物、4-二甲氨基吡啶/对甲苯磺酸络合物或者4-二甲氨基吡啶/2-乙基己基二苯基磷酸酯络合物；也可以为4-二甲氨基吡啶/络合物、4-二甲氨基吡啶/对甲苯磺酸络合物和4-二甲氨基吡啶/2-乙基己基二苯基磷酸酯络合物中两种或三种的组合。
[0059]
在本发明的一些实施方式中还提供了上述热潜伏性固化促进剂的制备方法，包括如下步骤：
[0060]
化合物a和化合物b于溶剂中反应得到热潜伏性固化促进剂。
[0061]
在本发明的一些实施方式中，化合物a包括-乙醚溶液(-乙醚络合物)、对甲苯磺酸单水合物和2-乙基己基二苯基磷酸酯 (dpop)中的任一种。
[0062]
在本发明的一些实施方式中，化合物b的结构式为：式中，r1选自h和c1～c16烷基中的任一种；优选地，化合物b为4-二甲氨基吡啶。
[0063]
在本发明的一些实施方式中，化合物a和化合物b的摩尔比为 0.95～1.02：0.95～1.02；典型但非限制性的，例如，化合物a和化合物b的摩尔比为0.95：1.02、0.95：1、1：1、1.02：1或者1.02：0.95等等；优选地，化合物a和化合物b的摩尔比为1：1。
[0064]
在本发明的一些实施方式中，热潜伏性固化促进剂的制备方法中，溶剂包括四氢呋喃、1,4-二氧六环和二氯甲烷和中的一种或多种。
[0065]
在本发明的一些实施方式中，反应的温度为0～120℃，反应时间为1～24h；典型但非限制性的，例如，反应的度为0℃、10℃、20℃、30℃、 40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或者120℃等等；反应时间为1h、5h、10h、15h、20h或者24h。
[0066]
在本发明的一些实施方式中，热潜伏性固化促进剂的制备方法，还包括，反应后依次进行洗涤和干燥；优选地，洗涤的溶剂包括乙酸乙酯、甲苯和四氢呋喃中的一种或多种；优选地，干燥包括真空干燥；优选地，干燥的温度为50～100℃。
[0067]
本发明采用制备方法制备得到热潜伏性固化促进剂，该制备方法步骤简单、收率高。
[0068]
在本发明的一些实施方式中还提供了上述热潜伏性固化促进剂在单组份环氧树脂体系封装材料中的应用。
[0069]
在本发明的一些实施方式中还提供了一种环氧积层膜，包括上述热潜伏性固化促进剂；优选地，环氧积层膜为集成电路封装基板用环氧积层膜。
[0070]
在本发明的一些实施方式中，环氧积层膜，按重量份数计，包括如下组分：
[0071]
环氧树脂3～30份、固化剂1～10份、无机填料40～70份、热潜伏性固化促进剂0.01～0.5份、偶联剂0.1～1份、溶剂20～30份和消泡剂0.01～0.1 份。
[0072]
在本发明的一些实施方式中，典型但非限制性的，例如，环氧树脂的重量份数可以为3份、5份、10份、15份、20份、25份或者30份等等；固化剂的重量份数可以为1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、 9份或者10份等等；无机填料的重量份数可以为40份、45份、50份、55 份、60份、65份或者70份等等；热潜伏性固化促进剂的重量份数可以为 0.01份、0.05份、0.1份、0.15份、0.2份、0.25份、0.3份、0.35份、0.4 份、0.45份或者0.5份等等；偶联剂的重量份数可以为0.1份、0.2份、0.4 份、0.6份、0.8份或者1份等等；溶剂的重量份数可以为20份、22份、24 份、26份、28份或者30份等等；消泡剂的重量份数可以为0.01份、0.02 份、0.04份、0.06份、0.08份或者0.1份等等。
[0073]
在本发明的一些实施方式中，环氧树脂包括双酚a环氧树脂、萘型环氧树脂、液晶环氧树脂、苯酚-芳烷基型环氧树脂、酚酞环氧树脂、含磷环氧树脂、含氮环氧树脂、联苯环氧树脂和海因环氧树脂中的一种或多种；从阻燃型角度考虑，优选地，环氧树脂包括萘型环氧树脂、苯酚-芳烷基型环氧树脂、酚酞环氧树脂、海因环氧树脂和含磷环氧树脂中的一种或多种。更优选地，环氧树脂包括苯酚-芳烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂和海因环氧树脂中的一种或多种。
[0074]
萘型环氧树脂的芳香含量较高，苯酚-芳烷基型环氧树脂、酚酞环氧树脂、海因环氧树脂和含磷环氧树脂均具有本征阻燃特性；其中，苯酚-芳烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂和海因环氧树脂具有较低熔体粘度。
[0075]
在本发明的一些实施方式中，固化剂包括酚醛固化剂、氰酸酯固化剂和活性酯固化剂中的一种或多种。
[0076]
在本发明的一些实施方式中，酚醛固化剂包括苯酚-芳烷基型酚醛树脂、多官能团苯酚-芳烷基型酚醛树脂、共聚型联苯芳烷基型酚醛树脂、含氮酚醛树脂和萘型酚醛固化剂中的一种或多种；优选地，酚醛固化剂包括苯酚
‑ꢀ
芳烷基型酚醛树脂和/或含氮酚醛树脂；其熔体粘度较低。
[0077]
在本发明的一些实施方式中，偶联剂包括γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-硫醇氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种；优选地，偶联剂包括γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷。
[0078]
在本发明的一些实施方式中，无机填料包括石英微粉；优选地，石英微粉为自结晶型球型石英微粉；优选地，无机填料的粒径≤5μm，无机填料的中位粒径(d
50
)≤1μm。
[0079]
在本发明的一些实施方式中，消泡剂包括非硅烷型消泡剂；优选地，非硅烷型消泡剂包括byk-052n。
[0080]
在本发明的一些实施方式中，环氧积层膜中，溶剂包括环己酮、(mek)和4-甲基-2-戊酮中的一种或多种。
[0081]
本发明的环氧积层膜具有储存稳定性优异、工艺性能优异、固化物绝缘性能优异、固化物耐温性能与力学性能优良等特征，可广泛用于各种电子元器件芯片的封装中。
[0082]
在本发明的一些实施方式中还提供了上述环氧积层膜的制备方法，包括如下步骤：各组分混炼后得到浆料；浆料涂覆于基材上，干燥后得到环氧积层膜。
[0083]
在本发明的一些实施方式中，混练的温度为20～100℃，混炼的时间为 0.5～3h；优选地，混练的温度为50～80℃，混炼的时间为0.5～1.5h。
[0084]
在本发明的一些实施方式中，基材包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet) 基材；优选地，聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)基材的厚度为25～125μm。
[0085]
在本发明的一些实施方式中，环氧积层膜的制备方法中，干燥的温度为60～150℃，干燥的时间为0.1～1h；优选地，干燥的温度为80～140℃，干燥的时间为0.2～0.5h。
[0086]
在本发明的一些实施方式中还提供了一种电子元器件芯片，包括上述环氧积层膜。
[0087]
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
[0088]
实施例1
[0089]
本实施例提供的热潜伏性固化促进剂为4-二甲氨基吡啶/2-乙基己基二苯基磷酸酯络合物(tlc-py)。
[0090]
具体的制备方法，包括如下步骤：
[0091]
向反应容器中加入4-二甲氨基吡啶(dmap)(67.19g，0.55mol)和 1,4-二氧六环500ml，然后搅拌下滴加2-乙基己基二苯基磷酸酯(dpop) (199.32g，0.55mol)；通入氮气，升温至100℃，维持恒温反应1h，得到反应液。反应液冷却后，过滤得到滤饼；滤饼采用乙酸乙酯洗涤2次，在 80℃真空干燥24h，得到tlc-py。产率为65％。tlc-py的核磁氢谱如图1 所示，测试仪器为布鲁克av400核磁共振仪测试。
[0092]
实施例2
[0093]
本实施例提供的热潜伏性固化促进剂为4-二甲氨基吡啶/对甲苯磺酸络合物(tlc-pt)。
[0094]
具体的制备方法，包括如下步骤：
[0095]
向反应容器中加入4-二甲氨基吡啶(dmap)(67.19g，0.55mol)和 1,4-二氧六环500ml，然后搅拌下滴加对甲苯磺酸单水合物(104.62g， 0.55mol)；通入氮气，升温至100℃，维持恒温反应1h，得到反应液。反应液冷却后，过滤得到滤饼；滤饼采用四氢呋喃洗涤2次，在80℃真空干燥24h，得到tlc-pt。产率为68％。
[0096]
实施例3
[0097]
本实施例提供的热潜伏性固化促进剂为4-二甲氨基吡啶/络合物(tlc-bf)。
[0098]
具体的制备方法，包括如下步骤：
[0099]
向反应容器中加入4-二甲氨基吡啶(dmap)(67.19g，0.55mol)和四氢呋喃500ml，然后搅拌下滴加-乙醚溶液(78.07g，0.55mol)；通入氮气，升温至25℃，维持恒温反应2h，得到反应液。反应液冷却后，过滤得到滤饼；滤饼采用四氢呋喃洗涤2次，在80℃真空干燥24h，得到 tlc-bf。产率为62％。tlc-bf的核磁氢谱如图2所示，测试仪器为布鲁克av400核磁共振仪测试。
[0100]
实施例4
[0101]
本实施例提供的环氧积层膜，按重量份数计，包括如下组分：
[0102]
海因环氧树脂(无锡惠隆电子材料有限公司)12份、联苯-芳烷基环氧树脂(湖南嘉盛德材料科技股份有限公司)8份、萘系酚醛固化剂(山东圣泉新材料股份有限公司)6份、含氮酚醛固化剂(山东圣泉新材料股份有限公司)3份、球型二氧化硅(d
50
为0.5μm，江苏联瑞新材料股份有限公司) 50份、实施例1制备的tlc-py 0.1份、γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷 (国药试剂)0.2份、4-甲基-2-戊酮(国药试剂)20.5份和非硅烷消泡剂 (byk-052n，毕克化学)0.2份。
[0103]
环氧积层膜的制备方法，包括如下步骤：
[0104]
上述各组分在高速旋转混合机中，在80℃混炼1h后得到浆料；然后将上述浆料采用涂布机均匀涂布在厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材上，在130℃干燥0.2h后得到环氧积层膜。
[0105]
实施例5
[0106]
本实施例提供的环氧积层膜及其制备方法与实施例4相同，不同之处仅在于，将实施例1制备的tlc-py替换为实施例2制备的tlc-pt。
[0107]
实施例6
[0108]
本实施例提供的环氧积层膜及其制备方法与实施例4相同，不同之处仅在于，将实施例1制备的tlc-py替换为实施例3制备的tlc-bf。
[0109]
对比例1
[0110]
本对比例提供的环氧积层膜及其制备方法与实施例4相同，不同之处仅在于，将实施例1制备的tlc-py替换为4-二甲氨基吡啶(dmap)。
[0111]
对比例2
[0112]
本对比例提供的环氧积层膜及其制备方法与实施例4相同，不同之处仅在于，将实施例1制备的tlc-py替换为2-乙基-4-甲基咪唑(2e4mz)。
[0113]
试验例1
[0114]
对实施例4、实施例5、实施例6、对比例1和对比例2制得的环氧积层膜的各项性能进行测试，其结果如表1所示。其中环氧积层膜的玻璃化转变温度采用美国ta公司q400热机械分析仪测试。环氧积层膜的力学性能采用美国instron公司5966型万能试验机测试。
[0115]
表1
[0116] 实施例4实施例5实施例6对比例1对比例2-18℃储存时间(月)》12》12》20《6《34℃储存时间(月)》6》6》18《1《0.525℃储存时间(月)》1》1》1《0.2《0.1环氧积层膜拉伸强度(mpa)1051111189280环氧积层膜断裂伸长率(％)6.06.57.25.14.6环氧积层膜玻璃化转变温度(℃)157156158150150环氧积层膜耐药品稳定性优优优良差综合评价优优优差极差
[0117]
对实施例4、实施例5、实施例6和对比例1制得的环氧积层膜的进行升温流变测试
和恒温(140℃)流变测试，其结果如图3和图4所示。其中，环氧积层膜的流变性能采用美国ta公司ar2000流变仪测试。
[0118]
从表1、图3和图4可以看出，本发明提供的4-二甲氨基吡啶及其衍生物的络合物型热潜伏固化促进剂对环氧积层膜的固化具有优异的热潜伏特性。这种特性一方面使得环氧积层膜的储存稳定性和保质期大幅提升，同时对固化膜的力学性能也有较大提升。这些性能的提升使得环氧积层膜在集成电路封装基板制造中可表现出更高的可靠性。
[0119]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

技术特征：

1.一种热潜伏性固化促进剂，其特征在于，包括具有如下所示的结构的化合物中的至少一种；式中，r1选自h和c1～c16烷基中的任一种；x为中的任一种。2.根据权利要求1所述的热潜伏性固化促进剂，其特征在于，具有如下结构式中的任一种；3.权利要求1或2所述的热潜伏性固化促进剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：化合物a和化合物b于溶剂中反应得到所述热潜伏性固化促进剂；所述化合物a包括-乙醚溶液、对甲苯磺酸单水合物和2-乙基己基二苯基磷酸酯中的任一种；所述化合物b的结构式为：式中，r1选自h和c1～c16烷基中的任一种；优选地，所述化合物b为4-二甲氨基吡啶。4.根据权利要求3所述的热潜伏性固化促进剂的制备方法，其特征在于，所述化合物a和所述化合物b的摩尔比为0.95～1.02：0.95～1.02；优选地，所述溶剂包括四氢呋喃、1,4-二氧六环、二氯甲烷和中的一种或多种；优选地，所述反应的温度为0～120℃，反应时间为1～24h。5.一种环氧积层膜，其特征在于，包括权利要求1或2所述的热潜伏性固化促进剂。
6.根据权利要求5所述的环氧积层膜，其特征在于，按重量份数计，包括如下组分：环氧树脂3～30份、固化剂1～10份、无机填料40～70份、所述热潜伏性固化促进剂0.01～0.5份、偶联剂0.1～1份、溶剂20～30份和消泡剂0.01～0.1份。7.根据权利要求6所述的环氧积层膜，其特征在于，所述环氧树脂包括双酚a环氧树脂、萘型环氧树脂、液晶环氧树脂、苯酚-芳烷基型环氧树脂、酚酞环氧树脂、含磷环氧树脂、含氮环氧树脂、联苯环氧树脂和海因环氧树脂中的一种或多种；优选地，所述固化剂包括酚醛固化剂、氰酸酯固化剂和活性酯固化剂中的一种或多种；优选地，所述酚醛固化剂包括苯酚-芳烷基型酚醛树脂、多官能团苯酚-芳烷基型酚醛树脂、共聚型联苯芳烷基型酚醛树脂、含氮酚醛树脂和萘型酚醛固化剂中一种或多种。8.根据权利要求6所述的环氧积层膜，其特征在于，所述偶联剂包括γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-硫醇氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种；优选地，所述无机填料包括石英微粉；优选地，所述无机填料的中位粒径≤1μm；优选地，所述消泡剂包括非硅烷型消泡剂；优选地，所述溶剂包括环己酮、和4-甲基-2-戊酮中的一种或多种。9.权利要求5～8任一项所述的环氧积层膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：各组分混炼后得到浆料；所述浆料涂覆于基材上，干燥后得到所述环氧积层膜；优选地，所述混炼的温度为20～100℃，所述混炼的时间为0.5～3h。10.一种电子元器件芯片，其特征在于，包括权利要求5～8任一项所述的环氧积层膜。

技术总结

本发明涉及高分子材料技术领域，尤其是涉及一种热潜伏性固化促进剂及其制备方法、环氧积层膜及其制备方法和应用。本发明的热潜伏性固化促进剂由4-二甲氨基吡啶或其衍生物，与-乙醚溶液、对甲苯磺酸单水合物或2-乙基己基二苯基磷酸酯反应制备得到；该固化促进剂具有热潜伏性能和固化性能优异的特点。采用环氧树脂、固化剂、无机填料、溶剂、偶联剂、消泡剂以及上述热潜伏固化促进剂可制得环氧积层；其具有优异的储存稳定性、工艺性能、固化物绝缘性能、固化物耐温性能与力学性能等，可广泛用于各种电子元器件芯片的封装中。用于各种电子元器件芯片的封装中。用于各种电子元器件芯片的封装中。